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公开(公告)号：KR101928353B1
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：KR1020170179331
申请日：2017-12-26
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0224 , H01L31/0392 , H01L31/18 , H01L31/0216
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公开(公告)号：KR101681279B1
公开(公告)日：2016-12-06
申请号：KR1020140049354
申请日：2014-04-24
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 질화물박막및 그제조방법이개시된다. 본발명의질화물박막은, 실리콘기판을반응로내에서고온의제1온도로가열하고, 상기반응로내에수소를주입하고, 상기실리콘기판을상기제1온도보다낮은제2온도로냉각하고, 상기반응로내에수소를일정하게주입하면서, 트리메틸알루미늄(TMA)를소정시간주입하고, 상기반응로내에수소및 TMA를일정하게주입하면서, 암모니아(NH)를소정시간주입하고, 상기반응로내에수소, TMA 및 NH를일정하게주입하면서, 상기실리콘기판을상기제1온도로가열하여제조한다.
Abstract translation: 公开了一种氮化物薄膜及其制造方法。 本发明的氮化物薄膜通过以下步骤制备：在反应炉中以高温的第一温度加热硅树脂基材; 将氢气送入反应炉; 在低于第一温度的第二温度下冷却硅树脂基材; 均匀地将氢气进料到反应炉中; 喂三甲基铝（TMA）一段时间; 在反应炉中均匀加入氢气和TMA; 在一段时间内喂氨（NH_3） 并在第一温度下加热硅树脂衬底，同时在反应炉中均匀地供给氢气，TMA和NH_3。
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公开(公告)号：KR1020160106961A
公开(公告)日：2016-09-13
申请号：KR1020150029758
申请日：2015-03-03
Applicant: 한국광기술원
CPC classification number: G02B23/2461 , F41G1/34
Abstract: 본발명은광원부로부터발광된임의의발광파장을갖는빛의경로를평행광선으로정렬시켜반사함으로써, 시차발생을감소시키는광학식조준경을제공하는것을목적으로한다. 이를위해본 발명은하우징; 상기하우징에설치한경통; 상기경통의내측에설치되어빛을발광하는광원부; 상기광원부와일정거리이격설치하여, 상기광원부로부터발광된빛이평행광선이되도록변환하는광학렌즈부; 및상기광학렌즈부에의해변환된평행광선을다른경로로반사하는반사부를포함하여구성한다. 따라서본 발명은광원부로부터발광된임의의발광파장을갖는빛의경로를평행광선으로정렬시켜반사함으로써, 시차발생을감소시키고, 이에따라목표물에대해보다효율적이고안정적인조준을달성할수 있는장점이있다.
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种光学瞄准器，其以平行射线对准从光源单元发射的任意发光波长的光的路径以反射平行光线以减小视差。 为了实现该目的，光学瞄准具包括：壳体; 安装在壳体上的主管; 安装在主管内侧以发光的光源单元; 光学透镜单元，安装和分离光源单元，以将从光源单元发射的光转换成平行光线; 以及将由光学透镜单元转换的平行光线反射到不同路径的反射单元。 因此，本发明将从光源单元发射的任意发光波长的光的平行光线对准以反射平行光线，以便有效和稳定地瞄准目标。
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公开(公告)号：KR1020150141002A
公开(公告)日：2015-12-17
申请号：KR1020140069361
申请日：2014-06-09
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 본발명은 LED 소자가잘 구부러지도록유연성을갖는플렉서블 LED 및그 제조방법을제공하는것을목적으로한다. 이를위해본 발명은제 1 도전성반도체층과, 활성층과, 제 2 도전성반도체층과, 반사부가적층되고, 상기제 1 도전성반도체층에제 1 전극이설치되며, 상기반사부에제 2 전극이설치되고, 상기반사부에열을방출하는방열부가설치되며, 상기방열부에잘 구부러지는유연성을갖는플렉서블기판을설치한것을특징으로한다. 따라서본 발명은 LED 소자가잘 구부러지도록유연성을갖는장점이있다.
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种灵活的LED，其具有容易弯曲LED器件的灵活性及其制造方法。 为此，堆叠第一导电半导体层，有源层，第二导电半导体层和反射部分; 第一电极安装在第一导电半导体层上; 第二电极安装在反射部分上; 并且在反射部上安装有散热部，以将热量辐射到反射部。 具有柔性的柔性基板安装在散热部上。 因此，本发明具有容易弯曲LED器件的灵活性。
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公开(公告)号：KR101568133B1
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：KR1020140067034
申请日：2014-06-02
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L21/318 , H01L21/20
Abstract: 복수의 GaN 조각을준비하는단계; 제조하고자하는대면적질화물기판의크기에상응하여복수의 GaN 조각을로더상에서로이격시켜배치하는단계; 상기서로이격된복수의 GaN 조각의측면에 GaN을성장시켜상기복수의 GaN 조각사이에 GaN 머지영역을형성하는단계; 상기 GaN 조각및 상기 GaN 머지영역을덮도록상부 GaN층을형성하는단계; 및상기복수의 GaN 조각, GaN 머지영역, 상기상부 GaN층으로이루어진대면적질화물기판을상기로더로부터분리하는단계를포함하는조각 GaN을이용한대면적질화물기판의제조방법이제공된다.
Abstract translation: 提供一种使用GaN片段制造具有大面积的氮化物衬底的方法，其包括以下步骤：制备多个GaN片段; 对应于具有大面积的氮化物衬底的尺寸，在装载器上分开布置GaN片段; 通过在彼此分离的GaN片段的侧面上生长GaN来在GaN片段之间形成GaN合并区域; 形成顶部GaN层以覆盖GaN合并区域和GaN片段; 并且从装载器中分离具有由GaN片段，GaN合并区域和顶部GaN层组成的大面积的氮化物衬底。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150097307A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：KR1020140018658
申请日：2014-02-18
Applicant: 한국광기술원
CPC classification number: H01B13/0026
Abstract: 본 발명의 일 실시예는 상기 기판상에 탄소 나노 튜브 도전층을 형성하는 탄소 나노 튜브 도전층 제조 방법에 관한 것으로서, 복수 개의 탄소 나노 튜브를 구비하는 분산액을 제조하는 단계, 상기 분산액에 대하여 원심 분리 공정을 진행하는 단계, 상기 원심 분리 공정을 거친 분산액을 기판에 대하여 성막하는 단계, 상기 성막 단계를 진행하여 형성된 막의 표면에 대하여 활성화 공정을 진행하는 단계, 적어도 금속 원소를 포함하는 도금액을 준비하는 단계, 상기 활성화를 진행한 기판을 상기 도금액에 넣어 도금 공정을 진행하는 단계 및 상기 기판에 대하여 열처리를 구비하는 후처리 공정을 진행하는 단계를 포함하는 탄소 나노 튜브 도전층 제조 방법을 개시한다.
Abstract translation: 本发明的实施例涉及一种制造碳纳米管导电层以在基板上形成碳纳米管导电层的方法。 该方法包括：制造具有碳纳米管的分散液的工序; 对分散液体进行离心过滤处理的步骤; 在基板上形成通过离心过滤处理的分散液体层的工序; 在通过进行层形成步骤形成的层的表面上进行活化处理的步骤; 制备至少包含金属元素的电镀溶液的步骤; 将通过激活处理的基板浸渍在电镀液中的电镀工序的工序; 以及对基板进行热处理的后处理工序的工序。
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公开(公告)号：KR101325735B1
公开(公告)日：2013-11-08
申请号：KR1020110070916
申请日：2011-07-18
Applicant: 한국광기술원
CPC classification number: H01L2224/27013 , H01L2224/73204 , H01L2224/83192
Abstract: 본 발명은 플립칩 타입의 발광 다이오드 소자 조립체, 그의 제조용 기판 조립체 및 그의 제조 방법에 관한 것으로; 일정 이상의 높이를 가지는 댐이 형성된 기판에 하부에 범프가 형성된 플립칩 타입의 발광 다이오드 소자가 댐 안쪽에 도포되어 범프와 기판을 전기적으로 연결시키는 전도성 실리콘 수지에 의해 기판에 고정된 플립칩 타입의 발광 다이오드 소자 조립체를 제공한다. 그리하여, 열탄성이 강하고, 내성이 좋은 실리콘을 이용하면서도 본딩의 형태가 흐트러지지 않고 유지되기 때문에 제조된 플립칩 타입의 엘이디 소자 조립체에 대한 신뢰성을 확보할 수 있으며, 수명을 연장시킬 수 있다는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR101211108B1
公开(公告)日：2012-12-11
申请号：KR1020110056824
申请日：2011-06-13
Applicant: 한국광기술원
CPC classification number: H01L33/385 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L2933/0008
Abstract: PURPOSE: A high voltage LED and a manufacturing method thereof are provided to simplify a manufacturing process by connecting cells with a transparent electrode. CONSTITUTION: An n-GaN(gallium nitride) layer(210), an active layer(220), a p-GaN(230) layer are successively formed on an Al2O3(Aluminium oxide) substrate(100). An insulating protection layer is deposited on a light emitting structure. A transparent electrode forms an electrode on the light emitting structure. The transparent electrode is deposited on the insulating protection layer in order to serially connect a plurality of light emitting structures. An n-pad electrode and a p-pad electrode are formed on a plurality of light emitting structures which are serially connected. [Reference numerals] (100) Al_2O_3 substrate; (200) Light emitting structure; (210) N-GaN layer; (220) Active layer; (230) P-GaN layer; (300) Insulating protection layer; (400) Transparent electrode; (510) N-pad electrode; (520) P-pad electrode
Abstract translation: 目的：提供高电压LED及其制造方法，以通过将电池与透明电极连接来简化制造过程。 构成：在Al 2 O 3（氧化铝）衬底（100）上依次形成n-GaN（氮化镓）层（210），有源层（220），p-GaN（230）层。 绝缘保护层沉积在发光结构上。 透明电极在发光结构上形成电极。 透明电极沉积在绝缘保护层上以串联连接多个发光结构。 n个焊盘电极和p焊盘电极形成在串联连接的多个发光结构上。 （100）Al_2O_3基板; （200）发光结构; （210）N-GaN层; （220）有源层; （230）P-GaN层; （300）绝缘保护层; （400）透明电极; （510）N焊盘电极; （520）P焊盘电极
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公开(公告)号：KR1020100082543A
公开(公告)日：2010-07-19
申请号：KR1020090001886
申请日：2009-01-09
Applicant: 한국광기술원
Abstract: PURPOSE: A vertical light emitting diode with an electrostatic discharge protective function and a method for manufacturing the same are provided to improve an electrostatic destruction property by parallelly forming a varistor, which is composed of a dielectric layer and a transparent semiconductor resistant layer, in the vertical light emitting diode. CONSTITUTION: A first clad layer(150) doped with a first dopant, an active layer(140), a second clad layer(130) doped with a second dopant are formed on a substrate. The first clad layer is etched to form a groove. A dielectric layer(210) is formed on the sidewall of the groove. A transparent semiconductor resistant layer(220) fills the inside of the groove. A reflective layer(120) and a bonding metal(110) are stacked on the upper side of the second clad layer. A substrate and a second electrode are stacked on the bonding metal. A first electrode(170) is formed on the lower side of the first clad layer.
Abstract translation: 目的：提供一种具有静电放电保护功能的垂直发光二极管及其制造方法，用于通过并联形成由电介质层和透明半导体电阻层构成的变阻器来提高静电破坏性能 垂直发光二极管。 构成：在衬底上形成掺杂有第一掺杂剂的第一覆盖层（150），掺杂有第二掺杂剂的有源层（140），第二覆盖层（130）。 蚀刻第一包层以形成凹槽。 介电层（210）形成在槽的侧壁上。 透明半导体耐受层（220）填充槽的内部。 反射层（120）和接合金属（110）层叠在第二覆盖层的上侧。 基板和第二电极堆叠在接合金属上。 第一电极（170）形成在第一覆盖层的下侧。
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公开(公告)号：KR1020080017947A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：KR1020060079849
申请日：2006-08-23
Applicant: 한국광기술원
Abstract: A reflector electrode, a compound semiconductor light emitting device having the same and a manufacturing method thereof are provided to improve the reflectivity of light emitted from the device by forming a metal reflective layer on a transparent oxide electrode. An ohmic-contact oxide layer(16) is formed on a p-type compound semiconductor layer. A metal reflective layer(17) is formed on the oxide electrode, and comes in ohmic contact with the p-type compound semiconductor layer to reflect light. A metal reflective layer is further formed on the oxide electrode and the metal reflective layer. The metal reflective layer coming in ohmic contact with the p-type compound semiconductor layer is buried in at least one hole formed on the oxide electrode.
Abstract translation: 提供反射器电极，具有该反射器电极的化合物半导体发光器件及其制造方法，以通过在透明氧化物电极上形成金属反射层来改善从器件发射的光的反射率。 在p型化合物半导体层上形成欧姆接触氧化物层（16）。 金属反射层（17）形成在氧化物电极上，与p型化合物半导体层欧姆接触以反射光。 金属反射层还形成在氧化物电极和金属反射层上。 与p型化合物半导体层欧姆接触的金属反射层被埋在形成在氧化物电极上的至少一个孔中。
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