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公开(公告)号：KR1020100072536A
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：KR1020080130968
申请日：2008-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/12 , H04B10/291
Abstract: PURPOSE: An optical amplifier is provided to remove a multimode while being used for an existing device manufacturing method. CONSTITUTION: A passive waveguide area(341) receives an incident optical signal. An active waveguide area(342) is welded to a passive waveguide area and modulates the inputted optical signal. The passive waveguide area has at least one multimode interferometer(346).
Abstract translation: 目的：提供一种用于在现有器件制造方法中使用的多模光纤放大器。 构成：无源波导区域（341）接收入射光信号。 有源波导区域（342）焊接到无源波导区域并调制输入的光信号。 无源波导区域具有至少一个多模干涉仪（346）。
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公开(公告)号：KR100734860B1
公开(公告)日：2007-07-03
申请号：KR1020050119285
申请日：2005-12-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/26
CPC classification number: H04B10/299
Abstract: Provided is an apparatus and method for simultaneous optical wavelength conversion and optical clock signal extraction using semiconductor optical amplifiers (SOAs). The apparatus includes: a wavelength converter receiving a pump beam having input information and a probe beam having a different wavelength from the pump beam, and outputting the pump beam with an overshoot shifted to a red wavelength and an undershoot shifted to a blue wavelength due to non-linear characteristics and self-phase modulation of semiconductor optical amplifiers (SOAs) and the probe beam delivered the input information from the pump beam; an optical divider dividing output paths of the probe beam to which the input information has been delivered and the pump beam having the overshoot and the undershoot; a converted-wavelength extractor filtering the probe beam received from the optical divider; and a clock data regenerator obtaining a pseudo return-to-zero (PRZ) signal from the pump beam received from the optical divider and extracting a clock signal from the PRZ signal. The apparatus and method can simultaneously perform wavelength conversion and optical clock signal extraction on an NRZ signal using an optical method, without converting the NRZ signal into an electrical signal.
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公开(公告)号：KR100601046B1
公开(公告)日：2006-07-14
申请号：KR1020030096221
申请日：2003-12-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B10/00
CPC classification number: H04B10/299
Abstract: 광 클럭의 패턴 효과 및 시간 지터를 감소시킬 수 있는 완전광 클럭 재생 장치를 개시한다. 개시된 완전광 클럭 재생 장치는, 광 신호의 크기 및 편광 상태를 조절하는 광 신호 조절부, 상기 광 신호 조절부로부터 출력된 광 신호가 입력되어 광 클럭을 출력하는 레이저부, 및 상기 레이저부로부터 출력된 광 클럭의 위상 및 편광을 조절하여 상기 광 신호 조절부의 출력 광 신호와 함께 다시 레이저부에 상기 위상 및 편광이 조절된 광 클럭을 제공하는 광학적 재생 루프를 포함한다.
완전광, 클럭, 재생, 루프, 레이저, 주입잠금-
公开(公告)号：KR1020050064649A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：KR1020030096221
申请日：2003-12-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B10/00
CPC classification number: H04B10/299
Abstract: 광 클럭의 패턴 효과 및 시간 지터를 감소시킬 수 있는 완전광 클럭 재생 장치를 개시한다. 개시된 완전광 클럭 재생 장치는, 광 신호의 크기 및 편광 상태를 조절하는 광 신호 조절부, 상기 광 신호 조절부로부터 출력된 광 신호가 입력되어 광 클럭을 출력하는 레이저부, 및 상기 레이저부로부터 출력된 광 클럭의 위상 및 편광을 조절하여 상기 광 신호 조절부의 출력 광 신호와 함께 다시 레이저부에 상기 위상 및 편광이 조절된 광 클럭을 제공하는 광학적 재생 루프를 포함한다.
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公开(公告)号：KR100358177B1
公开(公告)日：2002-10-25
申请号：KR1019990056616
申请日：1999-12-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/02
Abstract: 본발명은파장다중(WDM ; wavelength division multiplexing) 광통신시스템에있어서파장다중/역다중(multiplexing/demultiplexing) 기능을갖는핵심소자중의하나인반사형 (reflective) 다중기/역다중기및 그제조방법에관한것이다. 본발명은격자도파로형성방법을절단이아닌포토리소그라피 (photolithography) 방법을이용함으로써절단에의한종래방법보다수율을훨씬좋게할 수있을뿐만아니라, 격자도파로끝단에증착방법을이용하여고반사박막을부착하므로정확하게위치를선정하여야하는브래그반사경또는회절격자모양의반사경을사용하는종래방법에비해서수율및 특성을크게향상시킬수 있는효과를갖는다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160047387A
公开(公告)日：2016-05-02
申请号：KR1020150127775
申请日：2015-09-09
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명의실시예에따른반도체막의성장방법은제1 반도체막상에개구부들을포함하는제1 마스크패턴을형성하는단계; 상기개구부들을통해노출된상기제1 반도체막의표면으로부터제2 반도체막을성장시켜서, 오목부및 돌출부를포함하는상기제2 반도체막을형성하는단계; 상기돌출부의상면이노출되도록상기오목부내부를제2 마스크막으로채우는단계; 상기제2 마스크막및 상기돌출부의상면을덮는제3 마스크막을형성하는단계; 상기돌출부상면상에제3 마스크패턴이잔류될수 있도록상기제2 마스크막을제거하면서상기제2 마스크막상에중첩된상기제3 마스크막의일부를제거하는단계; 및상기제3 마스크패턴에의해상기돌출부의상면이차단된상태에서, 상기오목부를통해노출된상기제2 반도체막의표면으로부터제3 반도체막을성장시키는단계를포함할수 있다.
Abstract translation: 本发明的一个实施方案提供一种能够减少裂纹和缺陷密度的半导体膜的生长方法。 根据本发明实施例的用于生长半导体膜的方法包括以下步骤：在第一半导体膜上形成具有开口部分的第一掩模图案; 通过从通过所述开口部暴露的所述第一半导体膜的表面生长所述第二半导体膜，形成具有凹部和突出部的第二半导体膜; 在露出突出部的上表面的同时用第二掩模膜填充凹部的内部; 形成覆盖所述第二掩模膜和所述突出部的上表面的第三掩模膜; 除去重叠在第二掩模膜上的第三掩模膜的一部分，同时移除第二掩模膜，以便允许第三掩模图案残留在突出部分的上表面上; 以及在突出部分的上表面被第三掩模图案阻挡的状态下，通过凹部暴露的第二半导体膜的表面生长第三半导体膜。
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公开(公告)号：KR1020150138977A
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：KR1020140066119
申请日：2014-05-30
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/0095 , H01L33/20 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L2933/0025 , H01L33/22 , H01L33/405 , H01L2933/0016 , H01L2933/0091
Abstract: 본발명은광 추출효율을높일수 있는반도체발광소자및 그의제조방법에관한것으로, 기판상에형성된버퍼층, 상기버퍼층상에형성된 n형반도체층, 상기 n형반도체층이드러나도록상기 n형반도체층의일부영역상에형성된활성층, 상기활성층상에형성된 p형반도체층, 상기 p형반도체층상에형성된투명전도성층, 상기투명전도성층의측벽으로부터상기활성층의측벽을따라형성된제1 메사면, 상기제1 메사면을따라형성된패시베이션층, 및상기패시베이션층을따라형성되어탈출광을되반사시키는금속반사막을포함함으로써탈출광을되반사시켜광 추출효율을높인다.
Abstract translation: 本发明涉及能够提高光提取效率的发光装置及其制造方法。 发光器件包括形成在衬底上的缓冲层，形成在缓冲层上的n型半导体层，形成在n型半导体层的一部分上以暴露类型半导体层的有源层，p型半导体 在所述有源层上形成的层，形成在所述p型半导体层上的透明导电层，沿着所述透明导电层的侧壁沿所述有源层的侧壁形成的第一台面表面，沿着所述第一台面表面形成的钝化层 以及沿着钝化层形成并反射逃逸光的金属反射层。 因此，通过反射逃逸光来提高光提取效率。
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公开(公告)号：KR1020150081024A
公开(公告)日：2015-07-13
申请号：KR1020140000572
申请日：2014-01-03
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/38 , H01L33/64 , H01L2933/0016
Abstract: 본발명은수직형 UV-LED 제조방법을제공한다. 상기방법은기판상에순차적으로적층된버퍼층, n-컨택층및 p-컨택층을포함하는 UV-LED 에피구조를형성하고, 기판으로부터 n-컨택층까지연장한비아홀을형성하고, 비아홀측벽에제공되고상기 n-컨택층에노출되는절연스페이스를형성하고, 그리고비아홀과 n-형컨택층과연결하는금속전극을형성하는공정을수행하는것을포함한다.
Abstract translation: 本发明提供一种制造垂直UV-LED的方法。 该方法包括形成依次层压在基板上的包括缓冲层，n接触层和p接触层的UV-LED外延结构的步骤; 形成从所述基板延伸到所述n接触层的通孔的步骤; 形成设置在所述通孔的侧壁上并暴露于所述n接触层的绝缘空间的步骤; 以及形成将通孔与n接触层连接的金属电极的工序。 因此，该方法能够提高散热性能。
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公开(公告)号：KR1020110126971A
公开(公告)日：2011-11-24
申请号：KR1020100046549
申请日：2010-05-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B10/2581 , H04B10/43
CPC classification number: H01S5/0428 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H04B10/25
Abstract: PURPOSE: A wavelength independent light source is provided to include the output characteristic in a wide operation wavelength range. CONSTITUTION: A forward upper electrode layer(112f) is arranged in order to be overlapped on an upper clad layer. A forward bias is applied to the forward upper electrode layer. A reverse upper electrode layer(112r) is separated from the forward upper electrode layer on the upper clad. The reverse upper electrode layer is arranged in order to be overlapped with the absorber.
Abstract translation: 目的：提供波长独立的光源，以在宽的工作波长范围内包括输出特性。 构成：配置正向上电极层（112f）以便重叠在上包层上。 正向偏压施加到正向上电极层。 反向上电极层（112r）与上包层上的前上电极层分离。 布置反向上电极层以与吸收体重叠。
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公开(公告)号：KR101062395B1
公开(公告)日：2011-09-06
申请号：KR1020080130968
申请日：2008-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/12 , H04B10/291
Abstract: 본 발명은 광증폭기에 관한 것이다. 본 발명의 광증폭기는, 입사된 광신호를 입력받는 수동 도파로 영역, 및 상기 수동 도파로 영역에 접합되고, 상기 입력된 광신호를 변조하는 능동 도파로 영역을 포함하되, 상기 수동 도파로 영역은 다중 모드 간섭계를 갖는 것을 특징으로 한다.
광증폭기, MMI, RSOA
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