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公开(公告)号：KR100987794B1
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：KR1020080131060
申请日：2008-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/31 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/2007 , H01L21/76251
Abstract: 본 발명은 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다. 이 방법은 제 1 및 제 2 층들, 제 1 및 제 2 층들 사이의 이온 주입층, 및 제 2 층 상에 산화 억제막을 형성하는 것 그리고 열 처리 공정을 수행하여 산화 억제막에 의해 제 2 층의 손실을 억제하며 제 1 및 제 2 층들 사이에 절연층을 형성하는 것을 포함한다.
열 처리 공정, 산화 억제막, 희생막Abstract translation: 本发明提供了一种制造半导体器件的方法。 该方法包括以下步骤：在第一和第二层上形成氧化抑制膜，在第一和第二层之间的离子注入层和第二层，并且执行热处理工艺， 并在第一和第二层之间形成绝缘层。
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公开(公告)号：KR1020100058760A
公开(公告)日：2010-06-04
申请号：KR1020080117279
申请日：2008-11-25
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/308 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0338 , G01B11/27 , G03F9/7069 , G03F9/7088 , H01L21/0337 , G03F9/708
Abstract: PURPOSE: A method of forming a semiconductor device unconstrained by optical limit and an apparatus for fabricating thereof are provided to minimize an aligning error with an accuracy of less than 1nm by implementing an aligning process using a laser beam. CONSTITUTION: An etching object film(110) is formed on a substrate(100). A hard mask film is formed on the etching object film. A first mask pattern(135) is formed on the hard mask film. A first spacer(138) is formed on a side wall of the first mask patterns. The hard mask pattern(127) is formed by etching the hard mask film. A second spacer is formed on the sidewall of the second mask patterns.
Abstract translation: 目的：提供一种形成不受光学极限约束的半导体器件的方法及其制造装置，通过实施使用激光束的对准处理来最小化精度低于1nm的对准误差。 构成：在基板（100）上形成蚀刻对象膜（110）。 在蚀刻对象膜上形成硬掩模膜。 第一掩模图案（135）形成在硬掩模膜上。 在第一掩模图案的侧壁上形成第一间隔物（138）。 通过蚀刻硬掩模膜形成硬掩模图案（127）。 在第二掩模图案的侧壁上形成第二间隔物。
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公开(公告)号：KR1020070013503A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：KR1020050067857
申请日：2005-07-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/3402 , B82Y20/00
Abstract: An intersubband transition semiconductor laser is provided to obtain a high output by entering a plurality of multiplied carriers to a laser transition level of an active area to perform a high-density based population inversion. In an intersubband transition semiconductor laser, a first cladding layer(10), an active layer, and a second cladding layer(20) are formed on an upper face of a semiconductor substrate(10). The active layer multiplies a carrier in a gain structure layer. The carrier is injected to an active area layer so as to occur a laser transition. A combination of the gain structure layer and the active area layer is laminated repeatedly.
Abstract translation: 提供跨带间跃迁半导体激光器以通过将多个乘法载波输入到有源区域的激光转换电平来获得高输出，以执行基于高密度的总体反演。 在子带间过渡半导体激光器中，在半导体衬底（10）的上表面上形成第一覆层（10），有源层和第二覆层（20）。 有源层将增益结构层中的载波相乘。 载体被注入有源区域层以发生激光转变。 增益结构层和有源区域层的组合反复层叠。
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公开(公告)号：KR100593307B1
公开(公告)日：2006-06-26
申请号：KR1020030085550
申请日：2003-11-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/12
CPC classification number: G02B6/12002 , G02B6/4203 , H01L31/0232
Abstract: 본 발명은 기판 내부에 전반사 / 무반사면을 구비하는 식각구조복합체를 형성하여 입사광과의 결합효율 및 광검출소자의 감도를 향상시킨 광결합 장치에 관한 것으로 이를 이용하면 표면 입사형 광검출기나 측면입사형 광검출기가 모두 집적가능하고 패키징의 난이도를 크게 낮출 수 있어 저비용으로 광검출기의 감도를 증가시킬 수 있도록 하는 효과가 있다.
광결합 장치, 식각구조복합체, 표면입사형 광검출기, 측면입사형 광검출기Abstract translation: 提供一种光耦合装置，其形成包括基板内的全反射面/抗反射面的蚀刻结构复合体，以提高与入射光的耦合效率和光检测器装置的响应度，由此表面照明光电检测器或边缘 - 耦合光电检测器都是可整合的，并且可以降低封装期间的难度，并且以低成本提高光电检测器的响应度。
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公开(公告)号：KR1020040057865A
公开(公告)日：2004-07-02
申请号：KR1020030020780
申请日：2003-04-02
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/10
Abstract: PURPOSE: An avalanche light detecting device having inner RF(Radio Frequency)-gain and a photo transistor are provided to increase sensitivity, and obtain a high speed characteristic and a large bandwidth characteristic by using an avalanche gain structure layer. CONSTITUTION: An avalanche light detecting device is provided with a substrate(10), a conductive type collector layer(12) on the substrate, an emitter layer(30), and a light absorption layer(26) between the emitter and collector layer. The avalanche light detecting device further includes an avalanche gain structure layer between the light absorption layer and the collector layer for generating and controlling RF-gain of high frequency band. The avalanche gain structure includes an electric charge layer(20), an electrode(22) on the electric charge layer, and an amplification layer(18).
Abstract translation: 目的：提供具有内射频（射频）增益和光电晶体管的雪崩光检测装置，以增加灵敏度，并通过使用雪崩增益结构层获得高速特性和大带宽特性。 构成：雪崩光检测装置在基板上设置有基板（10），导电型集电极层（12），发射极层（30）和发光极与集电极层之间的光吸收层（26）。 雪崩光检测装置还包括在光吸收层和收集层之间的雪崩增益结构层，用于产生和控制高频带的RF增益。 雪崩增益结构包括电荷层（20），电荷层上的电极（22）和放大层（18）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020040022307A
公开(公告)日：2004-03-12
申请号：KR1020020053450
申请日：2002-09-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/10
CPC classification number: H01L31/1105 , H01L31/02327 , H01L31/0352 , H01L31/035218 , H01L31/101
Abstract: PURPOSE: An avalanche phototransistor is provided to increase sensitivity and obtain a high saturation current characteristic by accomplishing a high gain even if a relatively low voltage is applied. CONSTITUTION: A collector layer(110), a base layer(130) and an emitter layer(190) are sequentially stacked on a semiconductor substrate(100). An emitter photoabsorption layer(170) is formed between the emitter layer and the base layer. A thin avalanche-gain layered-structure(160) is formed between the photoabsorption layer and the base layer, composed of a charge layer and a multiplication layer having a thickness of 5000 angstrom or lower. A hot electron transition layer is formed between the base layer and the collector layer. Three terminals composed of an emitter electrode(195), a base electrode(135) and a collector electrode(115) are formed to respectively apply a potential to the emitter layer, the base layer and the collector layer.
Abstract translation: 目的：提供雪崩光电晶体管，以增加灵敏度并获得高饱和电流特性，即使施加相对较低的电压也能实现高增益。 构成：在半导体衬底（100）上依次堆叠集电极层（110），基极层（130）和发射极层（190）。 发射极光吸收层（170）形成在发射极层和基极层之间。 在由电荷层和厚度为5000埃以下的倍增层构成的光吸收层和基底层之间形成薄的雪崩增益分层结构（160）。 在基极层和集电极层之间形成热电子跃迁层。 形成由发射电极（195），基极（135）和集电极（115）组成的三个端子，以分别向发射极层，基极层和集电极层施加电位。
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公开(公告)号：KR100375829B1
公开(公告)日：2003-03-15
申请号：KR1020000078261
申请日：2000-12-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/107
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L27/15 , H01L31/02165 , H01L31/035236 , H01L31/107
Abstract: There is disclosed a photodetector having two or more avalanche-gain layered structures and multi-terminals. The avalanche photodetector includes an emitter light absorption layer structure located between a collector layer and an emitter layer (top contact layer) stacked on a substrate. The photodetector further comprises multiple avalanche-gain layered structures consisting of a charge layer, a multiplication layer and a contact layer between the light absorption layer and said collector layer.
Abstract translation: 公开了一种具有两个或更多雪崩增益分层结构和多端子的光电探测器。 雪崩光电探测器包括位于堆叠在衬底上的集电极层和发射极层（顶部接触层）之间的发射极光吸收层结构。 光电探测器还包括由电荷层，倍增层和光吸收层与所述集电极层之间的接触层组成的多个雪崩增益层状结构。
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公开(公告)号：KR101796148B1
公开(公告)日：2017-11-13
申请号：KR1020100116877
申请日：2010-11-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/102 , H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/028
CPC classification number: H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 광검출소자및 이를제조하는방법을제공한다. 광검출소자는, 기판표면에형성된제1 도전패턴, 기판상에배치되고제1 도전패턴의적어도일부를노출시키는홈을포함하는절연패턴, 절연패턴의홈을매립하며절연패턴의상부면보다높은상부면을갖는광 흡수층, 광흡수층상에배치되는제2 도전패턴, 그리고, 제1 및제2 도전패턴에각각전기적으로연결되는연결단자들을포함할수 있다.
Abstract translation: 及其制造方法。 光学检测chulsoja埋设在所述第一导电图案，所述绝缘图案的绝缘图案槽设置在基板上，并且包括一个槽暴露至少形成在基板表面上的第一导电图案的一个部分和所述顶面比棉分离图案上更高 设置在光吸收层上的第二导电图案以及分别电连接到第一导电图案和第二导电图案的连接端子。
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公开(公告)号：KR101705725B1
公开(公告)日：2017-02-13
申请号：KR1020130061169
申请日：2013-05-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 본발명은반도체광검출기에서상대적으로낮은전압을인가하면서도, 높은이득을성취하여, 수신감도를증가시키고, 고속특성을가질수 있는실리콘기판기반의게르마늄반도체광검출기를제공한다. 실리콘기판상에게르마늄기반의증폭층, 즉단일게르마늄층이나게르마늄/실리콘초격자층을적용하고, 그상부에게르마늄챠지층을적용하며, 상기챠지층 상에게르마늄광 흡수층을적용하고, 상기광흡수층상의폴리실리콘제2 콘택층을적용한다. 또한여기서광흡수층은게르마늄양자점/양자선층을적용할수도있다.
Abstract translation: 本发明对半导体光电检测器施加相对较低的电压，并提供具有高增益，增加接收灵敏度和高速特性的基于硅衬底的Ge半导体光电检测器。 在硅衬底上形成Ge基放大层，即单个Ge层或Ge / Si超晶格层。 在其上形成Ge电荷层。 在电荷层上形成Ge光吸收层。 在光吸收层上形成多晶硅第二接触层。 此外，光吸收层可以形成为Ga量子点/量子线层。
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公开(公告)号：KR1020140138523A
公开(公告)日：2014-12-04
申请号：KR1020130099082
申请日：2013-08-21
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02B6/43 , G02B6/12007 , G02B6/30 , H01L33/0075
Abstract: 본 발명은 광 입출력 장치, 및 그를 구비한 광 전자 시스템을 개시한다. 상기 장치는, 벌크 실리콘 기판, 벌크 실리콘 기판의 일측 상에 단일 집적된 수직 입사형 광검출 소자, 상기 수직 입사형 광검출 소자에 인접되는 상기 벌크 실리콘 기판 상의 타측 상에 단일 집적된 수직 출력형 광원 소자를 포함한다. 수직 출력형 광원 소자는 웨이퍼 본딩에 의해 실리콘 기판 상에 결합되어 형성되는 III-V족 화합물 반도체 광원 활성층을 포함할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种光学I / O设备和包括该光学I / O设备的光学电子系统。 该器件包括：体硅衬底; 一个垂直入射型光电检测元件，集成在一块硅衬底上; 以及集成在与所述垂直入射型光检测元件相邻的所述体硅基板的另一侧上的垂直输出光源元件。 垂直输出光源元件可以包括通过晶片接合耦合到硅衬底的III-V族化学半导体光源激活层。
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