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公开(公告)号：KR1020170123567A
公开(公告)日：2017-11-08
申请号：KR1020160121574
申请日：2016-09-22
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명의실시예에따른유기발광소자의제조방법은유연기판을형성하는것, 및상기유연기판상에유기발광구조체를형성하는것을포함하되, 상기유연기판을형성하는것은, 제 1 금속막상에제 1 폴리머패턴을형성하는것, 상기제 1 폴리머패턴에의해노출된상기제 1 금속막의일부분상에제 2 금속막을형성하는것, 상기제 1 폴리머패턴및 상기제 2 금속막상에가스배리어막을형성하는것, 상기가스배리어막상에제 2 폴리머막을형성하는것 및상기제 1 금속막을제거하여제 1 폴리머패턴의일면및 제 2 금속막의일면을노출시키는것을포함할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的制造有机发光二极管的方法包括形成柔性基板并在柔性基板上形成有机发光结构， 1聚合物图案，在由第一聚合物图案暴露的第一金属膜的一部分上形成第二金属膜，在第一聚合物图案和第二金属膜上形成气体阻挡膜， 在气体阻挡膜上形成第二聚合物膜并去除第一金属膜以暴露第一聚合物图案的一面和第二金属膜的一面。
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公开(公告)号：KR101395088B1
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：KR1020100011284
申请日：2010-02-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L35/32
CPC classification number: H01L35/30
Abstract: 본 발명은 열전 어레이에 관한 것으로, 기판 상에 형성된 열 흡수부, 제1 열 방출부, 제2 열 방출부, 제1 도전형 레그 및 제2 도전형 레그를 포함하는 복수의 열전소자들이 m행 n열(m, n은 1 이상의 정수)로 배치된 구조를 갖되, 행 방향 또는 열 방향으로 이웃한 상기 열전소자들에 포함된 상기 열 흡수부는 열 흡수부끼리, 상기 이웃한 열전소자들에 포함된 상기 제1,제2 열 방출부는 열 방출부들끼리 인접하도록 배열된 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 열전 어레이에서 인접하는 각 열전소자간의 열적 간섭을 최대한 억제할 수 있으므로, 높은 열전효율을 갖는 열전 어레이를 구현할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 반도체 공정을 이용하여 열전소자의 열 흡수부, 레그 및 열 방출부를 동시에 형성할 수 있으므로, 열 흡수부, 레그 및 열 방출부를 각각 형성한 후 이를 조립하는 종래의 열전 어레이에 비해 제조비용을 감소시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020110071291A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：KR1020090127812
申请日：2009-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L35/32
Abstract: PURPOSE: A thermoelectric device a super lattice structure is provided to dry-etch the entire insulation film without forming a photo resist pattern, thereby forming upper and lower electrodes through one time lithography process. CONSTITUTION: A first insulation layer(120) and a second insulation layer(130a) are formed on a substrate(110). An n-type electrode(140n) and a p-type electrode(140p) are separated on the first insulation layer. A lower electrode(140) is formed on the second insulation layer. Super lattice structures(150n,150p) are formed on the n-type electrode and the p-type electrode respectively. A common electrode(170) is formed on the super lattice structures.
Abstract translation: 目的：提供一种超晶格结构的热电装置，用于干燥蚀刻整个绝缘膜而不形成光刻胶图案，由此通过一次光刻工艺形成上电极和下电极。 构成：在基板（110）上形成第一绝缘层（120）和第二绝缘层（130a）。 n型电极（140n）和p型电极（140p）在第一绝缘层上分离。 下电极（140）形成在第二绝缘层上。 分别在n型电极和p型电极上形成超晶格结构（150n，150p）。 公共电极（170）形成在超晶格结构上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110061751A
公开(公告)日：2011-06-10
申请号：KR1020090118257
申请日：2009-12-02
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01B1/128 , B82Y30/00 , D01D5/0007 , D01F1/10 , D01F6/76 , D01F6/96 , H01L35/14 , H01L35/26 , Y10T428/298
Abstract: PURPOSE: An organic-inorganic hybrid nanofiber for a thermoelectric device, and a manufacturing method thereof are provided to produce the nanofiber by hybridizing an organic material with the low thermal conductivity and an inorganic material with the high conductivity. CONSTITUTION: An organic-inorganic hybrid nanofiber(100) for a thermoelectric device contains an inorganic material in a nanoparticle or nano-crystalline state with the high conductivity, and an organic material(120) with the lower thermal conductivity than the inorganic material. The organic material contains the inorganic material. The inorganic material and the organic material are arranged in a composite material form to offer the thermoelectric property.
Abstract translation: 目的：提供一种用于热电装置的有机 - 无机混合纳米纤维及其制造方法，其通过与低导热性的有机材料和具有高导电性的无机材料杂交来制造纳米纤维。 构成：用于热电装置的有机 - 无机混合纳米纤维（100）包含具有高导电性的纳米颗粒或纳米晶状态的无机材料和具有比无机材料低的导热性的有机材料（120）。 有机材料含有无机材料。 无机材料和有机材料以复合材料形式布置以提供热电性质。
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公开(公告)号：KR100998887B1
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：KR1020080084534
申请日：2008-08-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 본 발명은 비휘발성 메모리 소자에 관한 것으로, 상 변화 메모리 소자의 제조 방법은, (a) 기판 상에 제 1 반응층을 형성하는 단계; (b) 상기 제 1 반응층 상부의 일부를 노출시키는 컨택 홀이 형성되도록 상기 제 1 반응층을 덮는 절연층을 형성하는 단계; (c) 상기 컨택 홀을 매립하는 제 2 반응층을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 제 1 반응층 및 상기 제 2 반응층을 이루는 물질 간의 고상 반응을 일으킴으로써 상기 제 1 반응층 및 상기 제 2 반응층 사이에 상 변화층을 생성하는 단계를 포함한다. 따라서, 낮은 전력 소모를 가지며 동작 속도가 빠른 상 변화 메모리 소자를 제공할 수 있다.
상 변화, 메모리, 비휘발성, 고상 반응, chalcogenide, germanium-antimony(GeSb)-
公开(公告)号：KR1020100118972A
公开(公告)日：2010-11-08
申请号：KR1020100102476
申请日：2010-10-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144
Abstract: PURPOSE: An electric component and a phase change memory device thereof are provided to offer a phase change electronic device with low power consumption by reducing a programmable volume. CONSTITUTION: A second reactive layer(210) is formed on a first reactive layer(208). A phase-change layer(215) is formed between a first reactive layer and a second reactive layer. The phase-change layer is formed with a solid-state reaction of a material comprising the first reactive layer and the second reactive layer. An insulation layer covers the first reactive layer in order to form a contact hole which exposes a part of the upper part of the first reactive layer.
Abstract translation: 目的：提供电气部件及其相变存储装置，通过减少可编程体积来提供具有低功耗的相变电子装置。 构成：在第一反应层（208）上形成第二反应层（210）。 在第一反应层和第二反应层之间形成相变层（215）。 相变层由包含第一反应层和第二反应层的材料的固态反应形成。 绝缘层覆盖第一反应层以形成暴露第一反应层的上部的一部分的接触孔。
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公开(公告)号：KR1020100069484A
公开(公告)日：2010-06-24
申请号：KR1020080128176
申请日：2008-12-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L45/148 , G11C13/0004 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1206 , H01L45/122 , H01L45/144 , H01L45/143
Abstract: PURPOSE: A nonvolatile programmable device including a phase change layer and a manufacturing method thereof are provided to improve and increase the speed of a repeating record operating property using a phase transition phenomenon. CONSTITUTION: A first threshold switching layer(111) is connected to a first terminal. A phase change layer(121) is connected to the first threshold switching layer. A second threshold switching layer(123) is connected to the phase change layer. A second terminal is connected to the second threshold switching layer. A third terminal is connected to one-side part of the phase change layer. A fourth terminal is connected to the other side part of the phase change layer.
Abstract translation: 目的：提供一种包括相变层的非易失性可编程装置及其制造方法，以提高并提高使用相变现象的重复记录工作特性的速度。 构成：第一阈值开关层（111）连接到第一端子。 相变层（121）连接到第一阈值切换层。 第二阈值切换层（123）连接到相变层。 第二终端连接到第二阈值切换层。 第三端子连接到相变层的一侧部分。 第四端子连接到相变层的另一侧部分。
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公开(公告)号：KR100948833B1
公开(公告)日：2010-03-22
申请号：KR1020070118530
申请日：2007-11-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
Abstract: 본 발명의 고체 전해질 메모리 소자는 기판 상에 형성된 제1 전극층과, 제1 전극층 상에 은(Ag)-안티몬(Sb)-텔레륨(Te) 합금 또는 구리--안티몬-텔레륨 합금으로 구성된 고체 전해질층과, 고체 전해질층 상에 형성된 제2 전극층을 포함하여 이루어진다. 고체 전해질층을 구성하는 은-안티몬-텔레륨 합금은 은 40-90 원자(atomic)%, 안티몬 5-30 원자(atomic)%, 텔레륨 5-30 원자(atomic)%의 조성을 갖고, 고체 전해질층을 구성하는 구리-안티몬-텔레륨 합금은 구리 40-90 원자(atomic)%, 안티몬 5-30 원자(atomic)% 및 텔레륨 5-30 원자(atomic)%의 조성을 갖는다. 고체 전해질층은 고체 전해질층을 구성하는 은 또는 구리로 이루어진 금속 이온이 포함되어 있고, 제2 전극층의 양 및 음의 인가 전압에 따라 각각 고체 전해질층 내에 금속 이온의 도움으로 인해 도전 링크가 형성되거나 소멸되어 고체 전해질층의 저항이 변화한다.
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