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    ＰＮ 다이오드를 이용한 광전 소자 및 그 광전 소자를포함한 실리콘 ＩＣ
    32.
    发明授权
    ＰＮ 다이오드를 이용한 광전 소자 및 그 광전 소자를포함한 실리콘 ＩＣ 有权
    使用包含相同光电装置的PN二极管和硅集成电路（IC）的光电装置

    公开(公告)号：KR100772538B1

    公开(公告)日：2007-11-01

    申请号：KR1020060122568

    申请日：2006-12-05

    Applicant: 한국전자통신연구원

    Inventor： 박정우 ,  김경옥 ,  임영안 ,  김현수 ,  민봉기

    IPC: H01L29/8605 ,  H01L31/09

    CPC classification number: H01L31/12 ,  H01L27/144

    Abstract: A photoelectric device using a PN diode and a silicon integrated circuit having the photoelectric device are provided to reduce a size and power consumption of the photoelectric device by decreasing a P type doping concentration to be lower than an N type doping concentration. A photoelectric device includes a substrate(110), an optical waveguide(130), and an electrode(140). The optical waveguide is formed of a PN diode on the substrate. A junction interface of the PN diode is formed in a propagation direction of light. The electrode is to apply a reverse bias voltage on the PN diode. An n-type semiconductor and a p-type semiconductor are doped to a high concentration. A doping concentration of the n-type semiconductor is higher than that of the p-type semiconductor.

    Abstract translation: 提供了使用PN二极管的光电装置和具有该光电装置的硅集成电路，以通过将P型掺杂浓度降低至低于N型掺杂浓度来减小光电装置的尺寸和功耗。 光电器件包括衬底（110），光波导（130）和电极（140）。 光波导由衬底上的PN二极管形成。 PN二极管的结界面在光的传播方向上形成。 电极将在PN二极管上施加反向偏置电压。 以高浓度掺杂n型半导体和p型半导体。 n型半导体的掺杂浓度高于p型半导体的掺杂浓度。

    다중 영역 ＤＦＢ 레이저 소자 및 그 제조방법 및테라헤르츠파 생성방법
    33.
    发明公开
    다중 영역 ＤＦＢ 레이저 소자 및 그 제조방법 및테라헤르츠파 생성방법 无效
    多部分分布式反馈激光器件及其制造方法及其生成TERAHERTZ波形的方法

    公开(公告)号：KR1020070088356A

    公开(公告)日：2007-08-29

    申请号：KR1020070017161

    申请日：2007-02-20

    Applicant: 한국전자통신연구원 ,  숭실대학교산학협력단

    Inventor： 박경현 ,  임영안 ,  고현성 ,  김동철 ,  심은덕 ,  김성복 ,  김부균 ,  김태영

    IPC: H01S5/00

    CPC classification number: H01S3/0675 ,  H01S5/0602 ,  H01S5/0656

    Abstract: A multiple section DFB(Distributed FeedBack) laser device, a manufacturing method thereof, and a method for generating tera hertz waves are provided to vary a frequency difference of two modes discharged from a multiple section DFB laser device, from a low frequency to a tera hertz frequency by varying a periodic difference of a complex-coupled diffraction grating. A multiple section DFB laser device includes an active layer(110), a first DFB section, a second DFB section, and a phase modulation section. The active layer(110) is formed on an upper part of a substrate(101). The first DFB section is formed on one region of an upper part and a lower part of the active layer(110), and has a plurality of first diffraction gratings. The second DFB section is formed to be spaced apart from the first DFB section, and has a plurality of second diffraction gratings which are formed on one region of the lower part and the upper part of the active layer(110). The phase modulation section is formed between the first DFB section and the second DFB section. The first and second DFB sections have a waveguide(102) which is formed on the substrate(101), a first SCH(Separate Confinement Hetero) layer(109a) which is formed on the waveguide(102) of the lower part of the active layer(110), and a second SCH layer(109b) which is formed on the active layer(110).

    Abstract translation: 提供多段DFB（分布式反馈）激光装置及其制造方法和用于产生多赫兹波的方法，以改变从多段DFB激光装置放出的两种模式的频率差，从低频到Tera 通过改变复耦合衍射光栅的周期性差异来产生赫兹频率。 多段DFB激光装置包括有源层（110），第一DFB部分，第二DFB部分和相位调制部分。 有源层（110）形成在基板（101）的上部。 第一DFB部分形成在有源层（110）的上部和下部的一个区域上，并且具有多个第一衍射光栅。 第二DFB部分形成为与第一DFB部分间隔开，并且具有形成在有源层（110）的下部和上部的一个区域上的多个第二衍射光栅。 相位调制部分形成在第一DFB部分和第二DFB部分之间。 第一DFB部分和第二DFB部分具有形成在基板（101）上的波导（102），形成在活动的下部的波导（102）上的第一SCH（分离限制异质）层（109a） 层（110）和形成在有源层（110）上的第二SCH层（109b）。

    3Ｒ 재생기
    34.
    发明授权
    3Ｒ 재생기 失效
    3R恢复系统

    公开(公告)号：KR100734833B1

    公开(公告)日：2007-07-03

    申请号：KR1020050078384

    申请日：2005-08-25

    Applicant: 한국전자통신연구원

    Inventor： 이대수 ,  임영안 ,  김동철 ,  박경현 ,  김성복

    IPC: H01S3/067

    CPC classification number: H04B10/299 ,  G02B6/12004

    Abstract: 3R(Retiming, Reshaping, Reamplifying) 재생기에 관한 것이다. 본 발명에 따른 재생기의 일 태양은, 자기-펄스 발진 레이저 다이오드(self-pulsating LD)와 전기 흡수성 변조기(ElectroAbsorption Modulator : EAM)가 반도체 기판에 단일집적된 것이다.

    초고주파 펄스 광원소자
    35.
    发明授权
    초고주파 펄스 광원소자 失效
    高频光脉冲源

    公开(公告)号：KR100519921B1

    公开(公告)日：2005-10-10

    申请号：KR1020020080706

    申请日：2002-12-17

    Applicant: 한국전자통신연구원

    Inventor： 김동철 ,  임영안 ,  이대수 ,  박경현 ,  김성복 ,  백용순 ,  심은덕

    IPC: H01S5/12

    CPC classification number: H01S5/06258 ,  H01S5/0657

    Abstract: 본 발명은 광 전송시스템에서 넓은 전류영역에 걸쳐 균일한 광펄스가 발생되게 하여 안정화 및 신뢰성의 향상을 도모할 수 있는 초고주파 펄스 광원소자로서, 2가지의 분포궤환형 레이저 다이오드 사이로 위상조절영역을 배치시켜 다중영역 분포궤환형 레이저 다이오드를 원 칩상 상으로 구현한 것으로서, 제1 DFB영역과 제2 DFB영역으로 전류를 인가하면서 위상조절영역의 전극으로 인가되는 전류를 조절하는 것에 의해, 발생되는 다중복합 공진 모드중에서 비슷한 임계전류를 갖는 복합 공진 모드 간에 자기 모드 잠김 현상이 발생되게 하여 안정된 수십 GHz 대의 안정된 광 펄스를 얻음에 따라 폭 넓은 전류영역에서 균일한 광펄스가 발생되도록 한 것이다.

    다영역 자기모드 잠김 반도체 레이저 다이오드
    37.
    发明公开
    다영역 자기모드 잠김 반도체 레이저 다이오드 失效
    多模自锁式半导体激光二极管

    公开(公告)号：KR1020040054073A

    公开(公告)日：2004-06-25

    申请号：KR1020020080707

    申请日：2002-12-17

    Applicant: 한국전자통신연구원

    Inventor： 박경현 ,  이대수 ,  김동철 ,  임영안 ,  김성복

    IPC: H01S5/065

    CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/06258 ,  H01S5/0657 ,  H01S5/1228 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/2222 ,  H01S5/227 ,  H01S5/34306

    Abstract: PURPOSE: A self-mode locking semiconductor laser diode at multi region is provided to control the intensity of beams and the variation of phases by using a complex-coupling DFB laser having a particular signal oscillation mode. CONSTITUTION: A multi-region self-mode locking semiconductor laser diode includes a DFB laser region and an external resonator. The DFB laser region(DFB) includes a complex-coupling diffraction grid and an active structure for controlling the intensity of oscillated laser beam in order to oscillate the laser beam of a single mode. The external resonator(EC) includes a phase control region and an amplification region. The phase control region includes a waveguide layer for controlling a phase difference of the feedback laser beam. The amplification region includes an active structure for controlling the intensity of the laser beams. The DFB laser region and the external resonator are formed on a single substrate.

    Abstract translation: 目的：提供多区域的自锁式半导体激光二极管，通过使用具有特定信号振荡模式的复耦合DFB激光器来控制光束的强度和相位的变化。 构成：多区域自锁式半导体激光二极管包括DFB激光区域和外部谐振器。 DFB激光区域（DFB）包括复耦合衍射栅格和用于控制振荡的激光束的强度以便振荡单模激光束的有源结构。 外部谐振器（EC）包括相位控制区域和放大区域。 相位控制区域包括用于控制反馈激光束的相位差的波导层。 放大区域包括用于控制激光束强度的有源结构。 DFB激光区域和外部谐振器形成在单个基板上。

    다중 분포 귀환 레이저 소자
    38.
    发明授权
    다중 분포 귀환 레이저 소자 有权

    公开(公告)号：KR101756106B1

    公开(公告)日：2017-07-11

    申请号：KR1020100125778

    申请日：2010-12-09

    Applicant: 한국전자통신연구원

    Inventor： 박경현 ,  김남제 ,  임영안 ,  한상필 ,  고현성 ,  이철욱 ,  이동훈

    IPC: H01S5/12

    Abstract: 다중분포귀환레이저소자를제공한다. 이소자는제1 분포귀환영역, 변조영역, 제2 분포귀환영역및 증폭영역을포함하는기판을포함한다. 활성층이제1 분포귀환, 변조, 제2 분포귀환및 증폭영역들의기판상에배치된다. 제1 회절격자가제1 분포귀환영역내에배치되어, 제1 분포귀환영역의활성층과커플된다. 제2 회절격자가제2 분포귀환영역내에배치되어, 제2 분포귀환영역의활성층과커플된다. 또한, 이소자는제1 회절격자에열을공급하는제1 마이크로히터및 제2 회절격자에열을공급하는제2 마이크로히터를포함한다.

    투명전도성산화물 박막의 제조 방법
    40.
    发明公开
    투명전도성산화물 박막의 제조 방법 审中-实审
    透明导电氧化物薄膜的制造方法

    公开(公告)号：KR1020170053555A

    公开(公告)日：2017-05-16

    申请号：KR1020160067550

    申请日：2016-05-31

    Applicant: 한국전자통신연구원 ,  순천대학교 산학협력단

    Inventor： 김성현 ,  이지면 ,  김동철 ,  이명래 ,  임영안

    IPC: H01B13/00 ,  H01B5/14 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  G06F3/041 ,  G02F1/1343

    CPC classification number: Y02E10/50

    Abstract: 본발명의실시예에따른투명전도성산화물박막의제조방법은, 제1 폴리머용액을준비하는단계와, 제2 폴리머용액을준비하는단계와, 상기제1 폴리머용액과상기제2 폴리머용액을혼합한제3 폴리머용액을형성하는단계와, 상기제3 폴리머용액을기판상에코팅하는단계와, 상기기판을건조시켜상기기판상에박막을형성하는단계, 및수소플라즈마처리공정을통해상기박막의표면처리를실시하는단계를포함할수 있다.

    Abstract translation: 根据本发明的一个实施方式的透明导电氧化物薄膜的制造方法包括制备聚合物溶液的第一步骤，和第二，包括以下步骤：制备聚合物溶液，其特征在于，所述第一聚合物溶液中，两种聚合物溶液的第二混合物 通过干燥步骤的薄膜的表面上，所述衬底涂覆的阶段和所述第三聚合物溶液中以形成通过的工序的基板上的第三聚合物溶液中，并在基板上形成的薄膜的氢等离子体处理步骤 并执行一个过程。

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