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公开(公告)号：KR1020140060822A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：KR1020120127615
申请日：2012-11-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78603 , H01L27/1218 , H01L27/1262 , H01L27/1266 , H01L21/76838 , H01L27/124
Abstract: A method for manufacturing a stretchable thin film transistor is disclosed. The method includes a step of forming a mold substrate, a step of forming a stretchable insulator on the mold substrate, a step of forming a flat substrate on the stretchable insulator, a step of removing the mold substrate, a step of forming discontinuous and winkled lines on the stretchable insulator, a step of forming a thin film transistor which is connected between the lines, and a step of removing the flat substrate.
Abstract translation: 公开了一种制造可拉伸薄膜晶体管的方法。 该方法包括形成模具基板的步骤，在模制基板上形成可拉伸绝缘体的步骤，在可拉伸绝缘体上形成平坦基板的步骤，去除模制基板的步骤，形成不连续和闪烁的步骤 在可拉伸绝缘体上的线，形成连接在线之间的薄膜晶体管的步骤和去除平坦基板的步骤。
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公开(公告)号：KR1020140038161A
公开(公告)日：2014-03-28
申请号：KR1020120104549
申请日：2012-09-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78603 , H01L29/41733 , H01L29/66742 , H01L29/786 , H01L29/78636 , H01L51/0036 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/0076 , H01L51/0097 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/102 , H01L27/1266 , H01L29/42384
Abstract: A thin-film transistor according to one embodiment of the present invention includes: a source electrode and a drain electrode which are buried in a first flexible substrate; a semiconductor layer which is placed on the first flexible substrate to be placed between the source and the drain electrode; a gate insulating layer which completely covers the semiconductor layer; and a gate electrode which faces the semiconductor layer on the gate insulating layer.
Abstract translation: 根据本发明的一个实施例的薄膜晶体管包括：源电极和漏电极，其被埋在第一柔性基板中; 放置在第一柔性基板上以放置在源极和漏极之间的半导体层; 完全覆盖半导体层的栅极绝缘层; 以及与栅极绝缘层上的半导体层相对的栅电极。
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公开(公告)号：KR101201891B1
公开(公告)日：2012-11-16
申请号：KR1020090026068
申请日：2009-03-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , H01L27/115
CPC classification number: H01L21/28291 , H01L29/78391 , H01L29/7869
Abstract: 본 발명은 투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터에 대한 것으로, 이 소자는투명 기판 위에 형성되어 있는 소스 및 드레인 전극, 상기 소스 및 드레인 전극 및 상기 소스 및 드레인 전극 사이의 상기 투명 기판 위에 형성되어 있는 투명 반도체 박막, 상기 투명 반도체 박막 위에 형성되어 있는 유기 강유전체 박막, 그리고 상기 유기 강유전체 박막 위에 상기 투명 반도체 박막과 정렬하여 형성되어있는 게이트 전극을 포함한다. 따라서, 투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터는 유기물 강유전체 박막과 산화물 반도체 박막을 사용하고, 상기 유기물 강유전체 박막 하부 및 상에 보조 절연막을 형성함으로써, 저온 공정이 가능하고 저렴하게 제작이 가능한 투명 비휘발성 메모리 소자를 실현할 수 있다.
투명, 비휘발성, 메모리, 유기 강유전체, 산화물 반도체-
公开(公告)号：KR101108193B1
公开(公告)日：2012-01-31
申请号：KR1020080128176
申请日：2008-12-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L45/148 , G11C13/0004 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1206 , H01L45/122 , H01L45/144
Abstract: 비휘발성 프로그래머블 소자는 제1 단자와, 제1 단자에 연결되는 제1 문턱 스위칭층과, 제1 문턱 스위칭층에 연결되는 상변화층과, 상변화층에 연결되는 제2 문턱 스위칭층과, 제2 문턱 스위칭층에 연결되는 제2 단자와, 상변화층의 일측부 및 타측부에 각각 연결되는 제3 단자 및 제4 단자를 포함하여 이루어진다.
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公开(公告)号：KR1020120006218A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：KR1020100066837
申请日：2010-07-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L21/28291 , H01L29/22 , H01L29/516 , H01L29/78391 , H01L27/11502
Abstract: PURPOSE: A non-volatile memory transistor with a dual gate structure is provided to apply operating voltage by connecting a first gate electrode and a second gate electrode, thereby improving electric field mobility characteristics. CONSTITUTION: A first gate electrode(102) is arranged on a substrate(100). A first gate insulating film(104) is arranged on the first gate electrode. Source and drain electrodes(106) are arranged on the first gate insulating film. A channel film is arranged on the first gate insulating film between the source and drain electrodes. A second gate insulating film(112A) is arranged on the channel film. A second gate electrode(118) is arranged on the second gate insulating film.
Abstract translation: 目的：提供具有双栅极结构的非易失性存储晶体管，通过连接第一栅电极和第二栅电极来施加工作电压，从而提高电场迁移率特性。 构成：第一栅电极（102）布置在基板（100）上。 第一栅极绝缘膜（104）布置在第一栅电极上。 源极和漏极（106）布置在第一栅极绝缘膜上。 沟道膜布置在源极和漏极之间的第一栅极绝缘膜上。 第二栅极绝缘膜（112A）布置在沟道膜上。 第二栅极电极（118）布置在第二栅极绝缘膜上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110124022A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：KR1020100043570
申请日：2010-05-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0009 , G11C13/0011 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/14 , H01L45/1608 , B82Y10/00
Abstract: PURPOSE: A resistive memory device and a manufacturing method thereof are provided to uniformly form the distribution of a conductivity nano particle by forming an electron channel layer by a swelling process and a thermal process. CONSTITUTION: A first electrode(5) is formed in the top of a substrate. An electron channel layer(7a) is arranged on the first electrode. The electron channel layer comprises an organic thin-flim layer(7) and a conductivity nano particle(9a). A second electrode(11) is formed on the electron channel layer. The upper side of the electron channel layer is projected to the second electrode side in the bottom side of the second electrode.
Abstract translation: 目的：提供电阻式存储器件及其制造方法，以通过膨胀工艺和热处理形成电子通道层来均匀地形成导电性纳米粒子的分布。 构成：第一电极（5）形成在衬底的顶部。 电子通道层（7a）布置在第一电极上。 电子通道层包括有机薄膜层（7）和导电性纳米颗粒（9a）。 第二电极（11）形成在电子通道层上。 电子通道层的上侧在第二电极的底侧突出到第二电极侧。
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公开(公告)号：KR101030017B1
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：KR1020080127270
申请日：2008-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 본 발명의 비휘발성 프로그래머블 스위치 소자는 반도체 기판 상에 형성된 제1 전극과, 제1 전극 상에서 제1 전극의 일부를 노출하는 콘택홀을 갖는 절연층을 포함한다. 콘택홀에는 발열 전극이 매립되어 있다. 발열 전극 상에는 상변화층이 형성되어 있다. 상변화층의 양쪽 측면에 접촉된 금속층이 형성되어 있다. 상변화층과 연결되고 금속층과는 절연된 제2 전극이 형성되어 있다. 상변화층을 중심으로 금속층의 일측부와 연결되어 제3 전극이 형성되어 있다. 상변화층을 중심으로 금속층의 타측부와 연결되어 제4 전극이 형성되어 있다.
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公开(公告)号：KR100990215B1
公开(公告)日：2010-10-29
申请号：KR1020080069493
申请日：2008-07-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/1233 , H01L45/06 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1683
Abstract: 본 발명은 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 상변화 재료층이 서로 다른 조성의 다층 구조로 형성되는 상변화 메모리 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 상변화 메모리 소자는 기판 상에 형성된 제 1 전극층; 상기 제 1 전극층 상에 형성된 발열성 전극층; 상기 발열성 전극층 상에 형성되고, 상기 발열성 전극층의 일부를 노출시키는 포어가 형성된 절연층; 상기 포어를 매립하는 형태로 형성되어 상기 발열성 전극층의 일부와 접촉하는 상변화 재료층; 및 상기 상변화 재료층의 상부에 형성된 제 2 전극층으로 구성된다. 본 발명은 메모리 동작영역으로서 뛰어난 안정성을 가지는 Ge
2 Sb
2
+
x Te
5 조성의 상변화 재료를 사용하여 메모리 동작의 안정성을 보장함과 동시에, 상기 Ge
2 Sb
2
+
x Te
5 조성의 상변화 재료의 상하부에 Ge
2 Sb
2 Te
5 조성의 상변화 재료로 구성되는 보조 영역을 배치함으로써 전극을 통한 열에너지의 누설을 방지하여 소비 전력을 감소시킬 수 있다.
상변화, 상변화 메모리, 칼코게나이드, 안티몬-
公开(公告)号：KR1020100107799A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：KR1020090026068
申请日：2009-03-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , H01L27/115
CPC classification number: H01L21/28291 , H01L29/78391 , H01L29/7869 , H01L29/6684
Abstract: PURPOSE: A transparent non-volatile memory thin film transistor and a method for manufacturing the same are provided to be perform under lower temperature by forming an auxiliary insulating film on a transparent semiconductor thin film and an organic ferroelectric thin film. CONSTITUTION: Source and drain electrodes(102) are formed on a transparent substrate(100). A transparent semiconductor thin film(104) is formed between the source and the drain electrodes. An organic ferroelectric thin film(108) is formed on the transparent semiconductor thin film. A gate electrode(116) is formed on the organic ferroelectric thin film. A first auxiliary insulating film(106) is formed on the transparent semiconductor thin film. A second auxiliary insulating film(110) is formed on the organic ferroelectric thin film.
Abstract translation: 目的：通过在透明半导体薄膜和有机铁电薄膜上形成辅助绝缘膜，提供透明非易失性存储器薄膜晶体管及其制造方法，以在较低温度下进行。 构成：源极和漏极（102）形成在透明衬底（100）上。 在源极和漏极之间形成透明半导体薄膜（104）。 在透明半导体薄膜上形成有机铁电薄膜（108）。 在有机铁电薄膜上形成栅电极（116）。 在透明半导体薄膜上形成第一辅助绝缘膜（106）。 在有机铁电薄膜上形成第二辅助绝缘膜（110）。
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公开(公告)号：KR100968889B1
公开(公告)日：2010-07-09
申请号：KR1020080047400
申请日：2008-05-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01H36/00 , B82Y10/00
Abstract: 본 발명은 상변화 물질을 이용한 비휘발성 프로그래머블 스위치 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 전극 간에 칼코게나이드 나노와이어를 형성하는 비휘발성 프로그래머블 스위치 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 비휘발성 프로그래머블 스위치 소자는 표면상에 홈이 형성된 기판; 상기 기판 상에 형성되고, 상기 홈을 기준으로 두 개의 영역으로 분리되는 제 1 전극층; 상기 제 1 전극층의 각 영역의 상부에 형성되는 제 2 전극층; 및 상기 홈의 상부에서 상기 제 1 전극층의 절단면 사이에 형성되는 칼코게나이드 나노와이어로 구성된다. 본 발명은 칼코게나이드 나노와이어로 구성되는 스위치 소자를 제공함으로써, 종래의 스위치 소자와 달리 비휘발성의 프로그래머블 스위치 소자를 제공할 수 있다.
재구성형 LSI, 프로그래머블 스위치, 상변화 메모리, 비휘발성
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