HALBLEITERBAUTEIL MIT INTEGRIERTEM SHUNT-WIDERSTAND UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG

    公开(公告)号:DE102018207308B4

    公开(公告)日:2020-07-02

    申请号:DE102018207308

    申请日:2018-05-09

    Abstract: Halbleiterbauteil, aufweisend:ein erstes Chippad (30);einen Leistungshalbleiterchip (20), der auf dem ersten Chippad (30) angeordnet ist und zumindest eine erste und eine zweite Leistungselektrode aufweist; undeinen Clip (10) mit einem zentralen Teil, der einen Shunt-Widerstand ausbildet, und einem ersten Kontaktfinger (14), der seitlich aus dem zentralen Teil herausragt, wobei der zentrale Teil mit der ersten Leistungselektrode verbunden ist, wobei ein distales Ende des ersten Kontaktfingers (14) einen ersten externen Anschluss (50, 50.3) des Halbleiterbauteils bildet,wobei der Clip (10) einen zweiten Kontaktfinger (15) des Shunt-Widerstands (220) aufweist, undwobei ein distales Ende des zweiten Kontaktfingers (15) einen zweiten externen Anschluss (50, 50.4) des Halbleiterbauteils bildet.

    34.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号:DE10129388B4

    公开(公告)日:2008-01-10

    申请号:DE10129388

    申请日:2001-06-20

    Abstract: An electronic component includes at least one semiconductor chip. The semiconductor chip is attached on a first side of a wiring board or a leadframe. The wiring board is provided with interconnect structures at least on a second side. The first side of the wiring board, with the semiconductor chip located on it, is completely enclosed by a package. The package is provided with a cooling element, which is an integral part of the package. The invention also relates to a method for producing the electronic component.

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