公开(公告)号：DE102014019927B3

公开(公告)日：2019-05-16

申请号：DE102014019927

申请日：2014-12-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRLER FRANZ ,  MAUDER ANTON ,  MEISER ANDREAS ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  WEBER HANS ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/265 ,  H01L21/316 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

Abstract: Ein Verfahren (200) zum Bilden eines Halbleiterbauelements, das Verfahren umfassend:Ausführen einer anodischen Oxidation (210) einer Oberflächenregion eines Halbleitersubstrats, um eine Oxidschicht an einer Oberfläche des Halbleitersubstrats durch Erzeugen eines anziehenden, elektrischen Feldes zwischen dem Halbleitersubstrat und einer externen Elektrode innerhalb eines Elektrolyten zu bilden, um oxidierende Ionen des Elektrolyten anzuziehen, was eine Oxidation der Oberflächenregion des Halbleitersubstrats verursacht; undStimulieren (220) der anodischen Oxidation unabhängig von dem anziehenden, elektrischen Feld,wobei das Verfahren (200) ferner das Ausführen einer maskierten Schadensimplantation von zumindest einem Teil der Oberflächenregion des Halbleitersubstrats vor der anodischen Oxidation aufweist, und/oderwobei das Stimulieren der anodischen Oxidation das Anlegen eines Magnetfeldes an die Oberfläche des Halbleitersubstrats aufweist.

公开(公告)号：DE102012216969B4

公开(公告)日：2019-04-25

申请号：DE102012216969

申请日：2012-09-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739

Abstract: Halbleiterbauelement, das aufweist:einen Halbleiterkörper (100) mit einer ersten Oberfläche (101) und einer zweiten Oberfläche (102);wenigstens eine Elektrode (21), die in wenigstens einem Graben angeordnet ist, der sich von der ersten Oberfläche (101) in den Halbleiterkörper (100) hineinerstreckt;ein Halbleitervia (4), das sich in einer vertikalen Richtung des Halbleiterkörpers (100) innerhalb des Halbleiterkörpers (100) an die zweite Oberfläche (102) erstreckt, wobei das Halbleitervia (4) elektrisch gegenüber dem Halbleiterkörper (100) durch eine Via-Isolationsschicht (5) isoliert ist; undwobei die wenigstens eine Elektrode (21) sich in einer ersten lateralen Richtung des Halbleiterkörpers (100) durch die Via-Isolationsschicht (5) erstreckt und elektrisch an das Halbleitervia (4) angeschlossen ist.

公开(公告)号：DE102017122634A1

公开(公告)日：2019-03-28

申请号：DE102017122634

申请日：2017-09-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  ESTEVE ROMAIN ,  RUPP ROLAND

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (500) enthält Graben-Gatestrukturen (150), die sich von einer ersten Oberfläche (101) in einen Halbleiterkörper (100) aus Siliziumcarbid erstrecken. Die Graben-Gatestrukturen (150) enthalten eine Gateelektrode (155) und sind entlang einer ersten horizontalen Richtung (191) voneinander beabstandet und erstrecken sich in ein Bodygebiet (120) mit einer longitudinalen Achse parallel zu der ersten horizontalen Richtung. Erste Abschnitte (pnll) erster pn-Übergänge (pnl) zwischen den Bodygebieten (120) und einer Driftstruktur (130) sind zu der ersten Oberfläche (101) geneigt und zu der ersten horizontalen Richtung (191) parallel. Sourcegebiete (110) bilden zweite pn-Übergänge (pn2) mit den Bodygebieten (120). Eine Gatelänge (lg) der Gateelektrode (155) entlang einer zweiten horizontalen Richtung (192), die zur ersten horizontalen Richtung (191) orthogonal ist, ist größer als eine Kanallänge (lc) zwischen den ersten Abschnitten (pnll) der ersten pn-Übergänge (pnl) und den zweiten pn-Übergängen (pn2).

公开(公告)号：DE102017103782A1

公开(公告)日：2018-08-23

申请号：DE102017103782

申请日：2017-02-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  RUDOLF RALF

IPC: H01L29/68 ,  H01L21/76 ,  H01L21/762 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung weist ein Halbleitersubstrat von einem ersten Leitfähigkeitstyp auf. Eine erste Halbleiterschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps ist auf dem Halbleitersubstrat ausgebildet. Eine vergrabene Halbleiterschicht vom zweiten Leitfähigkeitstyp ist auf der ersten Halbleiterschicht ausgebildet. Eine zweite Halbleiterschicht vom zweiten Leitfähigkeitstyp ist auf der vergrabenen Halbleiterschicht ausgebildet. Ein Graben erstreckt sich durch jede der zweiten Halbleiterschicht, der vergrabenen Halbleiterschicht, und der ersten Halbleiterschicht in das Halbleitersubstrat. Eine isolierende Struktur kleidet Wände des Grabens aus. Zudem ist eine leitfähige Füllung im Graben, und am Boden des Grabens elektrisch mit dem Halbleitersubstrat gekoppelt.

公开(公告)号：DE102016110645A1

公开(公告)日：2017-12-14

申请号：DE102016110645

申请日：2016-06-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  HIRLER FRANZ ,  SCHLÖSSER TILL

IPC: H01L29/78

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (1) umfasst einen Transistor (10) in einem Halbleitersubstrat (100). Der Transistor (10) umfasst eine Driftzone (259) eines ersten Leitfähigkeitstyps benachbart zu einem Draingebiet (205), eine erste Feldplatte (250) und eine zweite Feldplatte (252) benachbart zu der Driftzone (259). Die zweite Feldplatte (252) ist zwischen der ersten Feldplatte (250) und dem Draingebiet (205) angeordnet. Die zweite Feldplatte ist elektrisch mit einem Kontaktbereich (263) verbunden, der in der Driftzone (259) angeordnet ist. Die Halbleitervorrichtung umfasst weiterhin einen Zwischenbereich (261) des ersten Leitfähigkeitstyps mit einer niedrigeren Dotierungskonzentration als die Driftzone (259) zwischen dem Kontaktbereich (263) und dem Draingebiet (205).

公开(公告)号：DE102016110588A1

公开(公告)日：2017-12-14

申请号：DE102016110588

申请日：2016-06-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  SCHLÖSSER TILL

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/20 ,  H01L27/06 ,  H01L29/735 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfasst ein Halbleitersubstrat (102). Das Halbleitersubstrat umfasst einen ersten Teil (110) und einen zweiten Teil (130), die sich von einer Vorderseitenoberfläche (104) zu einer Rückseitenoberfläche (106) des Halbleitersubstrats erstrecken. Eine vergrabene laterale isolierende Festkörperstruktur (112) befindet sich in dem ersten Teil des Halbleitersubstrats. Ferner umfasst das Halbleitersubstrat einen Isoliergraben (140). Der Isoliergraben erstreckt sich vertikal von der Vorderseitenoberfläche zu der vergrabenen lateralen isolierenden Festkörperstruktur. Zumindest ein Teil des Isoliergrabens befindet sich lateral zwischen dem ersten Teil des Halbleitersubstrats und dem zweiten Teil des Halbleitersubstrats. Der zweite Teil des Halbleitersubstrats umfasst nur Halbleitermaterial.

公开(公告)号：DE102011079138B4

公开(公告)日：2017-06-08

申请号：DE102011079138

申请日：2011-07-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  ZUNDEL MARKUS ,  KADOW CHRISTOPH

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739

Abstract: Vertikales Transistorbauelement, das aufweist: einen Halbleiterkörper (100) mit einer ersten Oberfläche (101) und einer zweiten Oberfläche (102); ein Driftgebiet (13); wenigstens ein Sourcegebiet (11) und wenigstens ein Bodygebiet (12), die zwischen dem Driftgebiet (13) und der ersten Oberfläche (101) angeordnet sind, wobei das Bodygebiet (12) zwischen dem Sourcegebiet (11) und dem Driftgebiet (13) angeordnet ist; wenigstens eine Gateelektrode (15), die benachbart zu dem Bodygebiet (12) angeordnet ist, und ein Gatedielektrikum (16), das zwischen der Gateelektrode (15) und dem wenigstens einen Bodygebiet (12) angeordnet ist; ein Draingebiet (14), das zwischen dem Driftgebiet (13) und der zweiten Oberfläche (102) angeordnet ist; eine Sourceelektrode (41), die das wenigstens eine Sourcegebiet (11) elektrisch kontaktiert und die elektrisch gegenüber der Gateelektrode (15) isoliert ist und oberhalb der ersten Oberfläche (101) angeordnet ist; eine Drainelektrode (42), die das Draingebiet (14) elektrisch kontaktiert und die auf der zweiten Oberfläche (102) angeordnet ist; wenigstens eine Gateverbindungselektrode (21), die elektrisch gegenüber dem Halbleiterkörper (100) isoliert ist, die sich in dem Halbleiterkörper (100) benachbart zu dem Driftgebiet (13) und dem Draingebiet (14) zu der zweiten Oberfläche (102) erstreckt und die elektrisch an die wenigstens eine Gateelektrode (15) angeschlossen ist.

公开(公告)号：DE102015105679A1

公开(公告)日：2016-10-20

申请号：DE102015105679

申请日：2015-04-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  SCHLÖSSER TILL

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst einen Transistor in einem Halbleiterkörper mit einer ersten Hauptoberfläche (110) und einer zweiten Hauptoberfläche (120), wobei die erste Hauptoberfläche (110) entgegengesetzt zu der zweiten Hauptoberfläche (120) ist. Der Transistor umfasst einen Sourcebereich (201) an der ersten Hauptoberfläche (110), einen Drainbereich (205), einen Bodybereich (220), eine Driftzone (260) und eine Gateelektrode (210) an dem Bodybereich (220). Der Bodybereich (220) und die Driftzone (260) sind längs einer ersten Richtung zwischen dem Sourcebereich (201) und dem Drainbereich (205) angeordnet, wobei die erste Richtung parallel zu der ersten Hauptoberfläche (110) ist. Die Gateelektrode (210) ist in Trenches angeordnet, die sich in der ersten Richtung erstrecken. Der Transistor umfasst weiterhin eine isolierende Schicht benachbart zu der zweiten Hauptoberfläche (120) des Bodybereiches (220). Der Sourcebereich (201) erstreckt sich vertikal zu der zweiten Hauptoberfläche.

公开(公告)号：DE102014106695B4

公开(公告)日：2016-10-20

申请号：DE102014106695

申请日：2014-05-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  THIELE STEFFEN

IPC: H01L23/62 ,  G01K7/01 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Leistungstransistor mit einem Halbleiterkörper (10), der Folgendes aufweist: – eine Unterseite (12), sowie eine Oberseite (11), die in einer vertikalen Richtung (v) von der Unterseite (12) beabstandet ist; – eine Vielzahl von Transistorzellen (30); – eine Source-Zone (13) von einem ersten Leitungstyp (n); – eine Body-Zone (14) von einem zum ersten Leitungstyp (n) komplementären zweiten Leitungstyp (p); – eine Drift-Zone (15) vom ersten Leitungstyp (n); – eine Drain-Zone (16); und – eine Temperatursensordiode (50), die einen zwischen einer n-dotierten Kathodenzone (15', 16') und einer p-dotierten Anodenzone (14') ausgebildeten pn-Übergang (18) aufweist; einen auf der Oberseite (11) angeordneten Drain-Anschlusskontakt (21); einen auf der Unterseite (12) angeordneten Source-Anschlusskontakt (22); einen Gate-Anschlusskontakt (23); und einen Temperaturmessanschlusskontakt (24), der auf der Oberseite (11) angeordnet und gegenüber dem Drain-Anschlusskontakt (21) dielektrisch isoliert ist; wobei entweder (I) der erste Leitungstyp 'n' und der zweite Leitungstyp 'p' ist, die Anodenzone (14') elektrisch an den Source-Anschlusskontakt (22) angeschlossen ist, und die Kathodenzone (15', 16') elektrisch an den Temperaturmessanschlusskontakt (24) angeschlossen ist; oder (II) der erste Leitungstyp 'p' und der zweite Leitungstyp 'n' ist, die Kathodenzone (15‘, 16‘) elektrisch an den Source-Anschlusskontakt (22) angeschlossen ist, und die Anodenzone (14‘) elektrisch an den Temperaturmessanschlusskontakt (24) angeschlossen ist.

公开(公告)号：DE102016104189A1

公开(公告)日：2016-09-15

申请号：DE102016104189

申请日：2016-03-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KÖPP KAROLINE ,  MEISER ANDREAS ,  SCHLÖSSER TILL

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (1) weist einen Transistor (5) in einem Halbleitersubstrat (100) mit einer ersten Hauptoberfläche (110) auf. Der Transistor (5) weist ein Sourcegebiet (201), ein Draingebiet (205), ein Kanalgebiet (220), eine Driftzone (260) und eine zu mindestens zwei Seiten des Kanalgebiets (220) benachbarte Gateelektrode (210) auf. Die Gateelektrode (210) ist in Gategräben (213), welche sich in einer ersten Richtung parallel zu der ersten Hauptoberfläche (110) erstrecken, angeordnet. Die Gateelektrode (210) ist mit einem Gateanschluss (273) elektrisch gekoppelt. Das Kanalgebiet (220) und die Driftzone (260) sind entlang der ersten Richtung zwischen dem Sourcegebiet (201) und dem Draingebiet (205) angeordnet. Die Halbleitervorrichtung (1) weist ferner eine leitende und von der Gateelektrode (210) isolierte Schicht (270) unterhalb der Gateelektrode (210) auf. Die leitende Schicht (270) ist mit dem Gateanschluss (273) elektrisch verbunden.