公开(公告)号：AU2003298535A8

公开(公告)日：2004-05-04

申请号：AU2003298535

申请日：2003-08-01

Applicant: INTEL CORP

Inventor： TRAN QUAN ,  GINSBURG EYAL ,  RAO VALLURI ,  WANG LI-PENG ,  TALALYEVSKY ALEXANDER ,  MA QING ,  BAR-SADEH EYAL ,  HECK JOHN

IPC: H03H9/24 ,  H03H3/02 ,  H03H9/56 ,  H03H9/205

Abstract: A film bulk acoustic resonator filter (10) may be formed with a plurality of interconnected series and shunt film bulk acoustic resonators (38) formed on the same membrane (35). Each of the film bulk acoustic resonators (38) may be formed from a common lower conductive layer which is defined to form the bottom electrode (32) of each film bulk acoustic resonator (38). A common top conductive layer may be defined to form each top electrode (36) of each film bulk acoustic resonator (38). A common piezoelectric film layer (34), that may or may not be patterned, forms a continuous or discontinuous film.

公开(公告)号：AU2003265874A1

公开(公告)日：2004-03-19

申请号：AU2003265874

申请日：2003-08-28

Applicant: INTEL CORP

Inventor： MA QING ,  RAVI KRAMADHATI ,  RAO VALLURI

IPC: H01H11/00 ,  H01H1/04 ,  H01H59/00 ,  H01P1/12

Abstract: A switch structure having multiple contact surfaces that may contact each other. One or more of the contact surfaces may be coated with a resilient material such as diamond.

公开(公告)号：AU2003217346A1

公开(公告)日：2003-10-13

申请号：AU2003217346

申请日：2003-02-05

Applicant: INTEL CORP

Inventor： HECK JOHN ,  BERRY MICHELE ,  WONG DANIEL ,  RAO VALLURI

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/00 ,  H01L23/31

Abstract: A packaged microelectromechanical system may be formed in a hermetic cavity by forming the system on a semiconductor structure and covering the system with a thermally decomposing film. That film may then be covered by a sealing cover. Subsequently, the thermally decomposing material may be decomposed, forming a cavity, which can then be sealed to hermetically enclose the system.

公开(公告)号：DE102013114594B4

公开(公告)日：2022-03-17

申请号：DE102013114594

申请日：2013-12-20

Applicant: INTEL CORP

Inventor： TELESPHOR KAMGAING ,  RAO VALLURI ,  DEGANI OFIR

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/02 ,  H01L23/58

Abstract: Verfahren zum Ausbilden einer Paketstruktur (100; 131; 132), das Folgendes umfasst:Bereitstellen eines elektronischen Bauelements (118) mit einer aktiven Seite (120) und einer gegenüberliegenden Rückseite;Bereitstellen eines Paketsubstrats (126) auf der aktiven Seite (120) des Bauelements (118);Bilden einer diskreten Antenne (102) auf der Rückseite des Bauelements (118), wobei die diskrete Antenne (102) ein Antennensubstrat (104) umfasst;Bilden einer Antennensubstrat-Durchkontaktierung (108) durch das Antennensubstrat (104), wobei die Antennensubstrat-Durchkontaktierung (108) vertikal durch das Antennensubstrat (104) angeordnet ist,Koppeln der Antennensubstrat-Durchkontaktierung (108) mit einer Substrat-Durchkontaktierung (116), die vertikal innerhalb des Bauelements (118) angeordnet ist, undelektrisches Koppeln des Bauelements (118) mit dem Paketsubstrat (126),wobei die Antennensubstrat-Durchkontaktierung (108) mit der Substrat-Durchkontaktierung (116) durch eine leitende Struktur oder Metall-Metall-Bindung gekoppelt ist,wobei das Verfahren ferner das Bilden eines Erdantennenkontakts (111) auf einem unteren Abschnitt der diskreten Antenne (102) umfasst,wobei der Erdantennenkontakt (111) mit einer Erdungssubstrat-Durchkontaktierung (117) elektrisch gekoppelt ist, die vertikal innerhalb des Bauelements (118) angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102013114594A1

公开(公告)日：2014-06-26

申请号：DE102013114594

申请日：2013-12-20

Applicant: INTEL CORP

Inventor： TELESPHOR KAMGAING ,  RAO VALLURI ,  DEGANI OFIR

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/02 ,  H01L23/58

Abstract: Es werden Verfahren zum Bilden einer mikroelektronischen Paketstruktur und dadurch zugehörige gebildete Strukturen beschrieben. Diese Strukturen und Verfahren können das Bilden einer Paketstruktur enthalten, umfassend eine diskrete Antenne, die auf einer Rückseite eines Bauelements angeordnet ist, wobei die diskrete Antenne ein Antennensubstrat, eine Antennensubstrat-Durchkontaktierung umfasst, die vertikal durch das Antennensubstrat angeordnet ist. Eine Bauelementsubstrat-Durchkontaktierung, die vertikal innerhalb des Bauelements angeordnet ist, ist mit der Antennensubstrat-Durchkontaktierung verbunden, und ein Paketsubstrat ist mit einer aktiven Seite des Bauelements verbunden.

公开(公告)号：AT553380T

公开(公告)日：2012-04-15

申请号：AT04815440

申请日：2004-12-24

Applicant: INTEL CORP

Inventor： RAO VALLURI ,  MA QING ,  YAMAKAWA MINEO ,  BERLIN ANDREW ,  WANG LI-PENG ,  ZHANG YUEGANG

IPC: G01N33/543 ,  G01N29/02 ,  G01N29/036 ,  G01N29/34

公开(公告)号：MY138825A

公开(公告)日：2009-07-31

申请号：MYPI20030639

申请日：2003-02-25

Applicant: INTEL CORP

Inventor： HECK JOHN ,  BERRY MICHELE ,  WONG DANIEL ,  RAO VALLURI

IPC: B81B7/00 ,  B81B3/00 ,  H01L23/31

Abstract: A PACKAGED MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM (18) MAY BE FORMED IN A HERMETIC CAVITY (22) BY FORMING THE SYSTEM (18) ON A SEMICONDUCTOR STRUCTURE (12) AND COVERING THE SYSTEM WITH A THERMALLY DECOMPOSING FILM (25). THAT FILM (25) MAY THEN BE COVERED BY A SEALING COVER (20). SUBSEQUENTLY, THE THERMALLY DECOMPOSING MATERIAL (25) MAY BE DECOMPOSED, FORMING A CAVITY (22), WHICH CAN THEN BE SEALED TO HERMETICALLY ENCLOSE THE SYSTEM (18).

公开(公告)号：DE60323405D1

公开(公告)日：2008-10-16

申请号：DE60323405

申请日：2003-08-28

Applicant: INTEL CORP

Inventor： MA QING ,  RAVI KRAMADHATI ,  RAO VALLURI

IPC: H01H11/00 ,  H01H59/00 ,  H01H1/04 ,  H01P1/12

Abstract: A switch structure having multiple contact surfaces that may contact each other. One or more of the contact surfaces may be coated with a resilient material such as diamond.

公开(公告)号：MY122887A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：MYPI20022146

申请日：2002-06-10

Applicant: INTEL CORP

Inventor： MA QING ,  CHENG PENG ,  RAO VALLURI

IPC: H01F5/00 ,  H01F17/00 ,  H01F21/12 ,  H01H59/00

Abstract: A TUNABLE INDUCTOR IS DISCLOSED. THE TUNABLE INDUCTOR COMPRISES A HELICAL (70) OR SPIRAL (92) INDUCTOR FORMED ON A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE (146) HAVING AN INPUT AND AN OUTPUT. THE HELICAL INDUCTOR (70) HAS A FULL LENGTH THAT PROVIDES A FULL INDUCTANCE. ALSO, A FULL INDUCTANCE SWITCH IS DISPOSED BETWEEN THE OUTPUT AND THE FULL LENGTH OF THE HELICAL INDUCTOR. FINALLY, AT LEAST ONE MICROELECTROMECHANICAL (MEMS) SWITCH (146) IS DISPOSED BETWEEN THE OUTPUT AND AN INTERMEDIATE LOCATION OF THE HELICAL INDUCTOR. FIG. 28

公开(公告)号：GB2392329B

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：GB0318456

申请日：2003-08-06

Applicant: INTEL CORP

Inventor： WANG LI-PENG ,  BAR-SADEH EYAL ,  RAO VALLURI ,  HECK JOHN ,  MA QING ,  TRAN QUAN ,  TALALYEVSKY ALEXANDER ,  GINSBURG EYAL

IPC: H03H9/24 ,  H03H3/02 ,  H03H9/56 ,  H03H9/17 ,  H03H9/58

Abstract: A film bulk acoustic resonator filter (10) may be formed with a plurality of interconnected series and shunt film bulk acoustic resonators (38) formed on the same membrane (35). Each of the film bulk acoustic resonators (38) may be formed from a common lower conductive layer which is defined to form the bottom electrode (32) of each film bulk acoustic resonator (38). A common top conductive layer may be defined to form each top electrode (36) of each film bulk acoustic resonator (38). A common piezoelectric film layer (34), that may or may not be patterned, forms a continuous or discontinuous film.