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    Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
    31.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip 未知

    公开(公告)号：DE102015121554A1

    公开(公告)日：2017-06-14

    申请号：DE102015121554

    申请日：2015-12-10

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： AVRAMESCU ADRIAN STEFAN ,  LUGAUER HANS-JÜRGEN ,  VARGHESE TANSEN ,  SCHIMPKE TILMAN

    IPC: H01L33/20 ,  H01L21/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42

    Abstract: In einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von LEDs eingerichtet und umfasst die Schritte: A) Bereitstellen einer Aufwachsfläche (20), B) Wachsen einer Vielzahl von Halbleitersäulen (3) auf der Aufwachsfläche (20), wobei die Halbleitersäulen (3) quer zur Aufwachsfläche (20) orientierte Seitenflächen (32) und der Aufwachsfläche (20) abgewandte Oberseiten (33) aufweisen, C) Wachsen von Halbleiterumhüllungen (4) an den Halbleitersäulen (3), sodass die Halbleiterumhüllungen (4) die Seitenflächen (32) überwachsen, als Pyramiden geformt und eineindeutig den Halbleitersäulen (3) zugeordnet werden, D) Wachsen einer zur Strahlungserzeugung eingerichteten aktiven Zone (5) und einer dotierten Halbleiterschicht (6) auf die Halbleiterumhüllungen (4), sodass die aktive Zone (5) und die dotierte Halbleiterschicht (6) eine Oberseite (40) der Halbleiterumhüllungen (4) nachbilden, und E) Aufbringen einer lichtdurchlässigen Elektrodenschicht (7) auf die dotierte Halbleiterschicht (6).

    Halbleiterlaser mit verbesserter Stromführung
    32.
    发明专利
    Halbleiterlaser mit verbesserter Stromführung 未知

    公开(公告)号：DE102012220911A1

    公开(公告)日：2014-05-15

    申请号：DE102012220911

    申请日：2012-11-15

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： WURM TERESA ,  EICHLER CHRISTOPH ,  GERHARD SVEN ,  BRÜDERL GEORG ,  AVRAMESCU ADRIAN STEFAN ,  STRAUSS UWE

    IPC: H01S5/22

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers und einen Halbleiterlaser (1) mit einer Schichtstruktur mit aufeinander angeordneten Schichten mit wenigstens folgender Schichtenfolge: a. Eine n-dotierte Mantelschicht (10), b. Eine dritte Wellenleiterschicht (11), c. Eine aktive Zone (6), in der Licht erzeugende Strukturen angeordnet sind, d. Eine zweite Wellenleiterschicht (13), e. Eine Blockierschicht (14), f. Eine erste Wellenleiterschicht (15), g. Eine p-dotierte Mantelschicht (16), wobei die erste, zweite und dritte Wellenleiterschicht (15, 13, 11) wenigstens AlxInyGa(1-x-y)N aufweist, wobei x Werte zwischen 0 und 1 annehmen kann, wobei y Werte zwischen 0 und 1 annehmen kann, wobei eine Summe aus x und y Werte zwischen 0 und 1 annehmen kann, wobei die Blockierschicht (14) einen Al-Gehalt aufweist, der um wenigstens 2% größer ist als der Al-Gehalt der benachbarten ersten Wellenleiterschicht (15), wobei die Blockierschicht (14) eine Zunahme von Al-Gehalt von der ersten Wellenleiterschicht (15) in Richtung zur zweiten Wellenleiterschicht (13) aufweist, wobei die Schichtstruktur eine beidseitige Abstufung (9) aufweist, wobei die beidseitige Abstufung (9) auf der Höhe der Blockierschicht (14) angeordnet ist, so dass wenigstens ein Teil der Blockierschicht (14) oder die gesamte Blockierschicht (14) eine größere Breite als die erste Wellenleiterschicht (15) aufweist. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung des Halbleiterlasers.

    OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
    35.
    发明申请
    OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP 审中-公开
    光电子半导体芯片

    公开(公告)号：WO2011104274A3

    公开(公告)日：2011-12-01

    申请号：PCT/EP2011052681

    申请日：2011-02-23

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  EICHLER CHRISTOPH ,  LERMER TERESA ,  AVRAMESCU ADRIAN STEFAN

    Inventor： EICHLER CHRISTOPH ,  LERMER TERESA ,  AVRAMESCU ADRIAN STEFAN

    IPC: H01S5/343 ,  H01S5/20

    CPC classification number: H01S5/2018 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0655 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2027 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/18

    Abstract: In at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor chip (1) the same comprises a substrate (2) and a semiconductor layer sequence (3) which is epitaxially grown on the substrate (2). The semiconductor layer sequence (3) is based on a nitride compound semiconductor material and includes at least one active zone (4) for generating electromagnetic radiation and at least one waveguide layer (5) which adjoins the active zone (4) indirectly or directly, thereby forming a waveguide (45). The semiconductor layer sequence (4) further comprises a p-cladding (6p) adjoining the waveguide layer (4) on a p-doped side or/and an n-cladding (6n) on an n-doped side of the active zone (4). The waveguide layer (5) adjoins the cladding (6n, 6p) indirectly or directly. An effective refractive index (neff) of a mode (M) passing through the waveguide is higher than a refractive index of the substrate (2).

    Abstract translation: 在载体（2）的光电子半导体芯片（1）的至少一个实施例，并且所述载体（2）上生长的半导体层序列（3）。 半导体层序列（3）基于氮化物的化合物半导体材料，并且包括至少一个有源区（4），用于产生电磁辐射和至少一个波导层（5），其直接或间接地邻接所述有源区（4），其中一个波导（ 45）形成。 此外，半导体层序列（3）包括一个以上的掺杂p侧和/或n覆层（6 N）的波导层（4）接壤p覆层（6P）在有源区（4）的n型掺杂侧上。 波导层（5）间接或直接毗邻包层（6N，6P）上。 在波导（M）引导的模式的有效折射率（夫）在这种情况下比所述载体（2）的折射率更大。

    LIGHT-EMITTING STRUCTURE
    36.
    发明申请
    LIGHT-EMITTING STRUCTURE 审中-公开
    发光结构

    公开(公告)号：WO2009033448A9

    公开(公告)日：2010-02-25

    申请号：PCT/DE2008001426

    申请日：2008-08-25

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  AVRAMESCU ADRIAN STEFAN ,  LUGAUER HANS-JUERGEN ,  PETER MATTHIAS ,  MILLER STEPHAN

    Inventor： AVRAMESCU ADRIAN STEFAN ,  LUGAUER HANS-JUERGEN ,  PETER MATTHIAS ,  MILLER STEPHAN

    IPC: H01L33/00 ,  H01L33/08

    CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/06

    Abstract: The invention relates to a light-emitting structure (7) which comprises a p-doped region (1) for injecting wholes, an n-doped region (2) for injecting electrons, at least one InGaN quantum well (4) of a first type and at least one InGaN quantum well (5) of a second type, which are arranged between the n-doped region (2) and the p-doped region (1), the InGaN quantum well (5) of the second type having a higher indium content than the InGaN quantum well (4) of the first type.

    Abstract translation: 这是孔，一个n掺杂区的注入设置有p掺杂区（1）的发光结构（7）（2）的电子的注入，至少一个InGaN量子阱（4）的第一类型的，并且至少一个 InGaN量子阱（5）的第二类型，其被设置在所述n型掺杂的区域（2）和p掺杂区（1）之间，其中所述InGaN量子阱（5）的第二类型具有更高的铟含量比的InGaN -Quantentopf（4）所述第一类型的。

    LIGHT-EMITTING STRUCTURE
    37.
    发明申请
    LIGHT-EMITTING STRUCTURE 审中-公开
    发光结构

    公开(公告)号：WO2009033448A2

    公开(公告)日：2009-03-19

    申请号：PCT/DE2008001426

    申请日：2008-08-25

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  AVRAMESCU ADRIAN STEFAN ,  LUGAUER HANS-JUERGEN ,  PETER MATTHIAS ,  MILLER STEPHAN

    Inventor： AVRAMESCU ADRIAN STEFAN ,  LUGAUER HANS-JUERGEN ,  PETER MATTHIAS ,  MILLER STEPHAN

    IPC: H01L33/08

    CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/06

    Abstract: The invention relates to a light-emitting structure (7) which comprises a p-doped region (1) for injecting wholes, an n-doped region (2) for injecting electrons, at least one InGaN quantum well (4) of a first type and at least one InGaN quantum well (5) of a second type, which are arranged between the n-doped region (2) and the p-doped region (1), the InGaN quantum well (5) of the second type having a higher indium content than the InGaN quantum well (4) of the first type.

    Abstract translation: 这是孔，一个n掺杂区的注入设置有p掺杂区（1）的发光结构（7）（2）的电子的注入，至少一个InGaN量子阱（4）的第一类型的，并且至少一个 InGaN量子阱（5）的第二类型，其被设置在所述n型掺杂的区域（2）和p掺杂区（1）之间，其中所述InGaN量子阱（5）的第二类型具有更高的铟含量比的InGaN -Quantentopf（4）所述第一类型的。

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