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    Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
    2.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip 未知

    公开(公告)号：DE102015121554A1

    公开(公告)日：2017-06-14

    申请号：DE102015121554

    申请日：2015-12-10

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： AVRAMESCU ADRIAN STEFAN ,  LUGAUER HANS-JÜRGEN ,  VARGHESE TANSEN ,  SCHIMPKE TILMAN

    IPC: H01L33/20 ,  H01L21/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42

    Abstract: In einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von LEDs eingerichtet und umfasst die Schritte: A) Bereitstellen einer Aufwachsfläche (20), B) Wachsen einer Vielzahl von Halbleitersäulen (3) auf der Aufwachsfläche (20), wobei die Halbleitersäulen (3) quer zur Aufwachsfläche (20) orientierte Seitenflächen (32) und der Aufwachsfläche (20) abgewandte Oberseiten (33) aufweisen, C) Wachsen von Halbleiterumhüllungen (4) an den Halbleitersäulen (3), sodass die Halbleiterumhüllungen (4) die Seitenflächen (32) überwachsen, als Pyramiden geformt und eineindeutig den Halbleitersäulen (3) zugeordnet werden, D) Wachsen einer zur Strahlungserzeugung eingerichteten aktiven Zone (5) und einer dotierten Halbleiterschicht (6) auf die Halbleiterumhüllungen (4), sodass die aktive Zone (5) und die dotierte Halbleiterschicht (6) eine Oberseite (40) der Halbleiterumhüllungen (4) nachbilden, und E) Aufbringen einer lichtdurchlässigen Elektrodenschicht (7) auf die dotierte Halbleiterschicht (6).

    BAUTEIL, BAUTEILVERBUND UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUTEILS ODER BAUTEILVERBUNDS
    4.
    发明专利
    BAUTEIL, BAUTEILVERBUND UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUTEILS ODER BAUTEILVERBUNDS 未知

    公开(公告)号：DE102018110344A1

    公开(公告)日：2019-10-31

    申请号：DE102018110344

    申请日：2018-04-30

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HARTMANN RAINER ,  VIERHEILIG CLEMENS ,  MEYER TOBIAS ,  RÜCKERL ANDREAS ,  SCHIMPKE TILMAN ,  BINDER MICHAEL

    IPC: H01L33/02 ,  H01L21/205

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Bauteilen (10) oder eines Bauteilverbunds (100) aus einer Mehrzahl von optoelektronischen Bauteilen angegeben, bei dem ein Aufwachsubstrat (1) mit einer darauf angeordneten Pufferschicht (3) bereitgestellt wird. Die Pufferschicht wird derart strukturiert, dass diese eine Mehrzahl von Öffnungen (30) aufweist, die in lateralen Richtungen voneinander räumlich beabstandet sind. Es wird eine Mehrzahl von Halbleiterkörpern in den Öffnungen ausgebildet, wobei die Pufferschicht in den Bereichen der Öffnungen Teilregionen (31) aufweist, die in einer vertikalen Richtung zwischen dem Aufwachssubstrat und den Halbleiterkörpern angeordnet sind. Das Aufwachssubstrat wird von den Halbleiterkörpern abgelöst. Die Pufferschicht wird zumindest in den Bereichen der Teilregionen entfernt. Des Weiteren wird ein Bauteil oder ein Bauteilverbund aus einer Mehrzahl von Bauteilen angegeben, wobei das Bauteil oder der Bauteilverbund durch ein solches Verfahren herstellbar ist.

    Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode und Leuchtdiode
    7.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode und Leuchtdiode 未知

    公开(公告)号：DE102014116205B4

    公开(公告)日：2022-09-01

    申请号：DE102014116205

    申请日：2014-11-06

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SCHOLZ DOMINIK ,  MANDL MARTIN ,  STRASSBURG MARTIN ,  SCHIMPKE TILMAN

    IPC: H01L33/22 ,  H01L33/40 ,  H01L33/50

    Abstract: Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode (10) mit den Schritten- Bereitstellen eines Substrats (1) mit einer darauf angeordneten lichtemittierenden Halbleiterschichtenfolge (2),- Aufbringen einer Mehrzahl von dreidimensionalen Strukturelementen (3) auf eine Oberfläche (2a) der lichtemittierenden Halbleiterschichtenfolge (2), wobei die Oberfläche (2a) als eine Abstrahlfläche der Halbleiterschichtenfolge (2) ausgebildet ist, wobei für das Aufbringen der Strukturelemente (3) die folgende Methode verwendet wird:- Bereitstellen eines weiteren Substrats (1a), wobei auf dem weiteren Substrat (1a) eine Maske (4) angeordnet wird, wobei die Maske (4) strukturiert wird, so dass die Maske (4) nach der Strukturierung Öffnungen (4a) aufweist, wobei die dreidimensionalen Strukturelemente (3) in den Öffnungen (4a) dreidimensional gewachsen werden, wobei die dreidimensional gewachsenen Strukturelemente (3) vom weiteren Substrat (1a) abgelöst werden, wobei die vom weiteren Substrat (1a) abgelösten Strukturelemente (3) zur Bildung einer Suspension in eine Flüssigkeit (5) eingebracht werden und mit der Flüssigkeit (5) auf die Oberfläche der Halbleiterschichtenfolge (2) und/oder der Leuchtdiode (10) aufgebracht werden,- Einbringen eines Konvertermaterials (6) in die dreidimensionalen Strukturelemente (3), wobei- die Strukturelemente (3) mittels Sedimentation und/oder elektrophoretischer Deposition auf der abstrahlenden Oberfläche der Leuchtdiode (10) und/oder auf der Oberfläche (2a) der lichtemittierenden Halbleiterschichtenfolge (2) angeordnet werden,- die Flüssigkeit (5) ein Lösemittel oder Wasser ist, und- das Konvertermaterial (6) nach dem Aufbringen der Strukturelemente (3) in die Strukturelemente (3) eingebracht wird.

    Optoelektronische Anordnung mit Strahlungskonversionselement und Verfahren zur Herstellung eines Strahlungskonversionselements
    9.
    发明专利
    Optoelektronische Anordnung mit Strahlungskonversionselement und Verfahren zur Herstellung eines Strahlungskonversionselements 未知

    公开(公告)号：DE102015101216A1

    公开(公告)日：2016-07-28

    申请号：DE102015101216

    申请日：2015-01-28

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： MÖNCH WOLFGANG ,  GÖÖTZ BRITTA ,  SINGER FRANK ,  STRASSBURG MARTIN ,  SCHIMPKE TILMAN

    IPC: H01L33/50 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60

    Abstract: Es wird eine optoelektronische Anordnung (1) mit einem Halbleiterchip (2), der einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich aufweist, angegeben, wobei – dem Halbleiterchip in Abstrahlungsrichtung (21) ein Strahlungskonversionselement (3) nachgeordnet ist; – das Strahlungskonversionselement eine Mehrzahl von Konversionskörpern (4) mit jeweils einer Symmetrieachse (40) aufweist; – eine räumliche Ausrichtung der Symmetrieachsen eine Vorzugsrichtung (45) aufweist; – eine von dem Strahlungskonversionselement (3) abgestrahlte Strahlung eine Vorzugspolarisation (48) aufweist; und – die optoelektronische Anordnung ein reflektierendes Polarisationselement (5) aufweist, das dem Strahlungskonversionselement in Abstrahlungsrichtung nachgeordnet ist, wobei das reflektierende Polarisationselement Strahlung mit der Vorzugspolarisation überwiegend durchlässt, und eine senkrecht zur Vorzugspolarisation polarisierte Strahlung überwiegend reflektiert. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines Strahlungskonversionselements (3) angegeben.

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