公开(公告)号：DE102021113297A1

公开(公告)日：2022-11-24

申请号：DE102021113297

申请日：2021-05-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： NÄHLE LARS ,  KÖNIG HARALD ,  GERHARD SVEN

IPC: H01S5/20 ,  H01L33/02 ,  H01S5/0225 ,  H01S5/11 ,  H01S5/24 ,  H01S5/343

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlaserdiode mit den folgenden Schritten angegeben:- Bereitstellen eines Wachstumssubstrats (1) mit einer Aufwachsfläche (2),- Einbringen zumindest einer Struktur (10) zumindest in einen Facettenbereich (6) der Aufwachsfläche (2),- epitaktisches Aufwachsen einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (3) mit einer aktiven Zone (12), die im Betrieb elektromagnetische Strahlung erzeugt, auf der Aufwachsfläche (2), wobei- die Struktur (10) von Halbleitermaterial der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (3) überwachsen wird, so dass die aktive Zone (12) in einem nichtabsorbierenden Spiegelbereich (24) eine Bandlücke aufweist, die größer ist als im restlichen Bereich der aktiven Zone (12).Außerdem wird eine Halbleiterlaserdiode angegeben.

公开(公告)号：DE102017117136B4

公开(公告)日：2022-09-22

申请号：DE102017117136

申请日：2017-07-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BRÜCKNER JOHN ,  GERHARD SVEN

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/40

Abstract: Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Laserdioden (1) mit folgenden Verfahrensschritten:- Bereitstellen einer Mehrzahl von Laserbarren (2) im Verbund (20), wobei die Laserbarren (2) jeweils eine Mehrzahl von nebeneinander angeordneten Laserdiodenelementen (3) umfassen, und die Laserdiodenelemente (3) ein gemeinsames Substrat (4) und jeweils eine auf dem Substrat (4) angeordnete Halbleiterschichtenfolge (5), die eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Zone (6) umfasst, aufweisen, und wobei eine Zerteilung des Verbunds (20) an jeweils einer zwischen zwei benachbarten Laserbarren (2) verlaufenden Längstrennebene (y-y') zu einer Ausbildung von Laserfacetten (1C) der herzustellenden Laserdioden (1) führt,- Strukturierung des Verbunds (20) an zumindest einer Längstrennebene (y-y'), wobei im Substrat (4) ein strukturierter Bereich (8) erzeugt wird, und wobei- der strukturierte Bereich (8) eine entlang der Längstrennebene (y-y') kontinuierlich verlaufende Vertiefung (9) oder mehrere entlang der Längstrennebene (y-y') voneinander getrennte Vertiefungen (9) aufweist, wobei jeweils zwei benachbarte Vertiefungen (9) durch einen Substratbereich (4) voneinander getrennt sind, und- sich die zumindest eine Vertiefung (9) ausgehend vom Substrat (4) durch die Halbleitschichtenfolge (5) hindurch höchstens bis zur aktiven Zone (6) erstreckt, und- der strukturierte Bereich (8) eine parallel zu einer Ausrichtung der Laserbarren (2) verlaufende Haupterstreckungsrichtung (H) aufweist, wobei die Ausrichtung der Laserbarren (2) parallel zu den Längstrennebenen (y-y') verläuft.

公开(公告)号：DE102021103484A1

公开(公告)日：2022-08-18

申请号：DE102021103484

申请日：2021-02-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： NÄHLE LARS ,  GERHARD SVEN

IPC: H01S5/20 ,  H01L21/306 ,  H01S5/10 ,  H01S5/22

Abstract: Es wird Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Halbleiterlasern (1) angegeben, umfassend die Schritte:a) Bereitstellen eines Substrats (25) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) und mit einer Mehrzahl von Bauelementbereichen (10), wobei jeder Bauelementbereich mindestens einen Resonatorbereich (29) aufweist und senkrecht zum Resonatorbereich durch Vereinzelungslinien in Querrichtung (91) und parallel zum Resonatorbereich durch Vereinzelungslinien in Längsrichtung (92) begrenzt ist;b) Ausbilden von Ausnehmungen (3), die mit den Vereinzelungslinien in Querrichtung überlappen, durch ein trockenchemisches Ätzverfahren, wobei die Ausnehmungen jeweils mindestens einen Übergang (39) aufweisen, an dem in Draufsicht auf das Substrat ein erster Abschnitt (311) einer Seitenfläche (31) der Ausnehmung und ein zweiter Abschnitt (312) der Seitenfläche der Ausnehmung einen Winkel von mehr als 180° in der Ausnehmung einschließen;c) nasschemisches Ätzen der Seitenflächen (31) der Ausnehmungen zum Ausbilden von Resonatorflächen (30); undd) Vereinzeln des Substrats (25) entlang der Vereinzelungslinien in Querrichtung und in Längsrichtung.Weiterhin wird ein Halbleiterlaser (1) angegeben.

公开(公告)号：DE102018131579A1

公开(公告)日：2020-06-10

申请号：DE102018131579

申请日：2018-12-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GERHARD SVEN ,  SOMERS ANDRÉ ,  KÖNIG HARALD ,  ALI MUHAMMAD

IPC: H01L33/64 ,  H01L23/544 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauteil (1) angegeben mit:- einem optoelektronischen Halbleiterchip (2), der im Betrieb elektromagnetische Strahlung erzeugt, und- einer metallischen Schicht (3), die auf dem Halbleiterchip (2) angeordnet ist, wobei- eine Außenfläche der metallischen Schicht (4) eine Strukturierung (5) aufweist,- mittels der Strukturierung (5) eine Identifikation des Bauteils (1) ermöglicht ist, und- die metallische Schicht (3) zusammenhängend ausgebildet ist.Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils (1) angegeben.

公开(公告)号：DE102017118477A1

公开(公告)日：2019-02-14

申请号：DE102017118477

申请日：2017-08-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GERHARD SVEN ,  EICHLER CHRISTOPH ,  RUMBOLZ CHRISTIAN

IPC: H01S5/00

Abstract: Es wird eine Halbleiterlaserdiode (100) angegeben, die eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit zumindest einer aktiven Schicht (3) und einer Stegwellenleiterstruktur (9) mit einem Steg, der sich in einer longitudinalen Richtung (93) von einer Lichtauskoppelfläche (6) zu einer Rückseitenfläche (7) erstreckt und der in einer senkrecht zur longitudinalen Richtung (93) stehenden lateralen Richtung (91) durch Stegseitenflächen (11) begrenzt wird, aufweist, wobei der Steg einen ersten Bereich (910) und einen in einer senkrecht zur longitudinalen und lateralen Richtung stehenden vertikalen Richtung (92) daran angrenzenden zweiten Bereich (920) aufweist, wobei der Steg im ersten Bereich (910) ein erstes Halbleitermaterial und im zweiten Bereich (920) zumindest ein vom ersten Halbleitermaterial verschiedenes zweites Halbleitermaterial aufweist, wobei der Steg im ersten Bereich (910) eine erste Breite (919) aufweist und wobei der Steg im zweiten Bereich (920) eine zweite Breite (929) aufweist, die größer als die erste Breite (919) ist.

公开(公告)号：DE102017117136A1

公开(公告)日：2019-01-31

申请号：DE102017117136

申请日：2017-07-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BRÜCKNER JOHN ,  GERHARD SVEN

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/40

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Laserdioden (1) mit folgenden Verfahrensschritten angegeben:- Bereitstellen einer Mehrzahl von Laserbarren (2) im Verbund (20), wobei die Laserbarren (2) jeweils eine Mehrzahl von nebeneinander angeordneten Laserdiodenelementen (3) umfassen, und die Laserdiodenelemente (3) ein gemeinsames Substrat (4) und jeweils eine auf dem Substrat (4) angeordnete Halbleiterschichtenfolge (5) aufweisen, und wobei eine Zerteilung des Verbunds (20) an jeweils einer zwischen zwei benachbarten Laserbarren (2) verlaufenden Längstrennebene (y-y') zu einer Ausbildung von Laserfacetten (1C) der herzustellenden Laserdioden (1) führt,- Strukturierung des Verbunds (20) an zumindest einer Längstrennebene (y-y'), wobei im Substrat (4) ein strukturierter Bereich (8) erzeugt wird.Des Weiteren wird eine Laserdiode (1) angegeben, die mit dem Verfahren herstellbar ist.

公开(公告)号：DE112016005101A5

公开(公告)日：2018-07-19

申请号：DE112016005101

申请日：2016-11-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GERHARD SVEN ,  VIERHEILIG CLEMENS ,  LÖFFLER ANDREAS

IPC: H01S5/20 ,  H01S5/02 ,  H01S5/022 ,  H01S5/024 ,  H01S5/042 ,  H01S5/22

公开(公告)号：DE102016111442A1

公开(公告)日：2017-12-28

申请号：DE102016111442

申请日：2016-06-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： EICHLER CHRISTOPH ,  GERHARD SVEN ,  LELL ALFRED ,  STOJETZ BERNHARD

IPC: H01S5/02 ,  H01L33/50 ,  H01S5/10

Abstract: Es umfasst die Halbleiterlichtquelle (1) einen Laser (2) und einen Leuchtstoff (3). Der Laser (2) umfasst einen Halbleiterkörper (21) mit einer aktiven Zone (22) zur Erzeugung von Laserstrahlung (L). In dem Laser (2) ist ein Resonator (23) mit Resonatorspiegeln (25) und mit einer Längsachse (24) ausgebildet. Die Laserstrahlung (L) wird im Betrieb längs der Längsachse (24) geführt und verstärkt. Die aktive Zone (22) befindet sich wenigstens zum Teil in dem Resonator (23). Der Leuchtstoff (3) ist spaltfrei optisch an den Resonator (23) gekoppelt, sodass in Richtung quer zur Längsachse (24) die Laserstrahlung (L) in den Leuchtstoff (3) gelangt und in eine Sekundärstrahlung (S) mit einer größeren Wellenlänge umgewandelt wird.

公开(公告)号：DE102016111058A1

公开(公告)日：2017-12-21

申请号：DE102016111058

申请日：2016-06-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： VIERHEILIG CLEMENS ,  LÖFFLER ANDREAS ,  GERHARD SVEN

IPC: H01S5/40

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Laserdiodenbarrens (10) beschrieben, umfassend die Schritte: – Herstellen einer Vielzahl von nebeneinander angeordneten Emittern (1, 2), – Prüfen mindestens einer optischen und/oder elektrischen Eigenschaft der Emitter (1, 2), wobei Emitter (1), bei denen die optische und/oder elektrische Eigenschaft innerhalb eines vorgegebenen Sollwertbereichs liegt, einer Gruppe von ersten Emittern (1) zugeordnet werden, und Emitter (2), bei denen die mindestens eine optische und/oder elektrische Eigenschaft außerhalb des vorgegebenen Sollwertbereichs liegt, einer Gruppe von zweiten Emittern (2) zugeordnet werden, und – elektrisches Kontaktieren der ersten Emitter (1), wobei die zweiten Emitter (2) nicht elektrisch kontaktiert werden, so dass diese beim Betrieb des Laserdiodenbarrens (10) nicht mit Strom versorgt werden. Weiterhin wird ein mit dem Verfahren herstellbarer Laserdiodenbarren (10) angegeben.

公开(公告)号：DE102016108700A1

公开(公告)日：2017-11-16

申请号：DE102016108700

申请日：2016-05-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GERHARD SVEN ,  VIERHEILIG CLEMENS ,  LÖFFLER ANDREAS

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/40

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst die Laseranordnung (1) mehrere Lasergruppen (2) mit je mindestens einem Halbleiterlaser (20). Ferner beinhaltet die Laseranordnung (1) mehrere Fotothyristoren (3), sodass jeder der Lasergruppen (2) einer der Fotothyristoren (3) eindeutig zugeordnet ist. Die Fotothyristoren (3) sind jeweils mit der zugehörigen Lasergruppe (2) elektrisch in Serie geschaltet und/oder in die zugehörige Lasergruppe (2) integriert. Ferner sind die Fotothyristoren (3) je mit der zugehörigen Lasergruppe (2) optisch gekoppelt. Eine Dunkeldurchbruchspannung (Ut) der Fotothyristoren (3) liegt jeweils oberhalb einer bestimmungsgemäßen Betriebsspannung (Ub) der zugehörigen Lasergruppe (2).