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    Circuit électronique comprenant des interrupteurs RF à capacités parasites réduites
    31.
    发明专利
    Circuit électronique comprenant des interrupteurs RF à capacités parasites réduites 未知

    公开(公告)号：FR3122770A1

    公开(公告)日：2022-11-11

    申请号：FR2104781

    申请日：2021-05-06

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS ,  ST MICROELECTRONICS INT NV

    Inventor： MONFRAY STEPHANE ,  DHAR SIDDHARTHA ,  FLEURY ALAIN

    IPC: H01L29/772 ,  H01L29/02 ,  H01L29/41

    Abstract: Circuit électronique comprenant des interrupteurs RF à capacités parasites réduites La présente description concerne un circuit électronique (40) comprenant un substrat semiconducteur (46), des interrupteurs radiofréquence correspondant à des transistors MOS (50) comprenant des régions semiconductrices dopées (52, 54) dans le substrat, au moins deux niveaux de métallisation (M1, M2, M3) recouvrant le substrat, chaque niveau de métallisation comprenant un empilement de couches isolantes (60_1, 60_2, 60_3), des piliers conducteurs (64_1, 64_2, 64_3) surmontés de pistes métalliques (62_1, 62_2, 62_3), au moins deux éléments de connexion (66, 68) connectant chacun l’une des régions semiconductrices dopées et formés par des piliers conducteurs et des pistes conductrices de chaque niveau de métallisation. Le circuit électronique comprend en outre, entre les deux éléments de connexion, une tranchée (70) traversant entièrement l’empilement de couches isolantes d’un niveau de métallisation et traversant en outre partiellement l’empilement de couches isolantes du niveau de métallisation le plus proche du substrat, et un dispositif dissipateur de chaleur (80) adapté à dissiper la chaleur hors de la tranchée. Figure pour l’abrégé : Fig. 2

    MODULATEUR DE PHASE ELECTRO-OPTIQUE
    34.
    发明专利
    MODULATEUR DE PHASE ELECTRO-OPTIQUE 未知

    公开(公告)号：FR3076916A1

    公开(公告)日：2019-07-19

    申请号：FR1850290

    申请日：2018-01-15

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

    Inventor： MONFRAY STEPHANE

    IPC: G02F1/025

    Abstract: L'invention concerne un modulateur de phase électro-optique comprenant un guide d'onde (100) comportant un empilement d'une première bande (101) en un matériau semiconducteur dopé d'un premier type de conductivité, d'une deuxième bande (103) en matériau conducteur ou en un matériau semiconducteur dopé du deuxième type de conductivité, et d'une troisième bande (105) en un matériau semiconducteur dopé du premier type de conductivité, la deuxième bande étant séparée de la première bande par une première couche d'interface (107) en un matériau diélectrique et de la troisième bande par une deuxième couche d'interface (109) en un matériau diélectrique.

    COMPOSANT ELECTRONIQUE COMPORTANT UN ENSEMBLE DE TRANSISTORS MOSFET ET PROCEDE DE FABRICATION
    37.
    发明专利
    COMPOSANT ELECTRONIQUE COMPORTANT UN ENSEMBLE DE TRANSISTORS MOSFET ET PROCEDE DE FABRICATION 未知

    公开(公告)号：FR2976401A1

    公开(公告)日：2012-12-14

    申请号：FR1154929

    申请日：2011-06-07

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

    Inventor： HUGUENIN JEAN-LUC ,  MONFRAY STEPHANE

    IPC: H01L21/336 ,  H01L29/772

    Abstract: Composant électronique comportant un ensemble de transistors à effet de champ à grille isolée, lesdits transistors (1, 2, 3) appartenant à au moins deux sous-ensembles distincts par leur tension de seuil, dans lequel chaque transistor inclut une grille possédant deux électrodes, à savoir une première électrode enfouie (14) implantée à l'intérieur du substrat où est défini le canal (10) du transistor, et une seconde électrode (20) supérieure disposée au-dessus du substrat, en regard de l'électrode (14) enfouie par rapport au canal (10), et séparée dudit canal par une couche (15) de matériau diélectrique, et dans lequel les électrodes enfouies de l'ensemble des transistors sont formées par un matériau identique, les électrodes supérieures présentant une couche (32, 33, 37) au contact du matériau diélectrique qui est formée de matériaux différents d'un sous-ensemble de transistors à l'autre.

    38.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：FR2897202B1

    公开(公告)日：2008-09-12

    申请号：FR0601137

    申请日：2006-02-08

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

    Inventor： SKOTNICKI THOMAS ,  MONFRAY STEPHANE

    IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

    Abstract: The process involves depositing a layer made of silicon-germanium, on an active zone of a silicon substrate (Si). A gate region (5) is formed above a mono-crystalline silicon layer. The silicon-germanium is etched to form a tunnel under the gate region, and a dielectric, e.g. nitride and oxide mixture, layer is filled in the tunnel. The dielectric layer is laterally etched to subsist a dielectric zone under the region. A metal, e.g. platinum and erbium, is deposited at the location of source and drain regions to fill an etched zone of the dielectric layer. An independent claim is also included for a Schottky barrier metal oxide semiconductor (SBMOS) transistor.

    Modulateur de phase
    39.
    发明专利
    Modulateur de phase 未知

    公开(公告)号：FR3100082A1

    公开(公告)日：2021-02-26

    申请号：FR1909284

    申请日：2019-08-19

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

    Inventor： CREMER SEBASTIEN ,  BOEUF FREDERIC ,  MONFRAY STEPHANE

    IPC: H01L21/70 ,  G02B6/00 ,  G02B26/06 ,  G02F1/01

    Abstract: Modulateur de phase La présente description concerne un procédé comprenant les étapes suivantes : a) former un guide d'onde (100) en un premier matériau, le guide d'onde étant configuré pour guider un signal optique ; b) former une couche (106) en un deuxième matériau conducteur électriquement et transparent à une longueur d'onde du signal optique, les étapes a) et b) étant mises en oeuvre de manière que la couche (106) en le deuxième matériau soit en contact d'au moins une des faces du guide d'onde (100), ou soit séparée de ladite au moins une des faces par une distance inférieure à la moitié, de préférence au quart, de la longueur d'onde du signal optique. La demande concerne en outre un modulateur de phase, notamment obtenu par un tel procédé. Figure pour l'abrégé : Fig. 1

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