公开(公告)号：CN107074529A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580032809.5

申请日：2015-05-29

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： B·施托伊尔 ,  J·托马斯科 ,  S·平特 ,  D·哈贝雷尔 ,  S·安布鲁斯特

IPC: B81C1/00

CPC classification number: H01L21/4803 ,  B81B1/00 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/033 ,  B81B2203/0384 ,  B81C1/00103 ,  B81C1/0042 ,  B81C2201/013

Abstract: 本发明涉及一种用于在硅衬底内构造空腔的方法，其中，硅衬底的表面相对于硅衬底的第一平面具有倾斜角，其中，第一平面为硅衬底的{111}平面，并且在硅衬底的表面上布置蚀刻掩模。蚀刻掩模具有伸进掩模开口内的第一前置结构。蚀刻掩模还具有第一蚀刻开端区域。掩模开口在第一蚀刻开端区域以外的所有其他棱边布置为基本上平行于硅衬底的{111}平面。所述方法包括在一个确定的蚀刻持续时间期间的各向异性地蚀刻硅衬底作为另一步骤。在此，朝向硅衬底的 方向的蚀刻速率小于朝向其他空间方向的蚀刻速率，并且第一前置结构从第一蚀刻开端区域出发朝向第一侧蚀方向地侧蚀。蚀刻持续时间这样确定，使得通过各向异性蚀刻在硅衬底内构造空腔，空腔在硅衬底的表面上具有开口。蚀刻持续时间这样确定，使得在经过该蚀刻持续时间之后，硅衬底的第一平面基本上露出并且构成空腔的底面。

公开(公告)号：CN107032293A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201610985268.4

申请日：2016-10-25

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： F·赖兴巴赫 ,  J·赖因穆特 ,  J·弗莱 ,  J·阿姆托尔

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81B7/0048 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81C1/00293 ,  B81C1/00325 ,  B81C2201/013 ,  B81C2203/0145 ,  B81C1/00285 ,  B81B7/0038 ,  B81B7/0058 ,  B81C1/00682

Abstract: 本发明提出一种用于制造微机械构件的方法，所述微机械构件具有衬底和与所述衬底连接并且连同所述衬底包围第一空穴的罩，其中，在所述第一空穴中存在第一压力并且包围具有第一化学组分的第一气体混合物，其中，在第一方法步骤中，在所述衬底中或在所述罩中构造连接第一空穴与所述微机械构件的周围环境的进入开口；其中，在第二方法步骤中，调节所述第一空穴中的第一压力和/或第一化学组分；其中，在第三方法步骤中，通过借助于激光器引入能量或热量到所述衬底的或所述罩的吸收部分中来封闭所述进入开口，其中，在第四方法步骤中，在所述衬底的或所述罩的背向所述第一空穴的表面中在所述进入开口的区域中构造凹槽，所述凹槽用于容纳所述衬底的或所述罩的在所述第三方法步骤中转换为液态物态的材料区域。

公开(公告)号：CN106938837A

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：CN201610903062.2

申请日：2016-10-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 程世伟 ,  翁睿均 ,  许希丞 ,  王志佑 ,  蒋季宏 ,  吴威鼎 ,  陈信宇

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/0041 ,  B81B3/0081 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/09 ,  B81C1/00293 ,  B81C2201/013 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/037 ,  B81C2203/038 ,  B81C2203/0735 ,  H01L28/20 ,  B81B7/0035 ,  B81C1/00277

Abstract: 本发明涉及微电子机械系统(MEMS)封装件及其形成方法，该MEMS封装件具有配置为通过向室中引入排气调整密封室内的压力的加热元件。在一些实施例中，MEMS封装件具有CMOS衬底，该CMOS衬底具有布置在半导体主体内的一个或多个半导体器件。MEMS结构连接至CMOS衬底并且具有微电子机械(MEMS)器件。CMOS衬底和MEMS结构形成了邻接MEMS器件的密封室。加热元件电连接至一个或多个半导体器件并且通过沿着密封室的内表面布置的排气层与密封室分隔开。在形成加热元件之后，通过操作加热元件引起排气层释放气体，可以调整密封室的压力。

公开(公告)号：CN105917193A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201480073695.4

申请日：2014-10-21

Applicant: 萨甘安全防护公司

Inventor： A·金洛伊 ,  P·恩夫罗伊

IPC: G01C19/574 ,  B81B3/00

CPC classification number: G01C19/574 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0109 ,  B81C1/00547 ,  B81C2201/013 ,  G01C19/5733 ,  G01C19/5769

Abstract: 本发明涉及一种惯性传感器，包括框架和换能器，至少两个激振体通过弹性装置被连接到该框架以便在悬挂平面中是可移动的，所述换能器保持激振体振动并确定激振体相对于彼此的相对移动，其特征在于，所述激振体具有单一形状和单一质量，并且所述激振体包括互锁部件，这样激振体在彼此内部嵌套，同时在悬挂平面中相对于其他激振体是可移动的，同时激振体具有彼此重合的重心。本发明还涉及一种用于制造这种传感器的方法。

公开(公告)号：CN104045050B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201310359584.7

申请日：2013-08-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱家骅 ,  郑钧文

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/025 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00182 ,  B81C1/00238 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/0792 ,  H01L23/10 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2224/3012 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了具有各向同性腔的MEMS集成压力传感器及其制造方法，其中该方法实施例包括提供具有氧化物层、MEMS衬底、多晶硅层的MEMS晶圆。将包括使用各向同性蚀刻形成的第一腔的载体晶圆接合至MEMS，第一腔与多晶硅层暴露的第一部分对准。图案化MEMS衬底，并且去除部分牺牲氧化层以形成第一和第二MEMS结构。将包括第二腔的帽晶圆接合至MEMS晶圆，这种接合生成包括与第一MEMS结构对准的第二腔的第一密封腔，并且第二MEMS结构设置在多晶硅层的第二部分与帽晶圆之间。去除部分帽晶圆，以使第一腔用作第一MEMS结构的环境压力的通道。

公开(公告)号：CN104370272B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201410599134.X

申请日：2014-10-30

Applicant: 无锡微奥科技有限公司

Inventor： 陈巧 ,  谢会开

IPC: B81C3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0037 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0136 ,  B81C1/00 ,  B81C1/0015 ,  B81C2201/013 ,  H01G5/16

Abstract: 本发明公开了一种MEMS自对准高低梳齿及其制造方法，属于MEMS技术领域。自对准高低梳齿包括一端固定在衬底上而另一端与活动梳齿或者固定梳齿连接的抬升结构，抬升结构在生长应力作用下产生垂直方向的位移带动其连接的活动梳齿或者固定梳齿移动。采用SOI硅片，SOI的正面单晶硅器件层即为MEMS结构的机械结构层，引入的抬升机构与梳齿对依次形成于机械结构层上，由同一步刻蚀工艺形成固定梳齿和活动梳齿，由抬升结构中的应力将固定梳齿与活动梳齿在垂直方向上产生一定位移，从而形成了自对准高低梳齿，相对于多层机构的MEMS省去了多次键合的工艺，简化了制造工艺，大大降低加工成本和加工难度，提高成品率。

公开(公告)号：CN105592940A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201480052627.X

申请日：2014-09-15

Applicant: 皇家飞利浦有限公司

Inventor： P·迪克森 ,  M·米尔德 ,  A·莱韦斯泰因

IPC: B06B1/02

CPC classification number: B06B1/0292 ,  B81B3/0021 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  H02N1/006

Abstract: 公开了一种制造电容式微加工超声换能器(CMUT)装置的方法，所述装置包括在基底(110)上的第一电极(112)以及被嵌入在电绝缘膜中的第二电极(122)，所述第一电极和所述膜由通过移除在所述第一电极与所述膜之间的牺牲材料(116)形成的腔(130)而分离开，所述方法包括形成所述第二电极上的膜部分(22)以及从所述膜部分沿所述牺牲材料侧面朝向所述基底沿延伸的另一膜部分(24)，其中，在形成所述腔之前，所述膜部分和所述另一膜部分的各自厚度超过牺牲材料的厚度。也公开了根据该方法制造的CMUT装置以及包括所述CMUT装置的设备。

公开(公告)号：CN105562237A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201510736203.1

申请日：2015-11-02

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： D·法拉利 ,  L·M·卡斯托尔迪 ,  P·菲拉里 ,  M·卡米纳蒂

IPC: B05B9/03 ,  B05C5/00 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00

CPC classification number: B41J2/1433 ,  B41J2/14129 ,  B41J2/1603 ,  B41J2/162 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1626 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1629 ,  B41J2/1632 ,  B41J2/1642 ,  B41J2/1643 ,  B05B9/03 ,  B05C5/001 ,  B81C1/00047 ,  B81C1/00349 ,  B81C1/00523 ,  B81C3/001 ,  B81C2201/0111 ,  B81C2201/013 ,  B81C2203/03

Abstract: 在此公开的实施例涉及一种具有主要为诸如硅之类的半导体的结构的微流体递送器件。特别地，用于递送流体的结构可以由多晶型硅(也称多晶硅)或者由外延硅形成。主要使用硅基材料以形成与所分配流体接触的结构的微流体递送器件得到与流体和应用的广泛集合兼容的器件。

公开(公告)号：CN102906010B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201180025550.3

申请日：2011-06-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R.T.赫林 ,  C.V.扬斯 ,  A.K.斯坦珀 ,  E.J.怀特

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  H01H59/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种形成至少一个微机电系统（MEMS）腔体（60b）的方法包括：在布线层（14）和衬底（10）上方形成第一牺牲腔体层（18）。该方法还包括在第一牺牲腔体层上方形成绝缘体层（40）。该方法还包括在绝缘体层上执行反向镶嵌回蚀刻工艺。该方法还包括平坦化绝缘体层和第一牺牲腔体层。该方法还包括将第一牺牲腔体层排放或剥离为MEMS的第一腔体（60b）的平面表面。

公开(公告)号：CN104798154A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201380060719.8

申请日：2013-09-20

Applicant: 维斯普瑞公司

Inventor： 亚瑟·S·莫里斯 ,  达娜·德雷乌斯 ,  诺里托·巴伊坦

IPC: H01G5/16

CPC classification number: H01G5/16 ,  B81B3/0008 ,  B81B3/0016 ,  B81B3/0051 ,  B81B2201/0221 ,  B81C1/00166 ,  B81C1/00476 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  H01G5/18 ,  H01G7/00

Abstract: 用于微机电系统(MEMS)可调电容器的系统，设备和方法，所述电容器包括附着到基底的固定驱动电极，附着到所述基底的固定电容电极；以及定位在所述基底上方并相对于所述固定驱动电极和所述固定电容电极移动的活动部件。所述活动部件包括：定位在所述固定驱动电极上方的可动驱动电极和定位在所述固定电容电极上方的可动电容电极。所述可动电容电极的至少一部分以第一间隙与所述固定电容电极间隔开，以及所述可动驱动电极以大于所述第一间隙的第二间隙与所述固定驱动电极间隔开。