公开(公告)号：CN107085125A

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：CN201710293169.4

申请日：2017-04-28

Applicant: 河海大学常州校区

Inventor： 蔡春华 ,  李予宸 ,  谈俊燕 ,  齐本胜 ,  华迪

IPC: G01P15/125 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: G01P15/125 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00047 ,  B81C1/00055 ,  B81C1/0038 ,  B81C1/00539 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0181

Abstract: 本发明公开了一种变间距的电容式加速度传感器及其制备方法，具体是一种基于MEMS微加工技术的变间距的电容式加速度传感器，利用惯性质量块在外加加速度的作用下与检测电极间的间隙发生改变从而引起等效电容的变化来测定加速度。该发明与集成电路工艺兼容，可以集成信号处理电路，有较高的灵敏度，受环境影响小。通过在硅衬底不同部位进行离子注入形成PN结，利用PN结的单向导电性，实现加速度传感器敏感电容结构动齿与定齿之间的衬底电隔离，防止双向导电，制作工艺简单，可以降低成本，稳定性能好。

公开(公告)号：CN103539064B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201210236844.7

申请日：2012-07-10

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 苏佳乐

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81C1/00476 ,  B81C2201/0133 ,  H01L21/30604

Abstract: 本发明提供一种微机电系统（MEMS）结构的牺牲层湿法腐蚀方法。根据所述方法，在所述牺牲层表面施加增黏剂并且通过调整所述增黏剂的量来改变牺牲层与光刻胶之间的黏附性，进而以湿法腐蚀得到所需腐蚀形貌的牺牲层。本发明还提供了用所述方法得到的MEMS结构。采用本发明所提供的方法，可以灵活地控制通过湿法腐蚀制作MEMS牺牲层时所得到的腐蚀形貌，尤其是得到直线斜坡形的腐蚀形貌，从而使MEMS结构中的后续层有良好的覆盖性。

公开(公告)号：CN102344111A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110212573.7

申请日：2011-07-26

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： M·费雷拉 ,  M·佩尔勒蒂 ,  I·瓦里斯科 ,  L·扎诺蒂

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81C1/00119 ,  B01D67/0062 ,  B01D71/02 ,  B01D2325/021 ,  B01D2325/028 ,  B01L3/502707 ,  B01L3/502753 ,  B01L2300/0681 ,  B81B2201/10 ,  B81C1/00071 ,  B81C1/00087 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0157 ,  F04B19/006

Abstract: 本发明的实施方式公开用于制造含有设置有过滤器的掩埋区域的微机械结构的方法。一种用于制造微机械结构(25)的方法构思了：在半导体材料的本体(1，12)内形成掩埋空腔(10)，该掩埋空腔通过第一表面层(12)而与所述本体的顶表面(12a)隔开；以及在掩埋空腔(10)与外部环境之间形成用于流体连通的进出管道(18a)。该方法构思了：在第一进出区域(17a)处的顶表面(12a)上形成刻蚀掩模(14)；在顶表面(12a)上以及在刻蚀掩模(14)上形成第二表面层(15)；在对应于第一进出区域的位置中执行刻蚀使得去除第二表面层(15)的部分以及下面的未被刻蚀掩模(14)覆盖的第一表面层(12)的部分，直到到达掩埋空腔，从而形成第一进出管道(18a)以及设置在第一进出管道与该掩埋空腔之间的过滤器元件(20)。

公开(公告)号：CN102143906A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN200980134864.X

申请日：2009-04-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 三由裕一 ,  山冈彻 ,  野竹秀典 ,  竹内祐介

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B2201/0257 ,  B81C2201/0133 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/097 ,  G01P15/123

Abstract: 本发明公开了一种微机电系统器件及其制造方法。微机电系统器件包括具有第一主表面及与该第一主表面相反一侧的面即第二主表面的基板(101)、形成在所述基板(101)中的通孔(110)以及覆盖所述通孔(110)而形成在所述第一主表面的上侧的振动膜(105)。所述第一主表面和所述第二主表面都是(110)晶面，所述第二主表面上的所述通孔(110)的形状实质上为菱形。

公开(公告)号：CN1863436B

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200610064816.6

申请日：2006-03-14

Applicant: 欧姆龙株式会社

Inventor： 佐野浩二 ,  政井琢

IPC: H05K3/06 ,  H05K3/00 ,  H05K1/16 ,  H05K3/22

CPC classification number: H05K7/06 ,  B81B2207/097 ,  B81C1/00301 ,  B81C1/00571 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0142 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/036 ,  H01L2924/16235 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49156

Abstract: 配线基板的制造方法、光掩模、配线基板、电路元件、通信装置和计量装置。实现一种能够可靠地将至少包括配线的一部分的表面区域的上方空间密闭的配线基板的制造方法。该方法具有：在玻璃基板(11a)上形成配线用的金属薄膜的第1步骤；使用形成有配线用图形的光掩模(20)，在金属薄膜上生成抗蚀剂图形的第2步骤；把抗蚀剂图形作为掩模，通过湿法刻蚀选择性地去除金属薄膜，形成配线的第3步骤。当把通过烧结玻璃(13)接合的配线的部位作为接合部位时，光掩模(20)的配线用图形的侧边(La/Lb/Lc/Ld)在与接合部位对应的区域弯曲。

公开(公告)号：CN101659390A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200910167481.4

申请日：2009-08-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 加藤贵久 ,  岛田康弘

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  G02B26/08

CPC classification number: B81C1/00626 ,  B81B2201/0271 ,  B81C1/00404 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0198

Abstract: 本发明涉及硅加工方法、微振荡器制造方法、光学设备和硅基片，所述硅加工方法包括：在单晶硅基片的主平面上形成掩模图案；以及向所述主平面应用晶体各向异性蚀刻，以形成包括(111)面及其等效晶面并且具有宽度W1和长度L1的结构体。主平面包括(100)面及其等效晶面、或(110)面及其等效晶面。在掩模图案中形成用于确定结构体的宽度W1的确定部。掩模图案的用于宽度W1的确定部的宽度为宽度W2。在掩模图案的长度方向上，除了确定部以外的掩模图案的宽度大于宽度W2。

公开(公告)号：CN1771191A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN03826364.5

申请日：2003-04-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 宓晓宇 ,  高马悟觉 ,  壶井修 ,  岩城匡郁 ,  奥田久雄 ,  曾根田弘光 ,  上田知史 ,  佐胁一平

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81C1/00547 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0136 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133 ,  G01P15/0802 ,  G02B26/0841

Abstract: 用于制造具有薄壁部(T1～T3)的微型结构体的方法，包含如下工序：通过对包含由第一导体层(11)以及具有与薄壁部(T1～T3)的厚度相当的厚度的第二导体层(12)构成的层叠结构的材料基板，从第一导体层(11)侧进行第一蚀刻处理，从而在第二导体层(12)中形成了在该第二导体层(12)的面内方向上具有间隔开的一对侧面并与第一导体层(11)连接的预备薄壁部(T1’～T3’)的工序；通过从第一导体层(11)侧起的第二蚀刻处理，除去在第一导体层(11)中与预备薄壁部(T1’～T3’)连接的地方并形成薄壁部的工序。

公开(公告)号：CN1215968C

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN02803671.9

申请日：2002-01-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·德蓬 ,  U·德雷克斯勒 ,  R·H·马格努森

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01L21/308 ,  C23F13/14

CPC classification number: H01L21/30604 ,  B81B2201/12 ,  B81B2203/0118 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0114 ,  B81C2201/0133 ,  C23F13/14

Abstract: 一种在制造期间保护微结构材料不受不希望的电腐蚀的方法，所述结构包括所述材料和贵金属层(8)，该方法包括在结构上形成具有的氧化还原电位比所述材料低的牺牲金属层(12)，该牺牲金属层电连接到所述贵金属层(8)。

公开(公告)号：CN1459653A

公开(公告)日：2003-12-03

申请号：CN03110142.9

申请日：2003-04-11

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 上原伸一 ,  佐藤祐子 ,  住吉研 ,  金子节夫 ,  松嶋仁

IPC: G02F1/1335 ,  G02B3/00 ,  G03F7/26

CPC classification number: G02B3/0056 ,  B81B2207/056 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0142 ,  C03C15/00 ,  C03C17/34 ,  C03C2204/08 ,  C03C2218/34 ,  G02B3/0012 ,  G02F1/133526 ,  Y10T428/131 ,  Y10T428/249969 ,  Y10T428/315

Abstract: 在用于在含有蚀刻控制成分的加工件中形成精细结构的制造方法中，使用各向同性刻蚀工艺，将具有孔口(36)的掩模加到加工件(30)上，且用蚀刻溶液蚀刻加工件，从而在加工件的表面内形成相应于孔口形状的凹槽(40)。由于在各向同性刻蚀工艺期间蚀刻控制成分从凹槽内的蚀刻溶液(38)中的加工件中洗提出来，所述加工件的蚀刻停止。

公开(公告)号：CN104955765B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201380071919.3

申请日：2013-02-01

Applicant: 韩国科学技术院

Inventor： 林声圭 ,  金暎洙 ,  金熙渊 ,  姜敏浩 ,  吴在燮 ,  李贵鲁

IPC: B81B1/00

CPC classification number: B81C1/00595 ,  B81B2203/0109 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0133

Abstract: 本发明公开一种将非晶碳薄膜利用为牺牲层的MEMS器件制造方法。根据本发明的一实施例，包括如下步骤：形成下部结构物；作为牺牲层，在所述下部结构物上形成非晶碳薄膜；在所述非晶碳薄膜上形成包括传感器结构的上部结构物；消除所述非晶碳薄膜而使所述下部结构物与所述上部结构物相互隔离地布置。