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公开(公告)号：CN105800543A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201510458907.7
申请日：2015-07-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0005 , B81B2207/015 , B81C2201/019 , B81C2201/112 , B81C2203/0785
Abstract: 本发明提供了用于微电子机械系统(MEMS)器件的衬底结构、半导体结构及其制造方法。在各个实施例中，用于MEMS器件的衬底结构包括衬底、MEMS器件和抗粘层。MEMS器件位于衬底上方。抗粘层位于MEMS器件的表面上，并且包括非晶碳、聚四氟乙烯、氧化铪、氧化钽、氧化锆或它们的组合。
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公开(公告)号：CN103325740B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201310095231.0
申请日：2013-03-22
Applicant: 精材科技股份有限公司
CPC classification number: H01L23/562 , B81C1/00269 , B81C1/00357 , B81C3/001 , B81C2201/019 , H01L21/50 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种晶圆堆栈结构及方法，该晶圆堆栈结构包括：基板、设于该基板上且其表面具有凸部的坝块、以及设于该坝块上且具有凹处的晶圆。通过该坝块表面上的凸部嵌卡至该晶圆的凹处，能避免该晶圆的凹处与该坝块之间产生气室，所以在晶圆堆栈结构进行后续封装制程时，该晶圆不致因气室存在而与坝块分离。
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公开(公告)号：CN105314590A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510455584.6
申请日：2015-07-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0021 , B06B1/02 , B81B3/007 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2203/0109 , B81B2203/0118 , B81B2203/0127 , B81B2203/051 , B81C1/00142 , B81C1/0015 , B81C1/00158 , B81C1/00373 , B81C2201/0176 , B81C2201/0181 , B81C2201/019 , H04R7/02 , H04R7/24 , H04R19/005 , H04R19/02 , H04R19/04 , H04R31/00 , H04R31/003 , H04R2201/003 , H04R2307/023 , H04R2400/01 , H04R2499/11
Abstract: 一种微机械结构，其包括衬底和布置在衬底处的功能性结构。功能性结构包括功能性区域，功能性区域配置为响应于作用在功能性区域上的力而相对于衬底偏转。功能性结构包括传导性基础层并且功能性结构包括具有布置在传导性基础层处并且仅在功能性区域处部分地覆盖传导性基础层的固化结构材料的固化结构。固化结构材料包括硅材料以及至少碳材料。
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公开(公告)号：CN104973566A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510151343.2
申请日：2015-04-01
Applicant: 亚太优势微系统股份有限公司
Inventor： 殷宏林
CPC classification number: H01L21/02255 , B81C1/00047 , B81C2201/019 , H01L21/02554 , H01L21/187 , H01L21/461 , H01L21/78 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/09 , H01L24/80 , H01L24/92 , H01L2224/0355 , H01L2224/05551 , H01L2224/05638 , H01L2224/05686 , H01L2224/08145 , H01L2224/09181 , H01L2224/80006 , H01L2224/80013 , H01L2224/80894 , H01L2224/80896 , H01L2224/92 , H01L2224/9202 , H01L2224/94 , H01L2924/01014 , H01L2924/05442 , H01L2924/00012 , H01L2224/80 , H01L2221/68381 , H01L21/306 , H01L2224/03
Abstract: 本发明提供一种具精确间隙的微机电晶圆结构及其制作方法，该制作方法包括以下步骤。首先，提供一第一晶圆，第一晶圆具有一第一表面。接着，于该第一表面的形成至少两个以上具有不同掺杂浓度或不同掺杂物的掺杂区，以使每一该掺杂区具有不同的氧化速率。再来，对第一晶圆进行热氧化，以使不同的掺杂区上形成不同厚度的氧化层。之后，提供一第二晶圆。然后，将第二晶圆与第一晶圆相结合。本发明的有益效果是可以制造出成本较低、电容间极板具精确间隙的微机电晶圆结构。
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公开(公告)号：CN104646837A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201410848774.X
申请日：2014-11-19
Applicant: 罗芬-新纳技术公司
Inventor： S·A·侯赛尼
IPC: B23K26/53 , B23K26/382 , B23K26/046
CPC classification number: B81C1/00238 , B23K26/0604 , B23K26/0624 , B23K26/0626 , B23K26/0648 , B23K26/356 , B23K26/382 , B23K26/40 , B23K2103/50 , B81C1/00634 , B81C2201/019 , B81C2203/036 , B81C2203/038 , C03B33/0222 , C03B33/04 , H01L25/043 , H01L25/0657 , H01L25/0756 , H01L25/117 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 电/机械微芯片以及使用超快激光脉冲群的制造方法。一种使用多个透明基板制造电机械芯片的方法，包括步骤：使用光声压缩在多个基板中的至少一个中加工完整或部分空隙。按照特定的顺序层叠和布置多个透明基板。将透明基板固定和密封在一起。可通过激光焊接或粘合剂来密封芯片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101960314B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN200980107567.6
申请日：2009-01-30
Applicant: 柯尼卡美能达精密光学株式会社
Inventor： 平山博士
CPC classification number: B81C1/00103 , B01L3/502707 , B01L3/502746 , B01L2200/0689 , B01L2300/0816 , B01L2300/0887 , B81B2201/058 , B81B2203/0338 , B81B2203/0384 , B81C2201/019 , Y10T156/1062 , Y10T428/24331 , Y10T428/24562
Abstract: 本发明提供一种微芯片及其制造方法，其中，使树脂薄膜不弯向流路用槽，解消液体试料的滞留，能够进行正确的分析。作为手段，微芯片是在形成了流路用槽的树脂基板的形成了所述流路用槽的面上接合树脂薄膜，由此形成流路，在所述流路的各位置上，所述流路宽度方向截面中的所述树脂薄膜的弯曲角度在0度以上30度未满。
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公开(公告)号：CN104045050A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310359584.7
申请日：2013-08-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/025 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81C1/00182 , B81C1/00238 , B81C2201/013 , B81C2201/019 , B81C2203/0118 , B81C2203/0792 , H01L23/10 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/29011 , H01L2224/29013 , H01L2224/291 , H01L2224/29124 , H01L2224/29144 , H01L2224/32145 , H01L2224/83193 , H01L2224/83805 , H01L2924/01322 , H01L2924/1461 , H01L2224/3012 , H01L2924/00012 , H01L2924/01029 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了具有各向同性腔的MEMS集成压力传感器及其制造方法，其中该方法实施例包括提供具有氧化物层、MEMS衬底、多晶硅层的MEMS晶圆。将包括使用各向同性蚀刻形成的第一腔的载体晶圆接合至MEMS，第一腔与多晶硅层暴露的第一部分对准。图案化MEMS衬底，并且去除部分牺牲氧化层以形成第一和第二MEMS结构。将包括第二腔的帽晶圆接合至MEMS晶圆，这种接合生成包括与第一MEMS结构对准的第二腔的第一密封腔，并且第二MEMS结构设置在多晶硅层的第二部分与帽晶圆之间。去除部分帽晶圆，以使第一腔用作第一MEMS结构的环境压力的通道。
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公开(公告)号：CN104040319A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201280028912.9
申请日：2012-06-12
Applicant: 康宁股份有限公司
IPC: G01N21/00
CPC classification number: B01L3/527 , B01J19/0093 , B01J2219/00813 , B01J2219/00824 , B01J2219/00831 , B01J2219/00871 , B01J2219/00873 , B01J2219/00889 , B01L3/5027 , B01L3/502707 , B01L2200/025 , B01L2200/027 , B01L2200/028 , B01L2200/0689 , B01L2300/0867 , B01L2300/0874 , B01L2300/168 , B81B2201/058 , B81C99/0095 , B81C2201/019 , Y10T137/0318 , Y10T137/8359
Abstract: 混合式微流组件的实施例包括至少一个微结构，其由透明材料形成，并且基本上不含非透明材料，并且进一步包括至少一个微结构，其由非透明材料形成，并且基本上不含透明材料。
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公开(公告)号：CN103626116A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310248896.0
申请日：2013-06-21
Applicant: 霍尼韦尔国际公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00523 , B81C1/00182 , B81C1/00619 , B81C2201/019 , B81C2201/0194
Abstract: 本发明涉及蚀刻嵌在玻璃中的牺牲特征来制造微机电系统结构的方法。在一个实施例中，提供了一种制造微机电系统结构的方法。所述方法包括：在最接近硅基板的第一表面的掺杂层中制造加工结构。所述硅基板的第一表面被结合到第一平面玻璃结构上，一个或更多个第一牺牲特征被嵌入在所述第一平面玻璃结构中。所述方法还包括：进行蚀刻从而移除硅基板的主体，其中所述主体为所述硅基板上面的第一表面的倒像，其中蚀刻移除硅基板的主体并且剩留下了结合在所述第一平面玻璃结构上的加工结构。所述方法还包括：进行蚀刻从而从所述第一平面玻璃结构上面移除一个或更多个第一牺牲特征。
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公开(公告)号：CN103221331A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201180055792.7
申请日：2011-09-18
Applicant: 快捷半导体公司
Inventor： J·布雷泽克 , 约翰·加德纳·布卢姆斯伯 , C·阿卡
CPC classification number: B81B3/0021 , B81B3/0072 , B81B7/0016 , B81B7/0051 , B81C1/00238 , B81C1/00301 , B81C2201/019 , B81C2203/0785 , H01L29/84 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/16245 , H01L2224/1703 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2924/15151 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 一个示例包括：集成电路，其包括至少一个电气互连点，所述至少一个电气互连点布置在远离所述集成电路的主体部分延伸的细长臂上；以及包括振荡部分的微机电层，所述微机电层耦合到所述集成电路的所述主体部分，其中，所述微机电层包括盖帽，所述盖帽包括延伸到所述集成电路的膜。
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