公开(公告)号：CN105914124A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201610099211.4

申请日：2016-02-23

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 立石勇介 ,  高桥和辉 ,  佐藤秀树

IPC: H01J49/10

CPC classification number: H01J49/147 ,  H01J27/024 ,  H01J27/205 ,  H01J49/067 ,  H01J49/145 ,  H01J49/10

Abstract: 公开一种电离设备。离子源(3)中，形成朝离子发射端口(311)排斥离子的排斥电场的排斥电极(32)在电离室(31)内，离子聚集电极(36)和(37)分别在电子导入端口(312)和丝(34)之间，和电子排出端口(313)和反向丝(35)之间。通过施加预定电压到离子聚集电极(36)和(37)中的各个形成的电场由电子导入端口(312)和电子排出端口(313)侵入电离室(31)，且变成离子光轴C方向上推动离子的聚集电场。偏离电离室(31)中心部分位置的离子接收排斥电场力和聚集电场力的结合力，并朝离子发射端口(311)移动，同时接近光轴C。因此，离子发射端口发送出的离子量增加。此外即使充电现象发生，离子轨迹也不太容易改变，且灵敏度稳定性可以提高。

公开(公告)号：CN104091746A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201410307986.7

申请日：2014-06-30

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司

Inventor： 王志强 ,  康峰 ,  杨波 ,  徐敬义

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/30

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/024 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0206 ,  H01J2237/065

Abstract: 本发明的实施例提供一种离子注入设备用电极和离子注入设备，涉及半导体技术领域，可增大电极的开口率，增加离子束的密度，从而提高离子注入的效率。所述离子注入设备用电极包括本体部分和透过部分；所述透过部分包括紧密规则排布的多个透过孔，且所述透过孔的形状包括圆形或者正多边形；其中，所述正多边形的边数至少为四条。用于离子注入设备的制造。

公开(公告)号：CN1868029B

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN200480030404.X

申请日：2004-10-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 乔纳索·Y·斯莫恩斯 ,  约翰·R·谢利 ,  安德鲁·斯蒂芬·德瓦涅

IPC: H01J37/317

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/024 ,  H01J37/023 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/032 ,  H01J2237/061

Abstract: 本发明提供一种用于离子注入器的动态电极安装件，其中具有限定孔(34)的电极体部分的电极插入构件(21b)插入到电极支撑架。在一个实施例中，插入构件的第一动态对准销(29a)接合电极支撑架(21a)第一沟槽状动态对准表面，以在两个垂直方向上相对于电极支撑架对准第一对准销。另外，插入构件的第二动态对准销(29b)接合电极支撑架(43)的第二动态对准表面，以在旋转方向上相对于电极支撑架对准插入构件。插入构件的多个凸缘接合电极支撑架，以在对准位置保持插入构件并将电极插入构件电耦合到电极支撑架。定位于电极插入构件(21b)和电极支撑架(21a)之间的弹簧(61a)在相对于电极支撑架的对准和保持位置偏置电极插入构件。在另一个实施例中，电极支撑架具有对准销，插入构件具有对准槽。

公开(公告)号：CN101512716B

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN200780016534.1

申请日：2007-06-12

Applicant: 山米奎普公司

Inventor： 托马斯·N·霍尔斯基 ,  罗伯特·W·米尔盖特 ,  乔治·P·萨科 ,  韦德·艾伦·克鲁尔

IPC: H01J27/00

CPC classification number: H01J37/08 ,  C23C14/48 ,  C23C14/564 ,  H01J9/38 ,  H01J27/024 ,  H01J37/3171 ,  H01J2209/017 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/0812 ,  H01J2237/083 ,  H01J2237/31701 ,  H01L21/265

Abstract: 为离子束产生系统的提取电极提供热控制，所述热控制防止沉积物的形成及不稳定操作且使得能够与从可冷凝蒸气产生的离子及能够进行冷及热操作的离子源一起使用。采用对所述提取电极的电加热以提取十硼烷或十八硼烷离子。在与热离子源一起使用期间的有效冷却可防止电极损坏，从而允许所述提取电极为导热及耐氟的铝组合物。通过使用反应性卤素气体提供对所述离子源及提取电极的原位蚀刻清洗且通过具有可延长清洗之间的工作持续时间的特征来增强所述系统的工作寿命，其中包含准确的蒸气流量控制及对离子束光学装置的准确聚焦。出于清洗所述离子源及所述提取电极中的沉积物的目的，远程等离子体源将F或Cl离子递送到断电的离子源。这些技术在运行可冷凝的馈送气体(例如升华的蒸气)时实现较长的设备正常运行时间，且尤其适用于与所谓的冷离子源及通用离子源一起使用。本文描述了当使用十硼烷及十八硼烷作为进料时以及当使用气化的砷元素及磷元素时实现较长设备正常运行时间且有助于在离子植入期间增强离子束稳定性的方法及设备。

公开(公告)号：CN101236892B

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200810008875.0

申请日：2008-01-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李道行 ,  黄盛煜 ,  申哲浩

IPC: H01L21/00 ,  C23C16/513 ,  H01J37/32 ,  H01J37/08 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/024 ,  H01J37/3053 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/24542

Abstract: 本发明公开了一种离子束设备。该离子束设备包括在等离子体腔的一端安装有栅格组件的等离子体腔和设置在等离子体腔和栅格组件之间的等离子壳层控制器。该栅格组件包括第一离子提取孔。该等离子壳层控制器包括小于第一离子提取孔的第二离子提取孔。当等离子壳层控制器在这种结构中使用时，等离子体的表面在邻近于该控制器处呈现更平坦的结构，使得以垂直于等离子体表面的方向从等离子体提取的离子干净地穿过栅格组件的孔而不与栅格组件孔的侧壁碰撞。本发明还提供了半导体制造设备和用于形成离子束的方法。

公开(公告)号：CN102007564A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200980113522.X

申请日：2009-04-23

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 丹尼尔·蒂戈尔 ,  威廉·迪韦尔吉利奥 ,  爱德华·艾斯纳 ,  迈克尔·格拉夫

IPC: H01J37/09 ,  H01J37/317 ,  H01J27/00 ,  H01J27/08

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/024 ,  H01J37/09 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0455 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/0835

Abstract: 本发明公开一种离子植入器系统，其包括一种使用于产生离子流或离子射束的一离子源。该离子源具有一离子源室壳体，其至少部分地限定一离子化区域，以用于在该室壳体中产生高密度的离子浓度。一所想要特征的离子撷取孔径覆盖一弧形室的该离子化区域。在一实施例中，一可移动离子撷取孔径板相对于该壳体移动，以用于修正一离子射束轮廓。一实施例包括一孔径板，其具有至少一延长孔径，且在至少界定不同离子射束轮廓的一第一位置与一第二位置间移动。耦接至该孔径板的一驱动器或致动器系将该孔径板在该第一位置与该第二位置间移动。一替代实施例具有两个移动板部分，其限定一可调整孔径。

公开(公告)号：CN101542675A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200880000419.X

申请日：2008-02-15

Applicant: 诺尔迪克技术服务有限公司

Inventor： 安德鲁·詹姆斯·蒂莫西·霍姆斯 ,  默文·霍华德·戴维斯

IPC: H01J37/15 ,  H01J37/04 ,  H01J37/02

CPC classification number: H01J37/305 ,  H01J27/024 ,  H01J37/20 ,  H01J2237/024 ,  H01J2237/032 ,  H01J2237/036 ,  H01J2237/038 ,  H01J2237/0458 ,  H01J2237/047 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/3142 ,  H01J2237/3151

Abstract: 一种用于使离子束加速的设备(100)，包括安装在可移动安装件(112、114)中的至少一个电极(102、104、106)。

公开(公告)号：CN101236892A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200810008875.0

申请日：2008-01-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李道行 ,  黄盛煜 ,  申哲浩

IPC: H01L21/00 ,  C23C16/513 ,  H01J37/32 ,  H01J37/08 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/024 ,  H01J37/3053 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/24542

Abstract: 本发明公开了一种离子束设备。该离子束设备包括在等离子体腔的一端安装有栅格组件的等离子体腔和设置在等离子体腔和栅格组件之间的等离子壳层控制器。该栅格组件包括第一离子提取孔。该等离子壳层控制器包括小于第一离子提取孔的第二离子提取孔。当等离子壳层控制器在这种结构中使用时，等离子体的表面在邻近于该控制器处呈现更平坦的结构，使得以垂直于等离子体表面的方向从等离子体提取的离子干净地穿过栅格组件的孔而不与栅格组件孔的侧壁碰撞。本发明还提供了半导体制造设备和用于形成离子束的方法。

公开(公告)号：CN108987225A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810529805.3

申请日：2018-05-29

Applicant: 住友重机械离子科技株式会社

Inventor： 松下浩 ,  大北义明

IPC: H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J27/024 ,  H01J37/023 ,  H01J37/05 ,  H01J37/1472

Abstract: 本发明的课题在于提供一种离子注入装置，应对由于使用具有比较高的能量的离子束而有可能产生的核反应。本发明的离子注入装置(100)具备：离子源，构成为生成包含第1非放射性核种的离子的离子束；射束线，构成为支承由包含与第1非放射性核种不同的第2非放射性核种的固体材料形成的离子束被照射体(70)；及控制装置(50)，构成为运算通过第1非放射性核种与第2非放射性核种的核反应而产生的放射线的推断线量与放射性核种的推断生成量中的至少一个。

公开(公告)号：CN104241076B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201410222709.6

申请日：2014-05-23

Applicant: 安捷伦科技有限公司

Inventor： C.W.鲁斯 ,  H.F.普雷斯特 ,  J.T.科南

IPC: H01J49/14

CPC classification number: H01J27/024 ,  H01J27/205 ,  H01J49/147

Abstract: 一种离子源，其配置成用于电子电离并产生同轴的电子和离子束。该离子源包括沿轴线的电离室、配置成用于在所述电离室中产生轴向磁场的磁体组件、电子源、以及透镜组件，其配置成用于沿着轴线将离子束从电离室引出，朝向电子源将电子束反射回，以及将更高能量的离子从离子源传送出同时朝向透镜元件反射更低能量的离子进行中和。