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公开(公告)号：CN105336560B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201410288346.6
申请日：2014-06-25
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J25/22 , H01J1/304 , H01J3/021 , H01J23/04 , H01J23/06 , H01J2201/30469
Abstract: 一种反射式速调管包括电子发射装置，电子发射装置包括：一电子发射结构和一电子反射结构相对设置，其中，该电子反射结构包括：反射极、第二栅网；该电子发射结构包括：阴极、电子引出极、电子发射体、第一栅网，其中，该电子发射体与所述阴极电连接，该电子引出极具有一通孔对应所述电子发射体，所述电子发射体包括多个子电子发射体，每个子电子发射体具有一电子发射端，每一电子发射端至电子引出极的所述通孔的侧壁的最短距离基本一致，每一电子发射端与反射极之间的距离大于等于10微米小于等于200微米，所述反射式速调管内的压强小于等于100帕。本发明还提供一种电子发射装置。
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公开(公告)号：CN105244246B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201410327705.4
申请日：2014-07-10
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/304 , H01J3/021 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , H01J2203/0268 , H01J2203/0272 , H01J2203/028 , H01J2203/0284 , H01J2203/0288
Abstract: 一种场发射阴极，包括：微通道板，该微通道板导电且具有多个开孔，该微通道板具有一第一表面以及一与该第一表面相对的第二表面，每个所述开孔贯穿所述第一表面和第二表面；以及阴极发射体；其特征在于，每个所述开孔内设置有多个所述阴极发射体，该多个阴极发射体相互连接并固定于所述开孔内壁与所述微通道板电连接，该多个阴极发射体包括多个碳纳米管，至少部分碳纳米管的一端悬空设置作为场发射端。
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公开(公告)号：CN105448620A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410327650.7
申请日：2014-07-10
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J1/304
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01J3/021 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , H01J2203/0272 , H01J2203/028 , H01J2203/0284 , H01J2203/0288 , Y10S977/742 , Y10S977/939
Abstract: 一种场发射阴极，包括：微通道板，该微通道板绝缘且具有多个开孔，该微通道板具有一第一表面以及一与该第一表面相对的第二表面，每个所述开孔贯穿所述第一表面和第二表面；阴极电极，该阴极电极设置于所述微通道板的第一表面；以及阴极发射体，该阴极发射体对应多个所述开孔设置且与所述阴极电极电连接；其特征在于，每个所述开孔内设置有多个所述阴极发射体，该多个阴极发射体相互连接并固定于所述开孔内壁，该多个阴极发射体包括多个碳纳米管，至少部分碳纳米管的一端悬空设置作为场发射端。
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公开(公告)号：CN102709132B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201210080490.1
申请日：2006-04-25
Applicant: 斯莫特克有限公司
Inventor： 穆罕默德·沙菲奎尔·卡比尔
CPC classification number: C23C16/04 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/34 , C01B2202/36 , C23C16/26 , D01F9/08 , D01F9/127 , H01J1/304 , H01J3/022 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , H01J2237/31786 , H01L51/0003 , H01L51/0048 , H01L51/0512
Abstract: 本发明提供了一种在金属基底上生长纳米结构的方法及其制造方法。根据本方法生长的纳米结构适合于制造如电子束直写机之类的电子器件或者场致发射显示器。
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公开(公告)号：CN103295853B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201210042270.X
申请日：2012-02-23
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J1/304
CPC classification number: H01J1/304 , H01J1/14 , H01J1/16 , H01J29/04 , H01J31/123 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供一种场发射电子源，其包括一碳纳米管微尖结构，该碳纳米管微尖结构包括：一绝缘基底，该绝缘基底具有一表面，该表面具有一边缘；一图案化碳纳米管膜结构，该图案化碳纳米管膜结构部分设置于该绝缘基底的所述表面，该图案化碳纳米管膜结构包括两个条形臂，该两个条形臂在端部相连以形成一尖端，该尖端突出该绝缘基底所述表面的边缘并悬空设置，该图案化碳纳米管膜结构包括多个基本平行于该绝缘基底所述表面的碳纳米管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103295854B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201210042274.8
申请日：2012-02-23
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/14 , H01J1/3044 , H01J9/042 , H01J37/073 , H01J63/02 , H01J63/06 , H01J2201/196 , H01J2201/30411 , H01J2201/30469 , H01J2237/06316 , H01J2237/06333 , H01J2237/06341 , H01J2237/26 , H01J2237/28 , H01J2329/0455 , Y10T428/24132
Abstract: 本发明提供一种碳纳米管微尖结构，其包括：一绝缘基底，该绝缘基底具有一表面，该表面具有一边缘；一图案化碳纳米管膜结构，该图案化碳纳米管膜结构部分设置于该绝缘基底的所述表面，该图案化碳纳米管膜结构包括两个条形臂，该两个条形臂在端部相连以形成一尖端，该尖端突出该绝缘基底所述表面的边缘并悬空设置，该图案化碳纳米管膜结构包括多个基本平行于该绝缘基底所述表面的碳纳米管。
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公开(公告)号：CN104795295A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201410024419.0
申请日：2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/308 , H01J1/312 , H01J2201/30461 , H01J2201/30469 , H01J2201/3125 , H01J2329/0449 , H01J2329/0455 , H01J2329/0478 , H01J2329/0484 , Y10S977/939 , H01J29/04 , H01J1/30 , H01J9/02
Abstract: 本发明涉及一种电子发射源，其包括：依次层叠设置的一第一电极，一半导体层，一绝缘层以及一第二电极，其中，所述电子发射源还包括设置于所述半导体层与所述绝缘层之间的一电子收集层，所述电子收集层为一导电层。
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公开(公告)号：CN104795294A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201410024369.6
申请日：2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J31/12 , H01J1/304 , H01J1/308 , H01J1/312 , H01J29/02 , H01J29/18 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , H01J2201/3125 , H01J2329/0455 , H01J2329/0478 , H01J2329/0484
Abstract: 本发明涉及一种电子发射装置，其包括多个间隔设置的电子发射单元，所述电子发射单元包括依次层叠设置的一第一电极，一半导体层，一绝缘层以及一第二电极，其中，所述第一电极为一碳纳米管层，每一电子发射单元中的半导体层具有多个间隔设置的孔洞，对应孔洞位置处的碳纳米管层悬空设置。
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公开(公告)号：CN104000616A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410065369.0
申请日：2014-02-26
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: A61B6/025 , A61B6/4007 , A61B6/4085 , H01J35/06 , H01J35/12 , H01J35/16 , H01J2201/30469 , H01J2235/068 , H01J2235/166 , H01J2235/168 , H01J2235/186 , H01J2235/205
Abstract: 本发明涉及多放射线产生设备和放射线成像系统。根据本发明的多放射线产生设备包括布置成一行的多个放射线源。每个放射线源包括被配置为发射电子的电子源以及被配置为在收到从该电子源发射的电子时产生放射线的靶单元。放射线源中的至少一个是用于层析摄影合成成像和非层析摄影合成成像两者的两用放射线源，并且其它放射线源是仅仅用于层析摄影合成成像的单用放射线源。
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公开(公告)号：CN103903938A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210587689.3
申请日：2012-12-29
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J29/04
CPC classification number: H01J1/304 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , H05B41/14
Abstract: 一种场发射阴极装置，其包括：一绝缘基底；一阴极电极设置于所述绝缘基底的表面；一第一绝缘隔离层设置于所述阴极电极的表面或绝缘基底的表面，该第一绝缘隔离层定义一第一开口；一电子发射层设置于所述阴极电极通过第一开口暴露的表面，且与该阴极电极电连接；一第一栅极设置于所述第一绝缘隔离层表面；一第二绝缘隔离层设置于所述第一栅极表面，且所述第二绝缘隔离层定义一第二开口，以使阴极电极的至少部分表面通过该第二开口暴露；一第二栅网设置于所述第二绝缘隔离层表面，且所述第二栅网从第二绝缘隔离层的表面延伸至电子发射层上方，以将第二开口覆盖。本发明还涉及所述场发射阴极装置的驱动方法。
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