-
公开(公告)号：KR101150270B1
公开(公告)日：2012-06-12
申请号：KR1020110007951
申请日：2011-01-26
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L29/0673 , H01L29/78684
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device which uses graphene and a manufacturing method thereof are provided to arrange a graphene layer on a pattern layer which is manufactured beforehand, thereby improving on/off current ratio and mobility. CONSTITUTION: A pattern layer(120) is formed on a substrate(110) into a predetermined shape. A graphene layer(130) is formed on the pattern layer in a predetermined direction. A passivation layer(140) is formed on the graphene layer. An electrode layer(150) is formed on a predetermined region of the graphene layer. An insulating film layer(160) is formed between the substrate and the graphene layer.
Abstract translation: 目的：提供一种使用石墨烯的半导体器件及其制造方法，以在预先制造的图案层上布置石墨烯层，从而提高导通/截止电流比和迁移率。 构成：将图案层（120）形成在基板（110）上成预定形状。 在图案层上沿预定方向形成石墨烯层（130）。 钝化层（140）形成在石墨烯层上。 在石墨烯层的预定区域上形成电极层（150）。 在基板和石墨烯层之间形成绝缘膜层（160）。
-
42.发明授权임피던스 및 잡음 특성 동시 측정 시스템, 방법, 및 상기 방법을 실행시키기 위한 컴퓨터 판독 가능한 프로그램을 기록한 매체 有权同时测量阻抗和噪声特性的系统和方法，以及具有用于执行该方法的计算机可读程序的介质
公开(公告)号：KR101145267B1
公开(公告)日：2012-05-24
申请号：KR1020100036784
申请日：2010-04-21
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 임피던스 및 잡음 특성 동시 측정 시스템, 방법, 및 상기 방법을 실행시키기 위한 컴퓨터 판독 가능한 프로그램을 기록한 매체가 개시된다. 임피던스 및 잡음 특성 동시 측정 시스템은 전기 신호 인가부, 응답 신호 측정부, 임피던스 특성 산출부, 및 잡음 특성 획득부를 포함한다. 전기 신호 인가부는 측정 대상에 직류 및 미리 설정된 복수 주파수의 교류 전기 신호를 동시에 인가하고, 응답 신호 측정부는 측정 대상으로부터 인가한 전기 신호에 대한 응답 신호를 측정하고, 임피던스 특성 산출부는 미리 설정된 주파수 범위에 대해 응답 신호의 전류, 전압의 크기와 위상 차이를 이용하여 등가 모델로 제시된 각각의 임피던스 값을 산출하며, 잡음 특성 획득부는 응답 신호의 전력 중 직류 전기 신호로 인해 발생하는 잡음 전력만을 획득한다. 이와 같이, 측정 대상에 직류 및 복수 주파수의 교류 전기 신호를 동시에 인가하여 임피던스 특성과 잡음 특성을 구함으로써, 1차원 나노선과 같은 민감한 물질에 대해서도 적은 비용으로 빠르고 정확하게 임피던스 특성과 잡음 특성을 측정할 수 있게 된다.
-
公开(公告)号：KR101130224B1
公开(公告)日：2012-03-26
申请号：KR1020100034407
申请日：2010-04-14
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 나노 막대를 이용한 발광 소자 및 그 제조 방법을 공개한다. 본 발명은 PLD(Pulsed Laser Deposition) 방식으로, 나노 막대의 측면에 나노 막대의 타입과 대응되는 타입의 물질을 증착하여 나노 막대의 측면에 PN 접합을 형성하고, 나노 막대의 측면에 형성된 PN 접합부를 모두 면광원으로 사용함으로써, 종래 기술에 비하여 발광 면적을 확대하여 발광 효율을 현저하게 향상시키는 효과가 있다. 또한, 종래 기술에 비하여, 본 발명은 PN 접합 면적이 확대됨으로써 전기적 안정성 측면에서 서로 다른 두 반도체의 접촉 저항을 감소시킴으로써 소자의 수명을 연장시키고, 접촉면에서의 열 발생을 감소시킴으로써 소자의 안정적인 동작에도 기여하는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 고온에서 증착이 수행되는 기존 CVD 방법에 비하여 상대적으로 낮은 온도에서 증착이 수행되는 PLD 방식을 이용함으로써, 나노 막대에 추가적으로 후막을 증착하여 발광부를 생성할 때, 기성장된 나노 막대 구조의 안정성으로 유지할 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 PLD 방식으로 나노 막대에 후막을 증착하므로, 증착되는 물질을 용이하게 변경할 수 있고, 이에 따라서 발생되는 빛의 파장을 용이하게 제어할 수 있는 효과가 있다.
-
公开(公告)号：KR101064326B1
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：KR1020090103567
申请日：2009-10-29
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L27/222 , H01L43/12
Abstract: 기능성 요소의 물리적 왜곡을 억제하고, 기능성 요소와 이에 연결되는 전기적 요소간의 전기적 접촉 특성을 향상시킬 수 있는 전자소자, 메모리 소자 및 이들의 제조방법에 관하여 기술된다. 기판 상에 적어도 두 개의 그루브를 형성하고, 여기에 도전성 물질을 채워넣어 상기 기판의 상면과 실질적으로 동일 평면을 이루는 상면을 가지는 전기적 요소를 얻는다. 그리고 기판 상면 전체에 기능성 물질층(기능층)을 형성한 후 이를 패터닝하여, 상기 전기적 요소에 그 양측 저면이 접촉되는 기능성 요소를 얻는다.
-
公开(公告)号：KR1020110083124A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：KR1020100003175
申请日：2010-01-13
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: C09K13/00
Abstract: PURPOSE: An etchant composition for Al2O3 is provided to selectively etch Al2O3 grown through atomic layer deposition and to ensure a simple process, stability, and profitability. CONSTITUTION: An etchant composition for Al2O3 comprises an amino-based silane solution and water. The amino-based silane solution and water are mixed in the volume ratio of 100: 0.01 - 100: 30. The amino-based silane solution is a mixture of an amino-based silane compound and a solvent and the concentration thereof is 50~99.99 wt%. The amino-based silane compound is a silane compound including an amino C1-6 alkyl group and C1-6 alkoxy group and the solvent is water.
Abstract translation: 目的：提供Al2O3的蚀刻剂组合物，以选择性地蚀刻通过原子层沉积生长的Al2O3，并确保简单的工艺，稳定性和盈利能力。 构成：Al2O3的蚀刻剂组合物包含氨基硅烷溶液和水。 氨基类硅烷溶液和水的体积比为100：0.01〜100：30。氨基类硅烷溶液为氨基类硅烷化合物与溶剂的混合物，浓度为50〜99.99 重量％。 氨基类硅烷化合物是包含氨基C 1-6烷基和C 1-6烷氧基的硅烷化合物，溶剂是水。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101043688B1
公开(公告)日：2011-06-24
申请号：KR1020090016698
申请日：2009-02-27
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L21/336
Abstract: 본 발명은 전계 효과 트랜지스터 소자 및 이의 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 (a) 기판 상에 유기 반도체층, 소스 전극 및 드레인 전극을 증착하는 단계; (b) 상기 유기 반도체층, 소스 전극 및 드레인 전극 상부에 패시베이션층을 증착하는 단계; (c) 리쏘그라피(lithography) 공정을 통해 상기 패시베이션층 상부에 채널 영역 형성을 위한 미세 패턴을 전사하는 단계; 및 (d) 상기 미세 패턴에 따라 상기 패시베이션층 및 유기 반도체층을 식각하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따르면, 유기 반도체층 상부에 패시베이션층을 증착하여 미세 패터닝이 가능하며, 유기 반도체층의 안정성을 높일 수 있는 장점이 있다.
유기 반도체, 펜타신, 패시베이션, 알루미나, 증착, 전계 효과 트랜지스터-
公开(公告)号：KR1020100097837A
公开(公告)日：2010-09-06
申请号：KR1020090016689
申请日：2009-02-27
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: G03F7/004
CPC classification number: G03F7/0045 , G03F7/004 , G03F7/0047 , G03F7/012
Abstract: PURPOSE: A negative-tone electron beam lithography resist composition is provided to be economically manufactured, to easily control a crosslinked part by controlling a synthesis ratio, to easily control the thickness of the electron beam resist, and to be applied to a lithography process. CONSTITUTION: A negative-tone electron beam lithography resist composition includes a polystyrene random copolymer including an azide functional group. The dose of the electron beam resist is 40 μC/cm^2 - 116 μC/cm^2. The polystyrene random copolymer is synthesized by polymerizing a styrene monomer and 1-(chloromethyl)-4-vinylbenzene through a RAFT(reversible addition-fragmentation chain transfer) method.
Abstract translation: 目的：为了经济地制造负色电子束光刻抗蚀剂组合物，通过控制合成比容易控制交联部分，容易控制电子束抗蚀剂的厚度，并适用于光刻工艺。 构成：负电子束光刻抗蚀剂组合物包括包含叠氮官能团的聚苯乙烯无规共聚物。 电子束抗蚀剂的剂量为40μC/ cm 2〜116μC/ cm ^ 2。 聚苯乙烯无规共聚物是通过RAFT（可逆加成 - 断裂链转移）法聚合苯乙烯单体和1-（氯甲基）-4-乙烯基苯来合成的。
-
公开(公告)号：KR100912366B1
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：KR1020080002104
申请日：2008-01-08
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70383
Abstract: 본 발명은 광학현미경을 이용한 포토리소그래피 시스템에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 대량생산을 목적으로 하지 않는 단위 사이즈의 실리콘 기판을 이용하는 소규모 연구 활동에서 저렴한 비용으로 고가의 포토마스크의 사용없이 다양한 종류의 선택적인 패턴을 형성할 수 있는 광학현미경을 이용한 포토리소그래피 시스템에 관한 것이다.
광학현미경, 스테이지, 광원, 감광제Abstract translation: 提供了一种使用光学显微镜的光刻系统，其可以在不需要昂贵的光掩模的情况下以小规模研究形成各种类型的选择性图案，其使用不是大规模生产的单位尺寸硅衬底。
-
公开(公告)号：KR100877690B1
公开(公告)日：2009-01-08
申请号：KR1020070061440
申请日：2007-06-22
Applicant: 한국전자통신연구원 , 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 나노 와이어 배열소자의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 나노와이어 배열소자 제조방법은, (a)기판 상에 나노 와이어가 포함된 나노 와이어 용액을 도포하는 단계; (b)상기 기판 상에 형성된 나노 와이어를 스트라이프 형태로 패터닝하고 기판을 노출시켜 상기 스트라이프 형태의 제 1 식각 영역을 형성하는 단계; (c)상기 패터닝된 나노 와이어를 사이에 두고 드레인 전극선과 소스 전극선을 평행하게 형성하는 단계; (d)일단은 상기 드레인 전극선에 연결되며 적어도 하나의 나노 와이어와 접촉하는 복수의 드레인 전극 및 일단은 상기 소스 전극선에 연결되며 상기 드레인 전극과 접촉하는 나노 와이어에 접촉하는 복수의 소스 전극을 형성하는 단계; (e)한 쌍의 상기 드레인 전극 및 소스 전극 쌍들이 전기적으로 접촉되지 않도록 상기 드레인 전극 및 소스 전극 쌍 사이에 제 2 식각 영역을 형성하는 단계; (f)상기 기판상에 절연층을 형성하는 단계; 및 (g)상기 절연층 상에 상기 나노 와이어와 접촉하는 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명에 의하면 나노 와이어를 전극선과 평행하게 정렬하지 못하더라도 대규모 나노와이어 배열 소자를 구현할 수 있으므로, 정렬시키기 힘든 나노 와이어를 이용한 집적소자 및 디스플레이에도 본 발명을 적용할 수 있다. 나아가 플렉서블(flexible) 기판을 응용한 소자 분야에도 본 발명을 적용할 수 있다.
나노 와이어, 트랜지스터 어레이, 선택적 식각, 선태적 패터닝-
公开(公告)号：KR1020080052254A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：KR1020070063121
申请日：2007-06-26
Applicant: 한국전자통신연구원 , 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: B41J2/14314 , F03G7/005 , Y10T428/25
Abstract: A heterojunction layer is provided to predict the bending direction of an electric field by forming a heterojunction layer capable of predicting a driving direction. A heterojunction layer(100) includes a first layer(110) including first nano particles of a first conductivity type and a second layer(120) including second nano particles of a second conductivity type wherein the first layer is bonded to the second layer. The aspect ratio of the first and second nano particles can be not less than 30. The first nano particles can be V2O5, and the second nano particles can be a carbon nano tube.
Abstract translation: 提供异质结层以通过形成能够预测驱动方向的异质结层来预测电场的弯曲方向。 异质结层（100）包括第一层（110），其包括第一导电类型的第一纳米颗粒和包括第二导电类型的第二纳米颗粒的第二层（120），其中第一层结合到第二层。 第一和第二纳米颗粒的纵横比可以不小于30.第一纳米颗粒可以是V 2 O 5，第二纳米颗粒可以是碳纳米管。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
72
records
(took 0.023 seconds)
