公开(公告)号：KR1020080108370A

公开(公告)日：2008-12-12

申请号：KR1020087029165

申请日：2005-08-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  다이요 닛산 가부시키가이샤 ,  오미 다다히로

Inventor： 고바야시야스오 ,  니시자와겐이치 ,  가메시마다카토시 ,  이사키류이치로 ,  신리키마나부

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/0212 ,  C23C16/26 ,  C23C16/4402 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3127

Abstract: A plasma film-forming method which comprises providing a purifying chamber (2) packed with a substance having a surface layer exhibiting a hydrophilic property or reducing action between a source (1) for supplying a C5H8 gas and a film-forming treatment section (3) for converting the C5H8 gas so as to have a plasmatic state and forming a fluorine-doped carbon film on a wafer (W), passing a C5H8 gas through the purifying chamber (2) to remove the moisture in the C5H8 gas and introduce the resultant C5H8 gas having a moisture content of, for example, about 20 X 10-9 volume ratio to the film-forming treatment section (3), to form a fluorine-doped carbon film. The above plasma film-forming method allows the reduction of the amount of the water incorporated into the resultant fluorine-doped carbon film to an extremely low level, which results in the decrease of the elimination of fluorine in a subsequent heating step due to the moisture in the resultant film, leading to the higher thermal stability of the film. Specifically, the above method allows the formation of a fluorine-doped carbon film exhibiting excellent thermal stability, by preparing and using a C5H8 gas having a moisture content of 60 X 10-9 volume ratio or less. ® KIPO & WIPO 2009

Abstract translation: 一种等离子体成膜方法，其特征在于，提供一种填充有表面层的物质的净化室（2），所述物质具有在供给C5H8气体的源（1）和成膜处理部（3）之间具有亲水性或还原作用 ）将C5H8气体转化为具有等离子体状态并在晶片（W）上形成氟掺杂碳膜，使C5H8气体通过净化室（2）以除去C5H8气体中的水分，并引入 与成膜处理部（3）的水分含量例如为约20×10 -9体积比的所得到的C5H8气体形成氟掺杂碳膜。 上述等离子体成膜方法允许将掺入到所得氟掺杂碳膜中的水的量减少到极低的水平，这导致随后的加热步骤中由于水分而导致的氟的消除减少 在所得膜中导致膜的较高的热稳定性。 具体地说，通过制备和使用水分含量为60×10 -9体积比以下的C5H8气体，能够形成显示优异的热稳定性的氟掺杂碳膜。 ®KIPO＆WIPO 2009

公开(公告)号：KR100855767B1

公开(公告)日：2008-09-01

申请号：KR1020067005453

申请日：2004-09-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시야스오 ,  하시모토쓰요시

IPC: H01L21/24

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28518

Abstract: 이 기판처리방법 및 기판처리장치는, MOSFET(11)의 게이트(21), 소스(15), 드레인(17) 표층에 형성된 자연 산화막을, 활성화된 NF
3 가스로 제거하고, 이 자연산화막이 제거된 게이트(21), 소스(15), 드레인(17)의 표면에 Co막(91)을 형성하고, 이 MOSFET에 대해서 저온 어닐을 실시하여, 이 Co막(91)과 게이트(21), 소스(15), 드레인(17)의 실리콘 화합물을 반응시켜 이 실리콘 화합물의 표층에 금속 실리사이드층을 형성한다. 따라서, 열이력이 기판중의 불순물의 분포에 바람직하지 않은 영향을 주게 되는 고온 어닐을 필요로 하지 않는 처리방법을 제공할 수 있다.

公开(公告)号：KR100780199B1

公开(公告)日：2007-11-27

申请号：KR1020077001738

申请日：2004-07-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와무라고헤이 ,  고바야시야스오 ,  니시자와겐이치 ,  데라이야스히로 ,  아사노아키라

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

Abstract: 성막 방법은, F첨가 탄소막을, C와 F를 포함하는 원료 가스를 사용하여 형성하는 공정과, 형성된 상기 F첨가 탄소막을 래디컬에 의해 개질하는 공정과, 상기 F첨가 탄소막을 개질하는 공정을 포함하고, 상기 원료 가스는, 원료 가스 분자내에 있어서의 F원자 수와 C원자 수의 비 F/C가 1보다도 크고 2보다도 작은 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020070110428A

公开(公告)日：2007-11-16

申请号：KR1020077022943

申请日：2006-04-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가메시마다카토시 ,  가와무라고헤이 ,  고바야시야스오

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4404 ,  C23C16/4581 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3185

Abstract: A film forming method is characterized in that the method is provided with a step of introducing a treatment gas including inorganic silane gas into a treatment chamber, in which a placing table composed of ceramics including a metal oxide is arranged, and precoating an inner wall of the treatment chamber including a surface of the placing table with a nonmetal thin film including silicon; a step of placing a substrate to be treated on the placing table precoated with the nonmetal thin film; and a step of introducing a treatment gas including organic silane gas into the treatment chamber, and forming a nonmetal thin film including silicon on a surface of the substrate placed on the placing table.

Abstract translation: 成膜方法的特征在于，该方法具有将包含无机硅烷气体的处理气体引入处理室的步骤，在该处理室中配置由包含金属氧化物的陶瓷构成的放置台， 所述处理室包括具有包含硅的非金属薄膜的所述放置台的表面; 将待处理的基板放置在预先涂覆有非金属薄膜的放置台上的步骤; 以及将包括有机硅烷气体的处理气体引入处理室的步骤，以及在放置台上的基板的表面上形成包含硅的非金属薄膜。

公开(公告)号：KR1020070064330A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：KR1020077006711

申请日：2005-08-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  다이요 닛산 가부시키가이샤 ,  오미 다다히로

Inventor： 고바야시야스오 ,  니시자와겐이치 ,  가메시마다카토시 ,  이사키류이치로 ,  신리키마나부

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/0212 ,  C23C16/26 ,  C23C16/4402 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3127

Abstract: A plasma film-forming method which comprises providing a purifying chamber (2) packed with a substance having a surface layer exhibiting a hydrophilic property or reducing action between a source (1) for supplying a C5H8 gas and a film-forming treatment section (3) for converting the C5H8 gas so as to have a plasmatic state and forming a fluorine-doped carbon film on a wafer (W), passing a C5H8 gas through the purifying chamber (2) to remove the moisture in the C5H8 gas and introduce the resultant C5H8 gas having a moisture content of, for example, about 20 X 10-9 volume ratio to the film-forming treatment section (3), to form a fluorine-doped carbon film. The above plasma film-forming method allows the reduction of the amount of the water incorporated into the resultant fluorine-doped carbon film to an extremely low level, which results in the decrease of the elimination of fluorine in a subsequent heating step due to the moisture in the resultant film, leading to the higher thermal stability of the film. Specifically, the above method allows the formation of a fluorine-doped carbon film exhibiting excellent thermal stability, by preparing and using a C5H8 gas having a moisture content of 60 X 10-9 volume ratio or less.

Abstract translation: 一种等离子体成膜方法，其特征在于，提供一种填充有表面层的物质的净化室（2），所述物质具有在供给C5H8气体的源（1）和成膜处理部（3）之间具有亲水性或还原作用 ）将C5H8气体转化为具有等离子体状态并在晶片（W）上形成氟掺杂碳膜，使C5H8气体通过净化室（2）以除去C5H8气体中的水分，并引入 与成膜处理部（3）的水分含量例如为约20×10 -9体积比的所得到的C5H8气体形成氟掺杂碳膜。 上述等离子体成膜方法允许将掺入到所得氟掺杂碳膜中的水的量减少到极低的水平，这导致随后的加热步骤中由于水分而导致的氟的消除减少 在所得膜中导致膜的较高的热稳定性。 具体地说，通过制备和使用水分含量为60×10 -9体积比以下的C5H8气体，能够形成显示优异的热稳定性的氟掺杂碳膜。

公开(公告)号：KR100649461B1

公开(公告)日：2006-11-24

申请号：KR1020017004594

申请日：1999-10-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시야스오

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 반도체 소자 등의 제조 공정에 이용한 경우에, 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 표면 처리 방법 및 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 이 표면 처리 방법은 피처리물(W)을 처리 용기(10)에 반입하고, 세정 가스로서 ClF
3 가스를 공급부(26)로부터 처리 용기(10) 내부에 도입하고, ClF
3 가스를 피처리물(W) 표면에 흡착시키고, 처리 용기(10)에 ClF
3 가스 도입을 정지하며, 피처리물(W) 표면에 흡착된 ClF
3 가스에 의해서 피처리물 표면이 세정된다. 계속해서, 환원 가스를 처리 용기(W) 내에 도입하여 피처리물(W) 표면에서 ClF
3 가스로부터 발생하는 염소를 제거한 후, 환원 가스 도입을 정지하고, 세정 후의 피처리물(W)을 처리 용기(10)에서 반출한다. 또한, 표면 처리 장치(1)와 다른 처리 장치를 서로 진공 반송이 가능하도록 배치하여 클러스터 장치를 구성한다.

公开(公告)号：KR100395171B1

公开(公告)日：2003-11-19

申请号：KR1019980028552

申请日：1998-07-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시카와히데키 ,  고바야시야스오 ,  다다구니히로

IPC: C23C16/44

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C16/08 ,  H01L21/28568

Abstract: A method of forming a CVD-Ti film includes the steps of loading a Si wafer into a chamber, setting an interior of the chamber at a predetermined reduced-pressure atmosphere, introducing TiCl4 gas, H2 gas, and Ar gas into the chamber, and generating a plasma of the introduced gas in the chamber to form a Ti film in a hole formed in an SiO2 film on the wafer. A wafer temperature is set to 400° to 800°, a supplied power is set to 100 W to 300 W, an internal chamber pressure is set to 0.5 Torr to 3.0 Torr, a flow rate ratio of TiCl4 gas to a sum of H2 gas and Ar gas is 1:100 to 1:300, and a flow rate ratio of H2 gas to Ar gas is 1:1 to 2:1.

Abstract translation: 形成CVD-Ti膜的方法包括以下步骤：将Si晶片装入腔室中，将腔室内部设定在预定的减压气氛下，将TiCl 4气体，H 2气体和Ar气体引入腔室中，以及 在室中产生引入气体的等离子体，以在晶片上的SiO2膜中形成的孔中形成Ti膜。 晶片温度设定为400℃; 提供功率为100W至300W，内室压力设定为0.5Torr至3.0Torr，TiCl 4气体与H 2气体和Ar气体之和的流量比为1：100至100 1：300，H 2气体与Ar气体的流量比为1：1〜2：1。

公开(公告)号：KR100270425B1

公开(公告)日：2000-12-01

申请号：KR1019960017934

申请日：1996-05-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고토 나오히사 ,  호리이케야스히로 ,  다카다 쥰이치 ,  안도 마코토

Inventor： 고토나오히사 ,  안도마코토 ,  다카다쥰이치 ,  호리이케야스히로 ,  이시이노부오 ,  고바야시야스오

IPC: H01L21/30

CPC classification number: H01J37/3222 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32229

Abstract: 본 발명은 마이크로파를 사용하여 처리용기내에 플라스마를 발생시키고, 이 플라스마를 피처리체의 처리에 이용하는 플라스마처리 장치에 관한 것으로서,
처리용기와, 상기 처리용기내에 설치되어 피처리면을 갖는 피처리체를 지지하는 지지수단과, 마이크로파를 발생시키는 마이크로파 발생기와, 상기 마이크로파 발생기로부터의 마이크로파를 상기 처리용기에 인도하기 위한 도파관과, 상기 도파관에 접속되어 상기 지지수단에 지지된 피처리체의 피처리면과 간격을 갖고 대면하여 양자간에 플라스마형성영역을 규정하도록 하여 배치된 평면안테나부품과, 플라스마형성영역에 처리가스를 공급하는 수단을 구비하고, 상기 안테나부품은 도전성 판과, 안테나부품으로부터 떨어짐에 따라서 지수함수적으로 감쇄하는 정전계를 플라스마형성 영역에 형성함으로써, 안테나부품의 둘레틀부의 전자장을 강하게 할 수 있고, 따라서 이둘레틀부에 대응하는 프로세스영역둘레틀부의 플라스마밀도의 저하를 보상 할 수 있으며 플라스마밀도의 면내 균일화를 한층 향상시킬 수 있는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019990013876A

公开(公告)日：1999-02-25

申请号：KR1019980028552

申请日：1998-07-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시카와히데키 ,  고바야시야스오 ,  다다구니히로

IPC: C23C16/44

Abstract: 본 발명의 CVD-Ti 필름을 형성하는 방법은 챔버내로 Si 웨이퍼를 로딩하는 단계, 소정의 감압 분위기로 챔버의 내부를 설정하는 단계, 챔버내로 TiCl
4 가스, H
2 가스 및 Ar 가스를 도입하는 단계 및 챔버내의 도입 가스의 플라즈마를 발생시킴으로써 웨이퍼상의 SiO
2 막내에 홀내에 Ti 막을 형성시키는 단계를 포함한다. 웨이퍼 온도는 400°내지 800°로 설정되며, 공급 압력은 100W 내지 300W이며, 내부 챔버 압력은 0.5Torr 내지 3.0Torr이며, TiCl
4 가스 대 H
2 가스와 Ar 가스의 합의 유량비는 1:100 내지 1:300이며, H
2 가스 대 Ar 가스의 유량비는 1:1 내지 2:1이다.

公开(公告)号：KR1019980032434A

公开(公告)日：1998-07-25

申请号：KR1019970049951

申请日：1997-09-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시야스오 ,  요시카와히데키 ,  다다구니히로

IPC: C23C16/34

Abstract: 본 발명은 부산물에 의한 피처리체(substrate)의 오염을 억제할 수 있고, 티탄막의 콘택트저항(contact resistance)을 작게 할 수 있는, 피처리체에 티탄막 및 티탄니트라이드막을 적층하여 형성하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 피처리체(2)의 표면에 티탄막을 형성하는 공정; 질소가스와 수소가스의 혼합가스의 분위기에서 플라즈마처리함으로써, 상기 티탄막의 표면층을 질화층으로 만드는 공정; 및 표면층이 질화층으로 된 티탄막 위에 배리어(barrier) 금속막(예: 티탄니트라이드막)을 형성하는 공정에 의해, 피처리체에 티탄막 및 티탄니트라이드막을 적층하여 형성한다.