公开(公告)号：KR101061675B1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：KR1020087023369

申请日：2007-03-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미요시히데노리

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/3105 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76828

Abstract: 피처리 기판을 유지함과 동시에 해당 피처리 기판을 가열하는 유지대와, 상기 유지대를 내부에 구비한 처리용기와, 상기 처리용기 내에, 처리 가스를 공급하는 가스 공급부를 구비한 기판 처리 장치며, 상기 처리 가스는, 유기산 암모늄 염, 유기산 아민 염, 유기산 아미드, 및 유기산 하이드라지드 중, 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.

Abstract translation: 1。一种基板处理装置，其特征在于，具备：保持被处理基板并对被处理基板进行加热的保持台;在内部具有保持台的处理容器;以及向处理容器内供给处理气体的气体供给部， 其中处理气体包含有机酸铵盐，有机酸胺盐，有机酸酰胺和有机酸酰肼中的至少一种。

公开(公告)号：KR1020110057206A

公开(公告)日：2011-05-31

申请号：KR1020117007890

申请日：2007-08-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미요시히데노리 ,  이시카와겐지 ,  다테이시히데키 ,  하야시마사카즈 ,  니시카와노부유키

IPC: H01L51/00 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76814 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 기판 처리 방법은 금속층이 형성된 피처리 기판을 제 1 온도로 설정하고, 유기 화합물을 포함하는 처리 가스를 상기 금속층에 흡착시켜 금속착체를 형성하는 제 1 공정과, 상기 피처리 기판을 상기 제 1 온도보다 높은 제 2 온도로 되도록 가열해서, 상기 금속착체를 승화시키는 제 2 공정을 갖는다.

公开(公告)号：KR1020100072089A

公开(公告)日：2010-06-29

申请号：KR1020107011265

申请日：2008-12-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 군지이사오 ,  미요시히데노리 ,  이토히토시

IPC: C23C16/16 ,  C23C16/448 ,  C23C16/46 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/18 ,  C23C16/4488 ,  C23C18/08 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/288

Abstract: Disclosed is a film forming method comprising a step of producing a monovalent metal carboxylate gas by reacting a divalent metal carboxylate with a carboxylic acid, a step of depositing a monovalent metal carboxylate film (2) on a substrate (1) by supplying the monovalent metal carboxylate gas thereto, and a step of forming a metal film (3) by providing the substrate (1), on which the monovalent metal carboxylate film (2) is deposited, with energy, thereby decomposing the monovalent metal carboxylate film (2).

Abstract translation: 公开了一种成膜方法，其包括通过使二价金属羧酸盐与羧酸反应制备一价金属羧酸盐气体的步骤，通过供应一价金属在基材（1）上沉积一价金属羧酸盐膜（2） 并且通过设置沉积有一价金属羧酸盐膜（2）的基板（1）形成金属膜（3）的步骤，从而分解一价金属羧酸盐膜（2）。

公开(公告)号：KR100860736B1

公开(公告)日：2008-09-29

申请号：KR1020077018684

申请日：2006-02-15

Applicant: 가부시키가이샤 알박 ,  미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후지이노부토시 ,  고무라가즈오 ,  미요시히데노리 ,  다나카히로후미 ,  오이케슌스케 ,  무라카미마사미 ,  구보타다케시 ,  구라노요시토

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  C01B33/12 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76826 ,  C01B33/12 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/249994

Abstract: 원료 다공질 실리카막에 대해, 감압 (30k㎩ 이하) 하, 소수성기 (탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기 또는 (C
6 H
5 기) 및 중합 가능성기 (수소 원자, 히드록실기 또는 할로겐 원자) 를, 각각, 적어도 1 개씩 갖는 소수성 화합물을 기상 중합 반응시켜, 그 막 중의 빈구멍 내벽에 소수성 중합 박막이 생성된 개질 다공질 실리카막을 얻는다. 이 다공질 실리카막은 저비유전율, 저굴절률을 갖고, 또한 기계적 강도 및 소수성이 개량되어 있다. 이 다공질 실리카막을 사용하여 반도체 장치를 얻는다.
다공질 실리카막, 소수성 화합물, 중합체 박막

公开(公告)号：KR1020060097768A

公开(公告)日：2006-09-15

申请号：KR1020067016087

申请日：2002-08-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미요시히데노리 ,  스기우라마사히토 ,  가시와기유사쿠 ,  가가와요시히사 ,  오타도모히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  C23C16/452 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/3185

Abstract: A method for forming a film which comprises a step of introducing a gas to be treated comprising a compound having a cyclic structure in the molecule thereof into a chamber (12), and a step of exciting a gas for excitation, such as argon, by means of an activator (34) and then introducing the excited gas for excitation into the chamber (12), to indirectly excite the gas to be treated. The excited gas to be treated is deposited on a substrate (19) to be treated and forms a porous film having a cyclic structure in an increased content and thus exhibiting a reduced permitivity.

Abstract translation: 一种形成膜的方法，包括将包含其分子中具有环状结构的化合物的待处理气体引入到室（12）中的步骤，以及通过以下步骤将氩气激发气体的步骤： 活化剂（34）的装置，然后将激发的气体引入到室（12）中，以间接地激发待处理的气体。 待处理的被激发气体沉积在待处理的基材（19）上，并形成具有增加的含量的环状结构的多孔膜，从而显示出较低的介电常数。

公开(公告)号：KR1020060083977A

公开(公告)日：2006-07-21

申请号：KR1020067005431

申请日：2004-11-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미요시히데노리 ,  고무라카즈오

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831

Abstract: In a CVD apparatus (111), modification of a porous low dielectric constant film containing silicon is performed by heating a semiconductor wafer (W) by a heater, supplying 1,3,5,7- tetramethylcyclotetrasiloxane (TMCTS) thereto and conducting a heat treatment without applying a high-frequency voltage. Then, in the same CVD apparatus (111), an insulating film with high density and high hardness is formed on the porous low dielectric constant film by heating the semiconductor wafer (W), introducing TMCTS and applying a high- frequency voltage thereto, thereby generating a plasma of a gas containing TMCTS.

Abstract translation: 在CVD装置（111）中，通过用加热器对半导体晶片（W）进行加热来进行包含硅的多孔性低介电常数膜的变形，向其中供给1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷（TMCTS），进行热处理 治疗时不施加高频电压。 然后，在同一CVD装置（111）中，通过加热半导体晶片（W），引入TMCTS并向其施加高频电压，在多孔低介电常数膜上形成具有高密度和高硬度的绝缘膜，从而 产生含有TMCTS的气体的等离子体。