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公开(公告)号：KR1020150035430A
公开(公告)日：2015-04-06
申请号：KR1020140128270
申请日：2014-09-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L51/56 , H01L51/0003 , H01L51/0026
Abstract: 간이한설비로, 기판상의유기재료막으로부터용매를단시간에효율좋게제거한다. 건조장치(100)의시트지지부(5)는, 처리용기(1) 내에서기판(S) 상에형성된유기재료막으로부터휘발한용매를흡착하는가요성의용매흡착시트(200)를지지한다. 시트지지부(5)는, 재치대(3) 및그에지지된기판(S)에대하여, 용매흡착시트(200)를이간시킨상태로배치한다. 시트지지부(5)는, 미사용의용매흡착시트(200)를감은제 1 롤보지부(51A)와, 처리용기(1) 내의분위기에노출한용매흡착시트(200)를감는제 2 롤보지부(51B)를구비하고있다.
Abstract translation: 本发明通过简单的设备在短时间内有效地从基板上的有机材料中除去溶剂。 干燥装置（100）的片材支撑单元（5）支撑从处理容器（1）内的基板（S）上形成的有机材料膜挥发的柔性溶剂吸收片（200）。 片材支撑单元（5）将待分离的溶剂吸收片（200）从支撑的基底（S）排列。 片材支撑单元（5）包括： 围绕未使用的溶剂吸收片（200）卷绕的第一辊保持单元（51A）; 以及第二辊保持单元（51B），其卷绕在暴露于处理容器（1）内部的大气的溶剂吸收片（200）的周围。
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公开(公告)号：KR1020130103627A
公开(公告)日：2013-09-23
申请号：KR1020137022018
申请日：2012-02-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/768 , H01L21/3213
CPC classification number: H01L21/30604 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/0337 , H01L21/308 , H01L21/31111 , H01L21/32139 , H01L21/67178 , H01L21/67184 , H01L21/6719
Abstract: 기판 상의 피처리막을 에칭할 때의 마스크가 되는 정해진 패턴을 형성하는 패턴 형성 방법은, 기판의 피처리막 상에 유기막의 패턴을 형성하는 유기막 패턴 형성 공정과, 그 후, 상기 유기막의 패턴 상에 실리콘 질화막을 성막하는 성막 공정과, 그 후, 상기 실리콘 질화막이 상기 유기막의 패턴의 측벽부에만 남도록 이 실리콘 질화막을 에칭한 후, 상기 유기막의 패턴을 제거하고, 기판의 피처리막 상에 상기 실리콘 질화막의 상기 정해진 패턴을 형성하는 실리콘 질화막 패턴 형성 공정을 포함한다. 상기 성막 공정은, 기판의 온도를 100℃ 이하로 유지한 상태에서, 처리 가스를 여기시켜 플라즈마를 생성하고, 이 플라즈마에 의한 플라즈마 처리를 수행하여, 100 ㎫ 이하의 막 스트레스를 갖는 실리콘 질화막을 형성한다.
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公开(公告)号：KR101167355B1
公开(公告)日：2012-07-19
申请号：KR1020097006322
申请日：2007-10-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/02063 , H01J37/32862 , H01L21/02071 , H01L21/76814 , H01L21/76825 , H01L21/76828
Abstract: 본 발명은, 산화 실리콘을 포함하는 무기물과 탄소 및 불소를 포함하는 유기물의 복합 생성물이 표면에 형성된 기판에 대하여 실행되는 기판 처리 방법에 있어서, 상기 기판의 표면에 자외선을 조사하여, 상기 유기물의 일부를 제거하는 자외선 처리 공정과, 상기 자외선 처리 공정 후에 실행되는 공정에 있어서, 상기 기판의 표면에 불화수소의 증기를 공급하여, 상기 무기물의 적어도 일부를 제거하는 불화수소 처리 공정과, 상기 자외선 처리 공정 후에 실행되는 공정에 있어서, 상기 기판을 가열하는 것에 의해，아직 제거되지 않은 상기 유기물의 일부를 수축시키는 가열 처리 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법이다.
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公开(公告)号：KR101025372B1
公开(公告)日：2011-03-28
申请号：KR1020080101962
申请日：2008-10-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/66
Abstract: 본 발명은, 유기막으로 이루어지고, 패턴이 형성된 포토레지스트 마스크와, 유기 성분으로 이루어지는 반사 방지막과, 금속 화합물막이 상측으로부터 이 순서로 적층된 기판에 대하여, 전자선을 조사함으로써, 당해 패턴상으로의 유기 성분으로 이루어지는 찌꺼기의 부착의 유무를 검사함에 있어서, 용이하게 찌꺼기의 부착을 판별하기 위한 것이다.
본 발명에 의하면, 찌꺼기가 부착된 영역에서는, 전자선의 도달 깊이가 금속 화합물막의 상면보다 얕은 위치가 되고, 또한 찌꺼기가 부착되어 있지 않은 영역에서는, 전자선의 도달 깊이가 반사 방지막의 하면보다 깊은 위치가 되도록, 전자선의 가속 전압을 산출하고, 그 가속 전압으로 전자선을 기판에 조사하여, 이 기판으로부터 방출된 2차 전자상을 얻는다.-
公开(公告)号：KR101020439B1
公开(公告)日：2011-03-08
申请号：KR1020087019110
申请日：2007-01-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/66 , G01N23/225
CPC classification number: G01N23/2251 , G01N2223/611
Abstract: 기판 상의 제 1 층 상에 해당 제 1 층과 조성이 다른 제 2 층이 적층된 적층 구조 상에, 해당 제 2 층이 일부 노출하도록 형성된 패턴의 결함을 검사하는 기판 검사장치에 있어서, 상기 기판 상에 일차 전자를 조사하는 전자방출 수단, 상기 일차 전자의 조사에 의해 생성되는 이차 전자를 검출하는 전자 검출 수단, 상기 전자 검출 수단으로 검출된 이차 전자의 데이터를 처리하는 데이터 처리 수단, 상기 일차 전자의 가속 전압을 제어하는 전압 제어 수단을 갖고, 상기 전압 제어 수단은 상기 일차 전자가 상기 제 2 층이 노출한 부분에서 상기 제 1 층과 상기 제 2 층의 계면 근방 이외의 상기 제 1 층 또는 상기 제 2 층 안에 도달하도록 가속 전압을 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 검사장치.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100962728B1
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：KR1020077030797
申请日：2007-05-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/66 , G01N21/73 , G01N33/00 , H01L21/308
CPC classification number: G01N1/32 , G01N21/3103 , G01N33/38
Abstract: 개시되는 석영부재의 분석방법은, 석영부재에 오목상으로 형성된 에칭액 유지부에 에칭액을 공급하여 상기 석영부재를 에칭하는 공급공정과, 상기 공급공정에서 이용된 상기 에칭액을 분석하는 분석공정을 구비한다.
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公开(公告)号：KR1020100057891A
公开(公告)日：2010-06-01
申请号：KR1020107007302
申请日：2009-04-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/67017 , H01L21/02041
Abstract: Provided is an atmosphere cleaning device comprising a means for establishing a downflow in the atmosphere, in which a treating object is positioned, a plurality of ionizers arranged at positions above the treating object and symmetrically in the layout, as viewed downward, across the treating object, for feeding either positive or negative ions transversely of the downflow, and a means for applying such a DC voltage to the treating object as has the same polarity as that of the voltage being applied to those ionizers. The atmosphere cleaning device is characterized in that the symmetrically arranged ionizers are arranged to face each other.
Abstract translation: 提供了一种气氛清洁装置，包括用于在处理对象被定位的大气中建立下流的装置，多个离子发生器布置在处理对象上方的位置，并且在布局中对称地穿过处理对象 用于将横向于下流的正离子或负离子进料，以及用于将这样的直流电压施加到处理对象的装置，其极性与施加到这些电离器的电压相同。 气氛清洁装置的特征在于，对称布置的电离器布置成彼此面对。
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公开(公告)号：KR1020090089800A
公开(公告)日：2009-08-24
申请号：KR1020090013012
申请日：2009-02-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01N23/2251 , G01N2223/6116
Abstract: A method and an apparatus for inspecting a substrate, and a storage medium are provided to suppress the change of the brightness by preventing the charge up of an insulating layer in a region without a metal electrode. An electronic beam is irradiated on a surface of a substrate stacking a conductive film(11) and an insulating film(12) successively. The number of a secondary electron emitted from an outer layer of a metal electrode(13) reclaimed in a concave part of the insulating film is detected. The electronic beam is irradiated to the region including the metal electrode with a first acceleration voltage. The secondary electron emitted from the corresponding metal is detected. The electronic beam is irradiated to the region without the metal electrode with a second acceleration voltage. The metal different from the metal electrode is formed in the region without the metal electrode.
Abstract translation: 提供了用于检查基板的方法和装置以及存储介质，以通过防止没有金属电极的区域中的绝缘层的充电来抑制亮度的变化。 电子束依次照射在堆叠导电膜（11）和绝缘膜（12）的基板的表面上。 检测从绝缘膜的凹部回收的金属电极（13）的外层发射的二次电子的数量。 电子束以第一加速电压照射到包括金属电极的区域。 检测从相应的金属发射的二次电子。 电子束以不具有第二加速电压的金属电极照射到该区域。 与金属电极不同的金属形成在没有金属电极的区域中。
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公开(公告)号：KR1020090051714A
公开(公告)日：2009-05-22
申请号：KR1020080115143
申请日：2008-11-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/66
Abstract: 본 발명은, 레지스트 패턴과, 실리콘을 포함하는 유기막인 반사 방지막이 위쪽으로부터 이 순서로 적층된 기판에 대하여, 전자선을 조사함으로써, 상기 패턴 상으로의 유기 성분으로 이루어지는 잔사(殘渣)의 부착 유무를 검사함에 있어, 정밀도 높게 잔사의 부착 유무를 판별하기 위한 것이다.
기판과, 기판으로부터 방출되는 전자를 검출하기 위한 검출 수단의 사이에 부(負)의 바이어스 전압을 인가함으로써 기판의 내부에서 방출되는 2차 전자를 기판측에 되돌려 보내고, 한편 기판의 극표층으로부터 방출되는 반사 전자를 검출 수단에 도달시킨다. 이것에 의해, 잔사가 매우 얇은 경우나, 패턴의 폭이 좁은 경우 등이더라도 정밀도 높게 잔사를 검출할 수 있다. 또한, 반사 전자에 의해서는 물질의 조성에 근거한 화상이 얻어지기 때문에, 잔사와 반사 방지막의 조성이 비슷한 경우에도, 잔사를 정밀도 높게 검출할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020090046689A
公开(公告)日：2009-05-11
申请号：KR1020080101962
申请日：2008-10-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/66
Abstract: 본 발명은, 유기막으로 이루어지고, 패턴이 형성된 포토레지스트 마스크와, 유기 성분으로 이루어지는 반사 방지막과, 금속 화합물막이 상측으로부터 이 순서로 적층된 기판에 대하여, 전자선을 조사함으로써, 당해 패턴상으로의 유기 성분으로 이루어지는 찌꺼기의 부착의 유무를 검사함에 있어서, 용이하게 찌꺼기의 부착을 판별하기 위한 것이다.
본 발명에 의하면, 찌꺼기가 부착된 영역에서는, 전자선의 도달 깊이가 금속 화합물막의 상면보다 얕은 위치가 되고, 또한 찌꺼기가 부착되어 있지 않은 영역에서는, 전자선의 도달 깊이가 반사 방지막의 하면보다 깊은 위치가 되도록, 전자선의 가속 전압을 산출하고, 그 가속 전압으로 전자선을 기판에 조사하여, 이 기판으로부터 방출된 2차 전자상을 얻는다.
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