-
公开(公告)号：KR100905716B1
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：KR1020070046201
申请日：2007-05-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B5/02
CPC classification number: G11B9/02
Abstract: 본 발명의 전계기록재생장치의 구동방법은, 소오스 영역과 드레인 영역 사이에 위치되는 저항 영역과 이 저항영역 상에 위치되는 쓰기 전극을 구비하는 전계기록재생헤드를 채용한 전계기록재생장치의 구동방법으로서, 쓰기 전극에 기록매체에 분극을 유발하는 임계전압보다 낮은 조정전압을 인가하고, 기록매체 상의 전기 도메인의 분극방향에 따라 저항 영역을 통하여 흐르는 전류량의 변화에 기초하여 기록매체에 기록된 정보를 재생하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
-
公开(公告)号：KR100905713B1
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：KR1020070012369
申请日：2007-02-06
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11B5/7325 , B82Y10/00 , G11B5/743 , G11B9/02 , G11B9/08 , G11B9/1472
Abstract: 나노결정을 이용한 정보저장매체 및 그 제조방법과, 정보저장장치가 개시된다. 개시된 정보저장매체는 도전층; 도전층 상에 형성되는 하부 절연층; 하부 절연층 상에 형성되는 것으로, 전하를 트랩(trap)할 수 있는 도전성의 나노결정들(nanocrystals)을 포함하는 나노결정층(nanocrystal layer); 및 나노결정층 상에 형성되는 상부 절연층;을 포함한다.
-
公开(公告)号：KR100859587B1
公开(公告)日：2008-09-23
申请号：KR1020070022553
申请日：2007-03-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B9/02
CPC classification number: G11B9/02 , Y10T428/26 , Y10T428/31504
Abstract: 본 발명은 강유전체 기록매체 및 그의 제조 방법과 이를 이용한 정보저장장치에 관한 것으로, 기판상에 하부전극 층을 형성하는 단계와; 상기 하부전극 층 상에 절연체 층을 형성하는 단계; 및 상기 절연체 층 상에 데이터를 기록하는 강유전체 층을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 절연체 층은 0.5 내지 50nm의 두께로 형성함으로써, 하부전극과 강유전체층 사이에 절연층을 형성하여 고전압에서 절연 파괴가 일어나지 않도록 하였다.
강유전체, 강유전막, 하부전극, 절연체, 절연 파괴, 브레이크다운(breakdown)-
公开(公告)号：KR100851982B1
公开(公告)日：2008-08-12
申请号：KR1020070018521
申请日：2007-02-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/105 , B82Y10/00
CPC classification number: G11B9/02
Abstract: A ferroelectric information storage media and a method for manufacturing the same are provided to enhance magnetic information characteristics by reducing stress within a nano-dot crystal. A ferroelectric information storage media includes a substrate(10), a lower electrode(20) formed on the substrate, and a plurality of ferroelectric nano-dots(32) formed on the lower electrode. The ferroelectric nano-dots are isolated from each other to form one bit region. A size of each of the ferroelectric nano-dots is less than 15 nm. A ferroelectric nano-dots layer including the ferroelectric nano-dots is formed on the lower electrode. The ferroelectric nano-dots are made of one of ferroelectric materials including PbTiO3, KNbO3, and BiFeO3.
Abstract translation: 提供铁电信息存储介质及其制造方法，以通过减小纳米点晶体内的应力来增强磁信息特性。 铁电信息存储介质包括基板（10），形成在基板上的下电极（20）和形成在下电极上的多个铁电纳米点（32）。 铁电纳米点彼此隔离以形成一个位区域。 每个铁电纳米点的尺寸小于15nm。 在下电极上形成包含铁电纳米点的铁电纳米点层。 铁电纳米点由包括PbTiO 3，KNbO 3和BiFeO 3的铁电材料之一制成。
-
45.发明授权
公开(公告)号：KR100842923B1
公开(公告)日：2008-07-03
申请号：KR1020070022550
申请日：2007-03-07
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: H01L29/7834 , B82Y10/00 , G11B9/1409 , H01L21/28123 , H01L29/66636
Abstract: A method of manufacturing an enhancement semiconductor probe and an information storage device using the same are provided to reduce a process variable in device performance and to increase reliability of mass production by anisotropic-wet-etching a silicon substrate using side-walls. A method of manufacturing an enhancement semiconductor probe comprises the steps of: forming a first etching mask pattern(110a) on a silicon substrate(100c) to form a tip part of the probe in a first direction and forming side-wall areas at two sides of the first etching mask pattern; anisotropic-etching the silicon substrate to form two inclined surfaces of the probe; forming source and drain areas(160,170,180,190) on the silicon substrate by injecting dopants, using the side-wall area as masks, and removing the side-wall areas; removing the first etching mask pattern; forming a second etching mask pattern to form a tip part of the probe in a second direction; forming space layers at two sides of the second etching mask pattern; and etching the silicon substrate by photographing and etching processes and removing the space layers.
Abstract translation: 提供一种制造增强半导体探针的方法和使用其的信息存储装置，以减少器件性能中的工艺变量，并且通过使用侧壁对硅衬底进行各向异性湿蚀刻来提高批量生产的可靠性。 一种制造增强型半导体探针的方法包括以下步骤：在硅衬底（100c）上形成第一蚀刻掩模图案（110a），以在第一方向上形成探针的尖端部分，并在两侧形成侧壁区域 的第一蚀刻掩模图案; 各向异性蚀刻硅衬底以形成探针的两个倾斜表面; 通过注入掺杂剂在硅衬底上形成源极和漏极区域（160,170,180,190），使用侧壁区域作为掩模，并去除侧壁区域; 去除第一蚀刻掩模图案; 形成第二蚀刻掩模图案以在第二方向上形成探针的末端部分; 在第二蚀刻掩模图案的两侧形成空间层; 并通过拍摄和蚀刻工艺蚀刻硅衬底并去除空间层。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100842890B1
公开(公告)日：2008-07-03
申请号：KR1020070008059
申请日：2007-01-25
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11B9/02
Abstract: A bit recording method in ferroelectric media using a probe or conductive structure is provided to apply base bias voltage between switching voltages so as to prevent changes in potential and record a small bit. A bit recording method in ferroelectric media comprises the steps of: contacting a probe with the surface of a recording medium and applying switching voltages to the recording medium and the probe for recording bits; and equalizing the potential of the probe and the potential of the recording medium surface to prevent a potential distortion by applying base bias voltage between the switching voltages, where the base bias voltage is a voltage between the negative switch voltage and the ground voltage when recording '0' bit, and a voltage between the ground voltage and the positive switching voltage when recording '1' bit.
Abstract translation: 提供使用探针或导电结构的铁电介质中的位记录方法，以在切换电压之间施加基极偏置电压，以便防止电位变化并记录小位。 在铁电介质中的位记录方法包括以下步骤：将探针与记录介质的表面接触并向记录介质和探针施加开关电压以记录位; 并且通过在开关电压之间施加基极偏置电压来平衡探针的电位和记录介质表面的电位以防止电位失真，其中基极偏置电压是记录“负极”时的负开关电压和接地电压之间的电压 0'位，当记录“1”位时，接地电压与正切换电压之间的电压。
-
公开(公告)号：KR100821348B1
公开(公告)日：2008-04-11
申请号：KR1020070011636
申请日：2007-02-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B5/127
Abstract: A read/write head structure of an information storage device and a manufacturing method thereof are provided to form an external interconnection pad easily by installing a metal pad electrically connected to a read/write head. A method for manufacturing a read/write head structure of an information storage device comprises the steps of: patterning an etching mask on a silicon wafer; slantly etching the silicon wafer in the sectional direction through dry or wet process using the patterned etching mask; removing the etching mask; forming a read/write head(13) on the upper part of the silicon wafer; forming a metal pad(15) electrically connected with the read/write head on a slant surface(14); and splitting the read/write head by cutting the slant surface of the silicon wafer.
Abstract translation: 提供信息存储装置的读/写头结构及其制造方法，通过安装与读/写头电连接的金属垫，容易地形成外部互连衬垫。 一种用于制造信息存储装置的读/写头结构的方法包括以下步骤：在硅晶片上图案化蚀刻掩模; 使用图案化的蚀刻掩模，通过干法或湿法在横截面方向上倾斜蚀刻硅晶片; 去除蚀刻掩模; 在所述硅晶片的上部形成读/写头（13）; 在倾斜表面（14）上形成与所述读/写头电连接的金属焊盘（15）; 以及通过切割硅晶片的倾斜表面来分割读/写头。
-
公开(公告)号：KR100793369B1
公开(公告)日：2008-01-11
申请号：KR1020060063480
申请日：2006-07-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146 , H04N1/028
Abstract: 본 발명은 분해능이 향상되는 이미지 센서 및 이를 이용한 이미지 감지 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 이미지를 감지하기 위한 광전 변환 반도체 소자의 분해능을 변화시키기 않으면서 이미지의 분해능을 향상시키는 효과를 가지는 분해능이 향상되는 이미지 센서 및 이를 이용한 이미지 감지 방법에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명의 분해능이 향상되는 이미지 센서는 광전 변환을 통하여 이미지를 감지하는 것으로서, 평면상에서 이동 가능한 스캐너부; 상기 스캐너부 상에 고정되어 장착되고, 전면에 배열된 다수의 화소를 가지는 광전 변환 반도체 소자; 및 상기 광전 변환 반도체 소자 상에 상기 화소에 대응하여 배열된 컬러 필터 어레이를 포함한다.
본 발명에 의하면 종래에 사용되는 광전 변환 반도체 소자를 그대로 사용하면서 종래에는 감지될 수 없었던 이미지의 데이터까지 감지하여 원가의 상승이나 성능의 저하 없이 이미지의 분해능이 향상되는 효과가 있다.
화소, 스캐너부, 광전 변환, 반도체 소자, 컬러 필터, 마이크로렌즈-
公开(公告)号：KR1020070109776A
公开(公告)日：2007-11-15
申请号：KR1020060107484
申请日：2006-11-01
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11B9/02
Abstract: An electric field information reproducing head, an electric field information recording and reproducing head, a manufacturing method thereof, and an information keeping device thereof are provided to perform a mass production on a wafer easily and to improve reliability and economic efficiency. In an electric field information reproducing head(10), a medium corresponding surface includes a semiconductor substrate(11) having a resistance area(12) and a source and drain area(13,14). The resistance area is positioned at a center portion of one end and doped with a foreign material at low concentration. The source and drain area is positioned at both sides of the resistance area and doped with the foreign material at higher concentration than the resistance area. An electric field information recording and reproducing head includes an insulation screen positioned on the resistance area, and a writing electrode positioned on the insulation screen, additionally. An information keeping device thereof includes an information keeping medium having a recording layer formed by a strong dielectric body. A manufacturing method thereof includes a step of forming the resistance area at the medium corresponding surface by doping the other foreign material whose polarity is different from the polarity of the foreign material for the semiconductor substrate.
Abstract translation: 提供电场信息再现头，电场信息记录和再现头，其制造方法和信息保存装置，以容易地在晶片上进行批量生产，并提高可靠性和经济效率。 在电场信息再现头（10）中，介质对应表面包括具有电阻区域（12）和源极和漏极区域（13,14）的半导体衬底（11）。 电阻区域位于一端的中心部分，并以低浓度掺杂异物。 源极和漏极区域位于电阻区域的两侧，并且以比电阻区域更高的浓度掺杂异物。 电场信息记录和再现头包括位于电阻区域上的绝缘屏幕和位于隔离屏幕上的书写电极。 其信息保存装置包括具有由强介电体形成的记录层的信息保存介质。 其制造方法包括通过掺杂其极性与用于半导体衬底的异物的极性不同的其它异物形成在介质对应表面处的电阻区域的步骤。
-
公开(公告)号：KR100723410B1
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：KR1020050075250
申请日：2005-08-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01N13/16
CPC classification number: G11B9/1418 , G01Q70/10 , G01Q70/14 , G01Q70/16 , G01Q80/00
Abstract: 자기정렬된 메탈쉴드를 구비한 저항성 탐침의 제조방법이 개시된다. 개시된 자기정렬된 메탈쉴드를 구비한 저항성 탐침의 제조방법은, 기판 상에서 상기 저항성 팁 상에 제1절연층, 메탈 쉴드 및 제2절연층을 순차적으로 적층하는 단계; 상기 제2절연층을 식각하여 저항영역 상의 상기 메탈 쉴드를 노출하는 단계; 상기 노출된 메탈쉴드를 식각하는 단계; 상기 제1절연층을 식각하여 상기 저항영역을 노출하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 한다.
Abstract translation: 公开了一种制造具有自对准金属屏蔽的电阻探针的方法。 一种制造具有自对准金属屏蔽的电阻探针的方法包括：在衬底上的电阻性尖端上顺序沉积第一绝缘层，金属屏蔽和第二绝缘层; 蚀刻第二绝缘层以暴露电阻区上的金属屏蔽; 蚀刻暴露的金属屏蔽层; 并通过蚀刻第一绝缘层来暴露电阻区域。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
113
records
(took 0.051 seconds)
