公开(公告)号：KR1020160115240A

公开(公告)日：2016-10-06

申请号：KR1020150042493

申请日：2015-03-26

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 백승협 ,  김진상 ,  현도빈 ,  권범진 ,  김성근 ,  강종윤 ,  최지원

IPC: H01L35/32 ,  H01L35/02 ,  H01L35/14

Abstract: 본발명은소결열전소재와단결정열전소재를조합하여열전모듈을구성함에있어서소결열전소재와단결정열전소재의저항차이를최소화하여저항매칭을간소화함과함께열전성능을향상시킬수 있는열전모듈및 그제조방법에관한것으로서, 본발명에따른열전모듈은 p형열전소재와 n형열전소재로이루어지는열전셀을복수개포함하며, 상기 p형열전소재와 n형열전소재중 어느하나는소결열전소재를포함하여구성되며, 상기 p형열전소재와 n형열전소재중 어느하나는, 소결열전소재와, 상기소결열전소재의양단상에구비되어물질의고상확산을방지하는확산방지층과, 상기소결열전소재양단의확산방지층중 적어도어느하나이상의확산방지층상에구비되는금속블록층을포함하여구성되며, 상기금속블록층은상기소결열전소재보다상대적으로전기저항값이낮은것을특징으로한다.

Abstract translation: 本发明通过具有最小化烧结热电材料和单晶热电材料之间的电阻差改善了热性能和简化的电阻匹配sikilsu热电模块和生产，在通过组合的烧结热电材料和单晶热电材料构成的热电模块 本发明涉及一种方法，在本发明中，热电模块根据包括多个p型热电材料形成的热电单元和所述n型热电材料中，p型热电材料中的任一个和所述n型热电材料是，包括烧结热电材料 配置是，在和所述p型热电材料的任一项所述的n型热电材料是烧结热电材料和扩散阻挡层和在两端的烧结热电材料，以防止在烧结热电材料的两个单相具有的材料的固相扩散 防扩散层和金属阻挡层具有比烧结热电材料更低的电阻值。 罗汉。

公开(公告)号：KR1020160109589A

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：KR1020150034310

申请日：2015-03-12

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김성근 ,  조철진 ,  백승협 ,  권범진 ,  강종윤 ,  최지원 ,  정두석 ,  김진상

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02109 ,  H01L21/205

Abstract: 본발명의일 실시예에따른전구체경쟁흡착을이용한원자층증착방법은 (a) 기판상에제1전구체를주입하는단계, (b) 상기기판상에산소원료를주입하는단계, (c) 상기기판상에제1전구체및 제2전구체를함께주입하는단계및 (d) 상기기판상에산소원료를주입하는단계를포함할수 있다.

Abstract translation: 使用根据本发明的实施方案的前体的竞争性吸附的原子层沉积方法可以包括（a）将第一前体注入到基底上的步骤，（b）将氧（原料）注入到 所述基板，（c）将所述第一前体和所述第二前体注入到所述基板上的步骤，以及（d）将氧（原料）注入到所述基板上的工序。 因此，可以在形成电介质薄膜时控制精细的掺杂浓度。

公开(公告)号：KR101610738B1

公开(公告)日：2016-04-08

申请号：KR1020140067694

申请日：2014-06-03

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 강종윤 ,  윤석진 ,  김진상 ,  최지원 ,  백승협 ,  김성근 ,  권범진 ,  정우석

IPC: H01L41/083 ,  H01L41/113 ,  H01L41/16 ,  H01L41/047

Abstract: 본발명은이종(異種)의에너지발생수단들을결합하여하이브리드에너지를생성하는에너지발생장치에관한것이다. 본발명에따른하이브리드에너지발생장치는, 압전물질을포함하는적어도하나의압전부를구비한제 1 층및 정전물질을포함하는적어도하나의정전부를구비한제 2 층을포함하고, 제 1 층에가해지는외력에의한압력에따라압전부는압전에너지를생성하고, 외력에의한제 1 층과제 2 층의접촉및 분리에따라정전부는정전에너지를생성하는하이브리드에너지발생장치.

公开(公告)号：KR101450088B1

公开(公告)日：2014-10-16

申请号：KR1020120023257

申请日：2012-03-07

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김진상 ,  백승협 ,  최지원 ,  강종윤 ,  장호원 ,  윤석진

IPC: H01L35/02 ,  H01L35/34

Abstract: 본 발명은 평면형 다단 열전 모듈 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 기판; 상기 기판 상에 형성된 절연 멤브레인; 및 상기 절연 멤브레인 상에 형성되고, N-형과 P-형 열전 박막이 전극 배선을 통해 전기적으로 연결된 열전 셀들을 가지는 열전 소자를 포함하되, 상기 열전 소자가 절연 멤브레인의 평면 방향으로 2단 이상 배열된 평면형 다단 열전 모듈을 제공한다. 또한, 본 발명은 기판 상에 절연 멤브레인을 형성하는 단계; 상기 절연 멤브레인 상에 N-형과 P-형 열전 박막을 포함하는 열전 셀들을 형성하되, 상기 열전 셀들을 절연 멤브레인의 평면 방향으로 2단 이상 배열하는 단계; 상기 N-형과 P-형 열전 박막이 전기적으로 연결되도록 전극 배선을 형성하는 단계; 및 상기 기판의 배면을 에칭하는 단계를 포함하는 평면형 다단 열전 모듈의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 박막 상으로 패터닝하여 열전 소자를 형성하되, 열전 소자를 평면 방향으로 2단 이상 다단 배열하여, 국소적인 부위에 대해서 우수한 열전 특성(냉각/가열 능력)을 갖는다.

公开(公告)号：KR101405318B1

公开(公告)日：2014-06-13

申请号：KR1020130031654

申请日：2013-03-25

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김진상 ,  이득희 ,  백승협 ,  강종윤 ,  서상희 ,  최지원 ,  김성근

IPC: H01L35/14 ,  H01L35/16 ,  H01L35/18 ,  H01L35/34

CPC classification number: H01L35/14 ,  H01L35/16 ,  H01L35/18 ,  H01L35/34

Abstract: The present invention relates to bismuth telluride-indium selenide nanocomposite thermoelectric materials. The thermoelectric materials have the same composition as a chemical formula (Bi2(TeSe)3)1-x(In4Se3)x and in the chemical formula, the x provides the bismuth telluride-indium selenide nanocomposite thermoelectric materials having a value from 0.001 to 0.5. The bismuth telluride-indium selenide nanocomposite thermoelectric materials indicate significantly improved thermoelectric performance in a wide temperature range higher than room temperature, compared to existing thermoelectric materials and are helpfully used for a non-refrigerant refrigerator, general cooling machines such as an air conditioner, waste heat power generation, and structure materials of micro cooling /power generation systems.

Abstract translation: 本发明涉及碲化铋硒化铟纳米复合热电材料。 热电材料具有与化学式（Bi 2（TeSe）3）1-x（In 4 Se 3）x相同的组成，并且在化学式中，x提供了具有0.001至0.5的值的碲化铋 - 铟硒化物纳米复合热电材料 。 碲化铋 - 硒化铟纳米复合热电材料与现有的热电材料相比，在比室温高的宽温度范围内显示出明显改善的热电性能，有助于非制冷剂制冷机，一般冷却机如空调，废料 热发电和微型冷却/发电系统的结构材料。

公开(公告)号：KR1020140052162A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：KR1020120117042

申请日：2012-10-22

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김진상 ,  백승협 ,  윤석진 ,  최지원 ,  문선영 ,  김성근 ,  강종윤

IPC: G01N27/02 ,  G01N27/12 ,  G01J1/42

Abstract: The present invention relates to an oxide sensor and a method to manufacture the oxide sensor. The present invention provides an oxide sensor including: an oxide substrate; an oxide thin film layer formed on the oxide substrate and generating a two-dimensional electron gas (2DEG) layer on the bonding interface with the oxide substrate by including an oxide which is a different kind of the oxide substrate; and an electrode wiring connected to the 2DEG layer generated on the bonding interface of the oxide substrate and the oxide thin film layer. Furthermore, the present invention provides a method to manufacture the oxide sensor comprising the steps of: forming the oxide thin film layer generating the 2DEG layer on the bonding interface with the oxide substrate by depositing the oxide whereby is a different kind of the oxide substrate on the oxide substrate; etching the oxide thin film layer; and forming the electrode wiring connected to the 2DEG layer by depositing conductive materials on an etched portion. According to the present invention, it is possible to be ultra slim because the sensitivity of the ultra-thin film is high in principality whereby electrical conductivity of the 2DEG generated on the bonding interface with a different kind of changed oxide is used and be able to provide at a low cost by a simple manufacturing process.

Abstract translation: 本发明涉及氧化物传感器和制造氧化物传感器的方法。 本发明提供一种氧化物传感器，包括：氧化物基板; 氧化物薄膜层，其形成在所述氧化物基板上，并且通过包含作为所述氧化物基板的不同种类的氧化物，在与所述氧化物基板的接合界面上产生二维电子气（2DEG）层; 以及连接到在氧化物基板和氧化物薄膜层的接合界面上产生的2DEG层的电极配线。 此外，本发明提供一种制造氧化物传感器的方法，包括以下步骤：通过沉积氧化物形成在与氧化物基板的接合界面上产生2DEG层的氧化物薄膜层，由此作为氧化物基板的不同种类 氧化物基板; 蚀刻氧化物薄膜层; 以及通过在蚀刻部分上沉积导电材料来形成连接到2DEG层的电极配线。 根据本发明，由于超薄膜的灵敏度高，因此使用在不同种类的改变的氧化物的接合界面上产生的2DEG的导电性，因此可以超薄 通过简单的制造过程以低成本提供。

公开(公告)号：KR101344738B1

公开(公告)日：2013-12-26

申请号：KR1020110132714

申请日：2011-12-12

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 장호원 ,  윤석진 ,  김진상 ,  강종윤 ,  최지원 ,  문희규

IPC: G01N27/407 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B82Y15/00 ,  B82Y40/00 ,  G01N27/12

Abstract: 본발명은고감도투명가스센서및 그제조방법에관한것이다. 본발명은투명기판; 상기투명기판상에형성된투명전극; 및상기투명전극상에형성된투명가스감지층을포함하고, 상기투명가스감지층은투명전극상에형성된나노기둥과, 상기나노기둥의사이에형성된가스확산공극을포함하는나노주상구조를가지는투명가스센서를제공한다. 또한, 본발명은투명기판상에투명전극을형성하는제1단계; 상기투명전극상에투명가스감지층을형성하는제2단계를포함하고, 상기제2단계에서는투명가스감지층을투명전극상에형성된나노기둥과, 상기나노기둥의사이에형성된가스확산공극을포함하는나노주상구조를가지도록형성하는투명가스센서의제조방법을제공한다. 본발명에따르면, 투명성을확보하여투명전자기기나유리창등의투명제품에설치가가능하고, 감도가뛰어나외부에서어떠한열을가하지않을경우에도우수한가스감응도를갖는다. 그리고소비전력이낮아휴대폰과같은모바일기기에도장착이가능하다.

公开(公告)号：KR1020130139603A

公开(公告)日：2013-12-23

申请号：KR1020120063206

申请日：2012-06-13

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 강종윤 ,  윤석진 ,  도영호 ,  최지원 ,  송현철 ,  백승협 ,  김진상

IPC: H01L41/22 ,  H01L41/02

CPC classification number: H01L41/113 ,  H01L41/183 ,  H01L41/312 ,  H01L41/317 ,  Y10T29/42

Abstract: The present invention relates to a method for manufacturing a flexible piezoelectric energy harvesting device using a piezoelectric composite. The method according to the present invention comprises the steps of: forming a first electrode layer on a first flexible substrate; spin-coating, on the first electrode layer, a piezoelectric composite layer produced by a mixture of piezoelectric powder and a polymer; hardening the piezoelectric composite layer by heat treatment; and bonding a second flexible substrate with a second electrode layer on the hardened piezoelectric composite layer. Therefore, the flexible piezoelectric energy harvesting device can be realized by adopting the piezoelectric composite layer manufactured by a mixture of the piezoelectric powder and the polymer, thereby simplifying a manufacturing process and manufacturing a high efficiency flexible piezoelectric energy harvesting device having various sizes and patterns. [Reference numerals] (AA) Heat treatment

Abstract translation: 本发明涉及使用压电复合材料制造柔性压电能量收集装置的方法。 根据本发明的方法包括以下步骤：在第一柔性基板上形成第一电极层; 旋涂在第一电极层上，由压电粉末和聚合物的混合物制成的压电复合层; 通过热处理硬化压电复合层; 以及在硬化的压电复合层上将第二柔性基板与第二电极层接合。 因此，柔性压电能量收集装置可以通过采用由压电粉末和聚合物的混合物制成的压电复合层来实现，从而简化制造工艺并制造具有各种尺寸和图案的高效柔性压电能量收集装置。 （标号）（AA）热处理

公开(公告)号：KR101316734B1

公开(公告)日：2013-10-10

申请号：KR1020120011844

申请日：2012-02-06

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 장호원 ,  윤석진 ,  우덕하 ,  김진상 ,  권효진 ,  강종윤 ,  최지원

IPC: B82Y30/00 ,  H02S30/00 ,  B82B1/00 ,  G02B1/113

CPC classification number: H01L31/02327 ,  B82Y30/00 ,  C03C17/42 ,  C03C2217/425 ,  C03C2217/73 ,  C03C2217/76 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/02366 ,  H02S40/10 ,  Y02E10/50 ,  Y10S977/755 ,  Y10T428/24355

Abstract: 본 발명은 소수성 반사방지 기판 및 그 제조방법, 그를 포함하는 태양전지 모듈에 관한 것이다. 본 발명은 기판; 상기 기판 상에 형성된 나노 구조부와, 상기 나노 구조부의 사이에 형성된 나노 공극부를 가지는 나노 구조층; 및 상기 나노 구조부에 형성된 소수성 코팅막을 포함하는 소수성 반사방지 기판 및 이를 포함하는 태양전지 모듈을 제공한다. 또한, 본 발명은 기판 상에 나노 구조부와, 상기 나노 구조부의 사이에 형성된 나노 공극부를 가지는 나노 구조층을 형성하는 제1단계; 및 상기 나노 구조부에 소수성 코팅막을 형성하는 제2단계를 포함하는 소수성 반사방지 기판의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 기판 상에 다공성의 나노 구조층이 형성되고, 상기 나노 구조층에는 소수성 코팅막이 형성되어 물방울 접촉각이 큰 초소수성을 갖는다. 또한, 다공성의 표면 나노 구조에 의해 광굴절율이 작아 낮은 반사도, 즉 높은 반사 방지특성을 가지며, 이와 함께 높은 광투과도를 갖는다.

公开(公告)号：KR101303853B1

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：KR1020110010134

申请日：2011-02-01

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 강종윤 ,  강민규 ,  윤석진 ,  김진상 ,  최지원 ,  장호원 ,  도영호 ,  오승민

IPC: C30B29/32 ,  C01G23/04 ,  H01L21/31 ,  H01L27/04

Abstract: 본 발명은 강유전체 박막의 형성방법 및 평면 구조 소자의 제조방법에 관한 것으로, 300℃ 이하의 저온에서 강유전체 박막을 형성(제조)시킬 수 있는 강유전체 박막의 형성방법, 및 이를 이용한 평면 구조 소자의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 (ⅰ) 기판 상에 비정질의 예비 강유전체 박막을 형성하는 단계; 및 (ⅱ) 상기 비정질의 예비 강유전체 박막에 엑시머 레이저를 조사하여 결정화하는 단계를 포함하되, 상기 (ⅰ)단계에서는 비정질의 예비 강유전체 박막을 50㎚ 이상의 두께로 형성하고, 상기 (ⅱ)단계에서는 엑시머 레이저를 50 mJ/㎠ 내지 200 mJ/㎠의 에너지 밀도와, 1회 내지 2,000회의 조사횟수로 조사하는 강유전체 박막의 형성방법, 및 이를 포함하는 평면 구조 소자의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 300℃ 이하의 저온에서 강유전체 박막을 형성(결정화)할 수 있으며, 엑시머 레이저 어닐링의 특성상 박막 하단부에 잔존하는 비정질층의 영향을 받지 않는 평면 구조 소자(Device of planar structure)를 구현하여 고온 소결에 의한 박막보다 우수한 유전 특성을 가지는 강유전체 소자를 제조할 수 있다.