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公开(公告)号：KR101019029B1
公开(公告)日：2011-03-04
申请号：KR1020080080167
申请日：2008-08-14
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C30B29/02 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/188 , C23C16/01 , C23C16/26 , C30B25/02 , C30B29/04 , Y10S977/742 , Y10T428/30
Abstract: 본 발명은 모재와 그라핀이 화학적으로 결합된 그라핀 하이브리드 물질 및 화학기상증착(CVD)법을 이용하여 상기 그라핀 하이브리드 물질을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 표면에 단절된 격자 면을 갖는 모재와, 상기 모재 표면의 단절된 격자 면을 따라 에피택셜 성장된 그라핀을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 그라핀 하이브리드 물질을 제공한다. 본 발명에 의하면 그라핀을 직경 8 인치 이상의 대면적으로 제조할 수도 있다.
본 발명에 따른 그라핀 하이브리드 물질은 체내 이식형 바이오칩, 차세대 반도체 소자, 전자 에미터 등과 같은 탄소나노튜브의 응용 분야에 사용될 수 있다. 본 발명의 그라핀은 나노 사이즈보다 작은 분자 수준으로 제어될 수 있으므로, 탄소나노튜브보다 더 뛰어난 특성을 발휘한다. 또한, 그라핀 간 거리가 흑연의 것보다 10∼20% 큰 특성을 이용하면, 그라핀은 다양한 GIC (Graphite Intercalation Compound) 신물질 개발에 응용될 수 있다.
그라핀, 탄소, 분자, 나노, CVD 합성, 다이아몬드, 하이브리드 물질-
公开(公告)号：KR1020090124341A
公开(公告)日：2009-12-03
申请号：KR1020080050480
申请日：2008-05-29
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: B01J3/006 , B01J19/088 , B01J2219/0809 , B01J2219/0879 , B01J2219/0894 , C01B32/20 , C01B32/25 , C01B32/28 , C30B29/04 , C30B33/02 , Y10T428/30 , B32B19/00 , B32B19/04
Abstract: PURPOSE: An AA stacked graphene-diamond hybrid material and a manufacturing method thereof are provided to form the AA stacked grapheme having good property on a diamond substrate with a simple process by changing the diamond surface to graphene. CONSTITUTION: An AA stacked graphene-diamond hybrid material is formed by including AA stacked graphene changed to the constant thickness by alternating disappearance of a partition surface and a diamond base material. A hydrogen atom is combined on a severed diamond lattice in which the graphene and diamond are not combined between the AA stacked grapheme and the changed diamond base material. The diamond base material is powder, a membrane or a sheet form.
Abstract translation: 目的：提供一种AA堆叠的石墨烯 - 金刚石混合材料及其制造方法，通过将金刚石表面改变为石墨烯，通过简单的工艺在金刚石基底上形成具有良好性能的AA堆叠图形。 构成：AA层叠的石墨烯 - 金刚石混合材料通过包括通过分隔表面和金刚石基底材料的交替消失将AA叠层石墨烯包括在恒定厚度上而形成。 氢原子组合在切割的金刚石晶格上，其中石墨烯和金刚石不在AA堆叠的图形和改变的金刚石基材之间组合。 金刚石基材是粉末，膜或片形式。
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公开(公告)号：KR1020090017454A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：KR1020080080167
申请日：2008-08-14
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C30B29/02 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/188 , C23C16/01 , C23C16/26 , C30B25/02 , C30B29/04 , Y10S977/742 , Y10T428/30
Abstract: A grapheme hybrid material in which grapheme is epitaxially grown to form a predetermined angle to the surface of a matrix using chemical vapor deposition is provided, a method for preparing the same is provided, a method of preparing grapheme to a large diameter of 8 inches or more is provided, and a method of obtaining a grapheme/matrix hybrid material and a carbon nanomaterial/diamond film hybrid material at the same time and obtaining a CVD diamond film and grapheme successively is provided. A grapheme hybrid material comprises: a matrix having a cut lattice plane on the surface thereof; and grapheme epitaxially grown along the cut lattice plane of the matrix surface. A method for preparing a grapheme hybrid material comprises epitaxially growing the graphene along the cut lattice plane of the matrix surface while forming a predetermined angle to the matrix by a chemical vapor deposition method of contacting reaction gas comprising hydrogen and carbon components with a matrix having a cut lattice plane on the surface thereof such that graphene is capable of being epitaxially grown on the cut lattice plane.
Abstract translation: 提供了一种使用化学气相沉积外延生长以形成与基体表面成预定角度的图形化的混合材料，提供了一种制备方法，该方法用于制备8英寸的大直径或 提供了更多的方法，并且提供了一种同时获得图形/矩阵混合材料和碳纳米材料/金刚石膜混合材料并连续获得CVD金刚石膜和图形的方法。 一种图形混合材料包括：在其表面上具有切割晶格面的矩阵; 以及沿矩阵表面的切割晶格面外延生长的图形。 一种制备字母杂化材料的方法包括沿着矩阵表面的切割晶格面外延生长石墨烯，同时通过化学气相沉积方法与基体形成预定的角度，该方法使含有氢和碳组分的反应气体与具有 在其表面上切割晶格面，使得石墨烯能够在切割的晶格面上外延生长。
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公开(公告)号：KR100714275B1
公开(公告)日：2007-05-04
申请号：KR1020050074398
申请日：2005-08-12
Applicant: 한국과학기술연구원
Inventor： 이전국
Abstract: 본 발명은 내장형 캐패시터에 관한 것으로, 양극산화에 의하여 나노 기공 어레이가 형성된 인쇄배선기판용 내장형 캐패시터를 제공한다. 본 발명에 따르면, 공정 온도를 200℃ 이하로 낮추고, 캐패시턴스 밀도를 300 nF/cm
2
이상으로 높일 수 있는 새로운 개념의 임배디드 캐패시터를 제조할 수 있다. 본 발명을 통해 구현한 실리콘 기판 위에 형성된 알루미늄/알루미나 나노 기공 캐패시터는, 150 μm 직경 상부 패드, 10 MHz 측정으로 86 nF/cm
2 의 캐패시턴스 밀도를 관찰하였다.
내장형 캐패시터(embedded capacitor), 양극산화(anodic oxidation), 알루미늄, 타이타늄, 인쇄배선기판(PWB)-
公开(公告)号：KR100489640B1
公开(公告)日：2005-05-17
申请号：KR1020030028051
申请日：2003-05-01
Applicant: 한국과학기술연구원
Inventor： 이전국
IPC: C25D11/30
Abstract: 본 발명은 마그네슘 합금의 내부식 코팅 기술에 관한 것으로, 내부식 성능이 향상되고, 불화물, 크롬 및 망간 성분과 같은 환경 오염 물질을 사용하지 아니하고, 양극산화처리용 전해질 용액의 주원료로서 입수가 용이하고 경제적인 물질을 사용하는 환경 친화적이고 경제적인 마그네슘 합금의 내부식 코팅 방법 및 여기에 사용되는 전해질 용액에 관한 것이다. 본 발명의 양극산화처리용 전해질 용액 및 이를 이용하는 마그네슘 합금의 내부식 코팅 방법은 우주 항공소재, 휴대용 가전기기 케이스 등의 내부식 코팅 핵심기술로 활용 가능하다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100355346B1
公开(公告)日：2002-10-11
申请号：KR1020000004293
申请日：2000-01-28
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 산화물 후막의 치밀화 공정에 있어서, 기판 위에 형성된 산화물 후막을 금속 또는 산화물 부도체 박막으로 인캡슐레이션(encapsulation)시키고, 600 ~ 900℃의 온도에서 20 ~ 3000 기압의 압력으로 가스 가압소결하는 것을 특징으로 하는 산화물 후막의 치밀화 방법을 제공한다. 본 발명에 의하면, 현재 사용되는 산화물 후막, 예를 들어 압전 후막 등의 밀도를 획기적으로 증대시켜서, 전기적 물성이 벌크(bulk)값 정도에 이를 수 있다. 또한 본 발명의 가스 가압 소결법은 가스의 등방향 압축을 이용한 치밀화 기술로서, 시편을 여러 층으로 쌓아서 수행할 수 있어서, 실제 양산화 공정에 적용이 가능하다. 높은 압력에서 소결하므로 승압 융점 강하 현상으로 저온에서 소결 및 치밀화할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020010046843A
公开(公告)日：2001-06-15
申请号：KR1019990050777
申请日：1999-11-16
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/8247
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a multicomponent oxide ferroelectric thin film including a volatile component is provided to control loss of a volatile component generated in forming the multicomponent oxide thin film by using a radio frequency(RF) magnetron sputtering method. CONSTITUTION: A target(15) composed of a multicomponent oxide material is sputtered to form a multicomponent oxide thin film on a substrate by a radio frequency(RF) magnetron sputtering method. A vacuum chamber where the sputtering process is performed is maintained at a pressure from 200 to 300 milli Torr to reduce loss of a volatile component of the thin film during the sputtering process.
Abstract translation: 目的：提供一种制造包含挥发性成分的多组分氧化物铁电薄膜的方法，以通过使用射频（RF）磁控溅射法来控制在形成多组分氧化物薄膜时产生的挥发性成分的损失。 构成：通过射频（RF）磁控溅射法溅射由多组分氧化物材料组成的靶（15），以在衬底上形成多组分氧化物薄膜。 进行溅射处理的真空室保持在200-300毫乇的压力下，以减少溅射过程中薄膜挥发性成分的损失。
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公开(公告)号：KR1019980015101A
公开(公告)日：1998-05-25
申请号：KR1019960034331
申请日：1996-08-20
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L29/78 , H01L27/108 , H01L21/31 , C23C14/35
Abstract: 백금/티탄/산화규소/규소(Pt/Ti/SiO
2 /Si)가 순차적으로 적층된 기판 위에 스트른튬 비스무스 탄탈륨 산화물(SrBi
2 Ta
2 O
9) 을 박막원료로 하고 알 에프 마그네트론 스퍼터링법(RF magnetron sputtehng)을 이용하여 강유전 스트론튬 비스무스 탄탈륨 산화물(SrBi
2 Ta
2 O
9) 박막을 제조함메 있어서, 일정한 비율로 아르곤과 산소 존재하에 증착시켜 우선 배향성의 불휘발성 강유전 스트른튬 비스무스탄탈륨 산화물(SrBi
2 Ta
2 O
9 ) 박막의 제조방법에 관한 것 임. -
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