公开(公告)号：KR100351197B1

公开(公告)日：2002-09-05

申请号：KR1020000046490

申请日：2000-08-11

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 송종한 ,  최원국 ,  양정수 ,  김태곤 ,  황정남

IPC: H01L21/28

Abstract: 금속이온을 포함하는 플라즈마를 이용한 금속박막 형성방법에 관하여 개시한다. 본 발명은, 금속이온이 포함된 플라즈마에 기판을 노출시키되, 상기 기판에 수∼수십 kV대의 음의 고전압을 인가함으로써 상기 기판 표면에 금속이온주입에 따른 동적 이온선 혼합 효과에 의한 계면 혼합층을 형성시킨 후 금속박막을 증착시키는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 종래와 같이 접착력의 개선을 위한 별도의 전처리 공정을 행하지 않고도 단 한번의 스텝(step)으로 접착력이 개선된 금속박막을 형성시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR100343717B1

公开(公告)日：2002-07-20

申请号：KR1019997011143

申请日：1998-12-03

Applicant: 한국과학기술연구원 ,  주식회사 엘지이아이

Inventor： 고석근 ,  정형진 ,  최원국 ,  강병하 ,  김기환 ,  하삼철 ,  김철환 ,  최성창

IPC: C23C16/44

CPC classification number: C23C16/503 ,  B05D1/62 ,  B05D3/148 ,  B05D5/083 ,  C23C16/30 ,  C23C16/50 ,  C23C16/515 ,  C23C16/56 ,  F25B47/003 ,  F28F13/18 ,  F28F2245/02 ,  F28F2245/04

Abstract: 본발명에따르면, (a) 챔버내에표면처리되는금속인양극과, 음극을위치시키고; (b) 상기챔버내의압력을소정진공상태로유지하고; (c) 소정압력의불포화지방족탄화수소단량체가스및 중합불능가스를전체반응가스에대하여상기중합불능가스의비율을 50 - 90%가되도록상기챔버내로도입하고; (d) 상기전극에전압을인가하여 DC 방전에의해, 상기챔버내에도입된불포화지방족탄화수소단량체가스및 상기중합불능가스로부터양(+) 및음(-) 이온과라디칼로이루어지는플라즈마를얻고, 플라즈마증착에의해상기양극표면에친수성을갖는고분자중합막을형성하는; DC 방전플라즈마를이용하여열교환기와같은냉동공조에이용되는금속재료표면상에고분자중합막을합성하는방법이제공된다.

公开(公告)号：KR1020020014202A

公开(公告)日：2002-02-25

申请号：KR1020000047356

申请日：2000-08-17

Applicant: 광주과학기술원 ,  한국과학기술연구원

Inventor： 이지면 ,  김경국 ,  최원국 ,  박성주

IPC: H01L21/3065

Abstract: PURPOSE: A method for dry-etching a zinc oxide is provided to obtain a higher etch rate as compared with a conventional wet-etch method, to improve an optical characteristic of a thin film by using a hydrogen passivation effect and to improve an isotropic etch characteristic by controlling radio frequency(RF) power. CONSTITUTION: A substrate on which a zinc oxide is deposited is settled on a susceptor in a reaction chamber. Gas including methane is supplied to the inside of the reaction chamber to generate plasma. The zinc oxide is dry-etched by using the plasma. The gas including the methane further includes hydrogen or argon.

Abstract translation: 目的：提供一种用于干法蚀刻氧化锌的方法，以获得比常规湿式蚀刻方法更高的蚀刻速率，通过使用氢钝化效应来改善薄膜的光学特性并改善各向同性蚀刻 通过控制射频（RF）功率的特性。 构成：将沉积有氧化锌的基板沉积在反应室中的基座上。 包括甲烷在内的气体被供应到反应室的内部以产生等离子体。 通过使用等离子体对氧化锌进行干式蚀刻。 包括甲烷在内的气体还包括氢或氩。

公开(公告)号：KR1020020013992A

公开(公告)日：2002-02-25

申请号：KR1020000046490

申请日：2000-08-11

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 송종한 ,  최원국 ,  양정수 ,  김태곤 ,  황정남

IPC: H01L21/28

Abstract: PURPOSE: A method for forming a metal thin film using plasma including a metal ion is provided to improve adhesion of the metal thin film, by making the metal ion implanted into a substrate in an initial state of a deposition process so that an interface composite layer is formed. CONSTITUTION: The substrate is exposed to the plasma including the metal ion, and a negative voltage is applied to the substrate. The metal thin film(102) is deposited after the interface composite layer(100) caused by a dynamic ion mixing effect according to the injection of the metal ion is formed on the substrate.

Abstract translation: 目的：提供使用包含金属离子的等离子体形成金属薄膜的方法，以通过在沉积工艺的初始状态下将金属离子注入到基板中，从而提高金属薄膜的粘合性，使得界面复合层 形成了。 构成：将衬底暴露于包括金属离子的等离子体，并向衬底施加负电压。 根据在基板上形成金属离子的注入，通过动态离子混合效应在界面复合层（100）之后，沉积金属薄膜（102）。

公开(公告)号：KR100305903B1

公开(公告)日：2001-12-17

申请号：KR1019980033967

申请日：1998-08-21

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 윤영수 ,  정형진 ,  최원국 ,  윤석진

IPC: H01L23/58 ,  H01M6/18

Abstract: 본 발명은 전기 또는 전자 소자의 전력공급원으로 사용되는 박막형 전지를 소자의 상단면 위에서 상기 소자와 수직으로 통합하고 형성함으로써, 소자와 박막형 전지가 수직으로 배열되는 구조를 가지는 전기 또는 전자소자를 제공한다.
이러한 구조의 소자에서는, 기판등에서 전지가 차지하는 공간을 제거함으로써, 소자가 차지하는 공간이 극소화되고, 소자의 집적도를 높일 수 있다. 또한, MEMS 소자와 같은 마이크로닉 소자의 초소형 전력공급계로 이용될 수도 있다.

公开(公告)号：KR1020010103237A

公开(公告)日：2001-11-23

申请号：KR1020000024464

申请日：2000-05-08

Applicant: 광주과학기술원 ,  한국과학기술연구원

Inventor： 김한기 ,  성태연 ,  한상헌 ,  최원국

IPC: H01L33/40

Abstract: 본 발명은 오믹 접촉(ohmic contact) 형성을 이용한 산화아연(ZnO) 산화물 반도체의 발광 다이오드(LED) 및 레이저 다이오드(LD)용 금속 박막 제조 방법에 관한 한 것이다.
본 발명은 오믹 접촉 형성을 이용한 산화아연 산화물 반도체의 발광 다이오드 및 레이저 다이오드용 금속 박막 제조 방법에 있어서, 산화 알루미늄 기판 상에 n형 산화아연 산화물 반도체층을 형성하는 제 1 단계와; n형 산화아연 산화물 반도체층상에 산소의 반응층인 제 1 금속 박막을 형성하는 제 2 단계와; 제 1 금속 박막 상에 캐리어 주입층인 제 2 금속 박막을 형성하는 제 3 단계를 포함한다. 따라서, 본 발명은 산화아연 산화물 반도체의 상업화를 가속화시킬 수 있으며, 디바이스의 수율을 높일 수 있을 뿐만 아니라, 고온 열처리에 의한 소자성능의 저하를 막을 수 있다. 또한, 낮은 비접촉 저항과 우수한 전류-전압 특성과 같은 매우 우수한 전기적 특성으로 인한 전기적 손실의 감소로 광학적 효과도 매우 우수할 것으로 기대되기 때문에, 최근 차세대 청색 발광 물질로 각광을 받고 있는 산화아연 산화물 반도체의 발광소자 및 레이저 다이오드 개발에 이용될 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100296739B1

公开(公告)日：2001-10-26

申请号：KR1019980022956

申请日：1998-06-18

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 윤영수 ,  정형진 ,  최원국 ,  신영화

IPC: H01M6/46

Abstract: 본 발명은 박막형 전지를 제작할 때 기판상에 트렌치 구조를 형성하여 단위 면적당 전극과 전해질 간에 접촉된 유효 계면의 크기를 증가시키고 보다 많은 양의 전극을 합성함으로써, 박막형 전지의 제조시에 발생되는 낮은 전류 밀도 및 낮은 충전 용량의 문제점을 해결하여 높은 전류 밀도 및 충전 용량을 갖도록 하여 박막형 전지가 마이크로일렉트로닉 전기, 전자 소자 뿐 아니라 휴대폰, 휴대용 PC 와 같은 개인용 전기, 전자 장치 및 높은 소비전력의 MEMS 소자의 전력원으로도 사용가능하도록 한 것이다.

公开(公告)号：KR1019990041210A

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019970061767

申请日：1997-11-21

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 고석근 ,  김기환 ,  김철환 ,  정형진 ,  최원국 ,  하삼철

IPC: C23C16/00

Abstract: 반응성 가스를 일정량 주입하면서 고분자를 합성하는 고분자 합성방법에 있어서, 반응성 가스를 직류 또는 고주파로 방전시켰을 때 반응성 가스의 플라즈마를 이용하여 재료의 표면에 성질이 다른 중합막을 형성하는 기술로서, 특히 방전의 직류전류, 직류전압, 고주파전력, 재료의 위치 및 증착시간등을 최적화 하면서 중합막의 성질을 바꾸는 고분자 합성방법에 관한 것이다. 진공상태하에서 반응성 가스를 진공챔버에 주입하여 플라즈마의 상태에서 기판 시료를 양극(또는 능동전극) 또는 음극(또는 수동전극)으로 하여 전압을 인가시키면 기판의 표면에 중합물이 증착된다. 본 발명에서는 낮은 에너지와 저 진공상태에서, 시료와 증착시키고자 하는 입자사이에 전위차를 발생시키므로써, 시료의 표면에 새로운 화학적 구조를 가진 물질을 생성하게 되는데, 시료에 증착된 물질의 표면은 반응가스의 종류, 직류전류, 전압, 고주파전력, 증착시간에 따라 여러 가지 다른 화학적 결합이 이루어져 필요에 따라 표면강도의 변화, 접착(adhesion), 흡착(adsorption), 친수성(hydrophilic), 소수성(hydrophobic) 등의 특성을 얻을 수 있다. 이러한 공정을 이용하면 재료 기판의 고유한 성질에는 영향을 주지 않고 시료의 표면에 새로운 물질을 생성할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019980009406A

公开(公告)日：1998-04-30

申请号：KR1019960028026

申请日：1996-07-11

Applicant: 주식회사 삼양홀딩스 ,  한국과학기술연구원

Inventor： 박성철 ,  김성룡 ,  최영준 ,  송준섭 ,  고석근 ,  최원국 ,  정형진

IPC: C09J5/02 ,  C09J123/00

公开(公告)号：KR101784318B1

公开(公告)日：2017-10-12

申请号：KR1020150163895

申请日：2015-11-23

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최원국 ,  황도경 ,  이윤재 ,  함소라

IPC: C01B31/02 ,  C01B13/14 ,  C01G9/02 ,  C08L39/06 ,  C08L101/00

Abstract: 본발명은나노링(nano-ring) 구조의탄소나노튜브를제조함에있어서, 나노크기의산화물입자를나노링형성을위한템플레이트(template) 즉, 형판(型板)으로이용함으로써안정적인나노링형성이가능하도록함과함께, 탄소나노튜브와결합용고분자의비공유결합을유도하여나노링(nano-ring) 구조의탄소나노튜브수율을향상시킬수 있는나노산화물입자를이용한나노링구조의탄소나노튜브제조방법및 나노링구조의탄소나노튜브에관한것으로서, 본발명에따른나노산화물입자를이용한나노링구조의탄소나노튜브제조방법은금속산화물전구체용액과산 처리된탄소나노튜브를반응시켜, 금속산화물입자의둘레에탄소나노튜브가결합된형태의금속산화물-탄소나노튜브복합체를제조하는단계; 금속산화물-탄소나노튜브복합체를결합용고분자용액에투입하여, 결합용고분자와탄소나노튜브의비공유결합을유도하는단계; 및결합용고분자가결합된금속산화물-탄소나노튜브복합체를산 용액과반응시켜, 금속산화물입자를제거하여나노링구조의탄소나노튜브를형성하는단계를포함하여이루어지는것을특징으로한다.

Abstract translation: 本发明通过使用纳米尺寸的氧化物颗粒作为用于在纳米环碳纳米管的生产中形成纳米环的模板，可以形成稳定的纳米环。 作为一起在下文中，制造碳纳米管和纳米环结构使用纳米氧化物粒子可以提高碳纳米管，纳米环（纳米环）结构的产率，以诱导非共价的聚合物的结合用于接合碳纳米管的方法和 它涉及到纳米环结构，根据本发明由金属氧化物前体溶液和酸处理碳纳米管，金属氧化物颗粒的周围反应使用纳米氧化物颗粒的纳米环结构的碳纳米管制造方法的碳纳米管 以结合乙酮纳米管的形式制备金属氧化物 - 碳纳米管复合物; 将金属氧化物 - 碳纳米管复合物引入聚合物溶液中进行结合以诱导结合聚合物和碳纳米管的非共价键合; 以及使其上结合有粘合聚合物的金属氧化物 - 碳纳米管复合物与酸溶液反应以去除金属氧化物颗粒以形成具有纳米环结构的碳纳米管的步骤。