-
公开(公告)号：KR102222772B1
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：KR1020190122140
申请日：2019-10-02
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은이차스퍼터링현상을이용하여고분자패턴이형성된기판에다성분물질의필름을증착한다음, 2회의이온식각공정을통해규칙적인배열을가지며, 다양한조성의조합이가능한다성분계나노패턴을제작할수 있으며, 규칙적으로배열된다성분계나노구조체를필요로하는트랜지스터, 유기광전자소자, 촉매, 가스센서등의응용분야에적용할수 있다.
-
公开(公告)号：KR1020170095054A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：KR1020160016559
申请日：2016-02-12
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01B13/00 , H01B5/14 , H01B1/02 , H01B3/08 , H01L21/027 , H01L21/3213
Abstract: 본발명은희생층이형성되어있는기판위에매크로프리패턴을형성하고, 메탈을증착하거나메탈을증착한다음매크로프리패턴을형성한후에, 이온식각공정을통해메탈을매크로프리패턴의측면에재증착시켜패턴을형성하고에칭을통해프리패턴의잔여층을제거한다음, 유연기판물질을도포및 경화시키고희생층을제거하여메탈투명전극을제조하는방법에관한것으로서, 이와같이제조된유연메탈투명전극은높은종횡비, 전도성및 투과도를확보하여고성능의투명전극의제작이가능하고, 또한높은해상도의선폭으로인해, 높은메쉬밀도구성이가능하여소자구현시전자의이동효율을향상시킬수 있고, 탁도(haze)와모아레현상과같은시인성문제, 기계적유연성, 표면거칠기및 기판과의접착성문제를해결할수 있다.
Abstract translation: 本发明沉积形成，其形成有牺牲层在基板上的自由宏观图案的金属材料，沉积金属或沉积金属在宏hanhue形成预图案，在自由宏观图案的侧离子蚀刻工艺 如通过蚀刻去除所述预图案的剩余层施加和固化，然后在柔性基板材料和用于制造金属透明电极去除牺牲层的方法，以这种方式形成的图案所产生的柔性金属透明电极是高纵横比 担保，电导率和磁导率，使生产的高性能的透明电极的，并且还由于该高分辨率的线宽度，并sikilsu高网格密度配置的，以提高电子的移动效率时，该设备的实现中，浊度（雾度）和莫尔 可以解决诸如显影，机械柔韧性，表面粗糙度和对基材的粘附性等可视性问题。
-
公开(公告)号：KR101742240B1
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：KR1020150122502
申请日：2015-08-31
Applicant: 숭실대학교산학협력단 , 한국과학기술원
CPC classification number: H03K17/962 , G01L1/142 , G06F3/0414 , G06F3/044 , G06F2203/04105
Abstract: 본발명의커패시터형촉각센서는제 1 전극, 제 1 전극의상부면에형성된활성층, 및활성층의상부면에형성된제 2 전극을포함한다. 이때, 활성층은이온성탄성중합체로이루어진것이고, 외부압력에의하여표면의유효이온의농도가조절된다.
-
公开(公告)号：KR101284274B1
公开(公告)日：2013-07-08
申请号：KR1020110132845
申请日：2011-12-12
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명은 나노채널 구조체를 구비하는 센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 패턴화된 고분자 구조체의 외주면에 물리적 이온 식각공정을 통한 이온 봄바드먼트(ion bombardment) 현상을 적용하여 목적물질을 부착시킨 목적물질-고분자 복합구조체를 형성시킨 다음, 상기 목적물질-고분자 복합구조체의 고분자를 제거하여 나노채널 구조체를 제조하고, 상기 제조된 나노채널 구조체를 적용함으로써 센서의 감응성을 향상시킨 나노채널 구조체를 구비하는 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 물리적 이온 식각을 통한 이온 봄바드먼트 현상을 적용하여 센서용 채널을 제조함으로써 간단한 공정과 저렴한 비용으로 다양한 선폭과 형태를 가지는 동시에 최대 10nm 수준의 선폭을 가지는 극미세 나노채널 구조체를 제조할 수 있어 뛰어난 감응성을 요하는 센서에 유용하게 사용할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020130055813A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：KR1020110121435
申请日：2011-11-21
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: B81C1/00111 , B82Y40/00
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a three dimensional multicomponent nanostructure is provided to obtain high aspect ratio and uniformity by simple processes by applying an ion bombardment phenomenon through a physical ion etching. CONSTITUTION: A manufacturing method of a three dimensional multicomponent nanostructure comprises a step of forming a first target material layer(120) and a first polymer layer(130) in order on a substrate(110); a step of forming a first polymer structure by conducting a lithography process on the first polymer layer; a step of ion etching the first target material layer and forming a first target material-polymer composite structure on a substrate; a step of obtaining a first nanostructure(200) by removing a first polymer of the first target material-polymer layer; a step of forming a second polymer layer on the first nanostructure and forming a second polymer structure patternized by conducting a lithography process; a step of forming a second target material layer(160) in the second polymer structure; a step of forming a second target material-polymer composite structure on a substrate by ion etching the whole second target material layer; a step of forming a second nanostructure(250) by removing the second polymer; and a step of repeating the previous steps to manufacture the three dimensional multicomponent nanostructure.
Abstract translation: 目的：提供三维多组分纳米结构的制造方法，通过物理离子蚀刻施加离子轰击现象，通过简单的工艺获得高纵横比和均匀性。 构成：三维多组分纳米结构的制造方法包括在衬底（110）上依次形成第一靶材料层（120）和第一聚合物层（130）的步骤; 通过在第一聚合物层上进行光刻工艺来形成第一聚合物结构的步骤; 离子蚀刻第一靶材料层并在基板上形成第一靶材料 - 聚合物复合结构的步骤; 通过去除第一目标材料 - 聚合物层的第一聚合物获得第一纳米结构（200）的步骤; 在第一纳米结构上形成第二聚合物层并形成通过进行光刻工艺图案化的第二聚合物结构的步骤; 在第二聚合物结构中形成第二靶材料层（160）的步骤; 通过离子蚀刻整个第二靶材料层在基板上形成第二目标材料 - 聚合物复合结构的步骤; 通过除去第二聚合物形成第二纳米结构（250）的步骤; 以及重复前述步骤以制造三维多组分纳米结构的步骤。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120099926A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：KR1020110018455
申请日：2011-03-02
IPC: C23C16/18 , C23C16/56 , C23C16/30 , H01L21/205
Abstract: PURPOSE: A low dielectric thin film and a method for manufacturing the same are provided to obtain a low dielectric constant and thermal stability at the same time by using a linear or nonlinear organic/inorganic precursor. CONSTITUTION: A method for manufacturing a low dielectric thin film comprises a step of chemical deposition of a silane compound, in which allyl group of 1:0.1-1:10 is contained under oxidizing gas, and a pore-forming material using plasma and a step of heat treatment. The silane compound containing allyl group is selected from the group consisting of allyltrimethylsilane, allyltriethylsilane, allyltrimethoxysilane, allyltriethoxysilane, allyltripropylsilane, allyltripropoxysilane, and their mixture. The pre-forming material is selected from the group consisting of a benzene compound including allyl group, a nonlinear hydrocarbon compound including epoxy group, cyclohexane, toluene, norbornene, terpinene, xylene, linear alkene, nonlinear unsaturated hydrocarbon, and their mixture. [Reference numerals] (AA) Reactive material; (BB) Oxidizing gas
Abstract translation: 目的：提供低电介质薄膜及其制造方法，以通过使用线性或非线性有机/无机前体同时获得低介电常数和热稳定性。 构成：制造低电介质薄膜的方法包括在氧化气体下含有1：0.1-1：10的烯丙基的硅烷化合物的化学沉积步骤和使用等离子体和 热处理步骤。 含有烯丙基的硅烷化合物选自烯丙基三甲基硅烷，烯丙基三乙基硅烷，烯丙基三甲氧基硅烷，烯丙基三乙氧基硅烷，烯丙基三丙基硅烷，烯丙基三丙氧基硅烷及其混合物。 预成型材料选自包括烯丙基的苯化合物，包括环氧基的非线性烃化合物，环己烷，甲苯，降冰片烯，萜品烯，二甲苯，直链烯烃，非线性不饱和烃及其混合物。 （附图标记）（AA）反应性物质; （BB）氧化气体
-
公开(公告)号：KR1020120001694A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：KR1020110064090
申请日：2011-06-29
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: B22F7/04 , B81C1/00031 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C03C17/006 , C03C2217/42 , C03C2218/34 , C23C14/221 , G03F7/0002 , G03F7/0037 , Y10T428/24479 , Y10T428/24612
Abstract: PURPOSE: A three dimensional nano-structure and a method for manufacturing the same are provided to improve the aspect ratio and the uniformity of the three dimensional nano-structure based on an ion bombardment phenomenon. CONSTITUTION: An object material layer(120) and a polymer layer(130) are successively formed on a substrate(110). A pattered polymer structure(135) is formed in the polymer layer through a lithography process. The object material layer is ion-etched to form an object material-polymer complex structure. Ion etched objected materials(125) are attached on the outer circumference of the polymer structure in the object material-polymer complex structure. The object material-polymer complex structure is eliminated.
Abstract translation: 目的：提供三维纳米结构及其制造方法，以改善基于离子轰击现象的三维纳米结构的纵横比和均匀性。 构成：在基板（110）上依次形成物体层（120）和聚合物层（130）。 通过光刻工艺在聚合物层中形成图案化聚合物结构（135）。 对象材料层被离子蚀刻以形成目标材料 - 聚合物复合结构。 离子蚀刻的被摄体材料（125）以目标材料 - 聚合物复合结构附着在聚合物结构的外圆周上。 消除了目标材料 - 聚合物复合结构。
-
公开(公告)号：KR100978491B1
公开(公告)日：2010-08-30
申请号：KR1020080125792
申请日：2008-12-11
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: G11B5/855 , B82Y25/00 , H01F1/009 , H01F1/065 , H01F1/068 , H01F41/18 , Y10T428/24612
Abstract: 본 발명은 L1
0 규칙화 구조의 FePt 나노 도트 어레이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 CFL 공정(Capillary Force Lithography : 삼투 압력 리소그래피)을 이용하여 L1
0 규칙화 구조의 FePt 나노 도트 어레이를 제조하는 방법에 관한 것이다.
이를 위해 본 발명에 따른 L1
0 규칙화 구조의 FePt 나노 도트 어레이의 제조방법는 기판 상에 FePt 박막을 증착하는 제 1단계와, 상기 제 1단계에서 증착된 FePt 박막 상에 스핀 코팅을 이용하여 고분자 물질을 박막으로 형성하는 제 2단계와, 상기 제 2단계에서 스핀 코팅된 FePt 박막에 몰드를 접촉하는 제 3단계와, 상기 제 3단계에서 접촉된 몰드와 폴리머 패턴을 열처리(annealing)하는 제 4단계와, 상기 제 4단계에서 열처리된 몰드와 폴리머 패턴을 냉각 및 분리시키는 제 5단계와, 반응성 이온 에칭을 통하여 폴리머 패턴의 사이즈를 조절하는 제 6단계와, 상기 폴리머 패턴에 덮히지 않은 FePt 박막을 이온 밀링하여 FePt 나노 도트 형성 후, 남아있는 폴리머 층을 제거하는 제 7단계와, FePt 나노 도트 어레이를 열처리하는 제 8단계를 포함한다.
CFL, FePt 박막, 수직 자기 기록 매체, 패턴된 나노 도트 어레이-
49.发明公开
公开(公告)号：KR1020100067303A
公开(公告)日：2010-06-21
申请号：KR1020080125792
申请日：2008-12-11
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: G11B5/855 , B82Y25/00 , H01F1/009 , H01F1/065 , H01F1/068 , H01F41/18 , Y10T428/24612
Abstract: PURPOSE: A FePt nano dot array of a L10 ordering structure, a manufacturing method of the FePt nano dot array of a L10 ordering structure, and a high- density magnetic recording medium using the array are provided to enhance the recording stability by manufacturing a magnetic thin film using FePt. CONSTITUTION: A manufacturing method of the FePt nano dot array of a L10 ordering structure comprises next steps. A FePt thin film is deposited on a substrate(S10). Polymer is formed as a thin film on the deposited FePt thin film using a spin coating(S20). Mold makes a contact with the spin-coated FePt thin film(S30). The contacted mold and a polymer pattern are heat-treated(S40). The heat-treated mold and the polymer pattern are cooled and separated(S50). The size of the polymer pattern is controlled through reactive ion etching(S60). After forming FePt nano dot by ion-milling the FePt thin film which is not covered by the polymer pattern, the polymer layer remaining is eliminated(S70). The FePt nano dot array is heat-treated(S80).
Abstract translation: 目的：提供L10有序结构的FePt纳米点阵列，L10有序结构的FePt纳米点阵列的制造方法和使用该阵列的高密度磁记录介质，以通过制造磁性来提高记录稳定性 使用FePt薄膜。 构成：L10排序结构的FePt纳米点阵列的制造方法包括以下步骤。 在基板上沉积FePt薄膜（S10）。 使用旋转涂布在沉积的FePt薄膜上形成聚合物作为薄膜（S20）。 模具与旋涂FePt薄膜接触（S30）。 将接触的模具和聚合物图案进行热处理（S40）。 将经热处理的模具和聚合物图案冷却并分离（S50）。 通过反应离子蚀刻来控制聚合物图案的尺寸（S60）。 通过离子研磨未被聚合物图案覆盖的FePt薄膜形成FePt纳米点后，残留的聚合物层被消除（S70）。 对FePt纳米点阵列进行热处理（S80）。
-
公开(公告)号：KR100791260B1
公开(公告)日：2008-01-04
申请号：KR1020060059702
申请日：2006-06-29
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01L31/022466 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01B1/02 , H01B1/04 , H01L31/1884 , H01L51/444 , H01L51/5203 , H01L2224/13562 , H01L2924/12044 , H05B33/28 , Y02E10/50 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브(carbon nanotube: CNT) 필름을 이용한 투명전극의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 자세하게는, 탄소나노튜브(CNT) 분산액을 이용하여 원하는 기판 위에 CNT 필름을 형성시키고, CNT 필름 표면에 금속 나노입자를 환원시키는 투명전극의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 CNT 필름의 표면에 금속 나노입자가 형성된 투명전극은 표면의 초미세 금속입자에 의해 가시광선 투과도 및 전기전도도가 우수하고, CNT 필름 전체에서 전기전도도의 증가 정도가 균일해 각종 디스플레이뿐만 아니라 이미지센서, 태양전지, 터치패널, 디지털 페이퍼, 전자파 차폐재 및 정전기 발생 억제재 등으로 활용이 가능하다.
탄소나노튜브, 투명전극, 금속 나노입자, 투과도, 전기전도도Abstract translation: 本发明涉及使用碳纳米管（CNT）膜制造透明电极的方法，更具体地涉及使用碳纳米管（CNT）在期望基板上形成CNT膜的方法， 本发明涉及一种制造透明电极的方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
106
records
(took 0.034 seconds)
