公开(公告)号：KR101064229B1

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：KR1020090041183

申请日：2009-05-12

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 최양규 ,  문동일 ,  한진우 ,  최성진

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/10

Abstract: 본 발명은 반도체 메모리 소자 등에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 커패시터리스 디램 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 커패시터리스 디램은 일함수가 큰 게이트 전극을 이용한다. 이를 통해 낮은 전압으로 게이트 유도 드레인 누설전류(Gate Induced Drain Leakage)를 발생시켜 메모리의 상태를 구분한다. 낮은 전압 구동을 통해 전력 소모를 줄일 수 있을 뿐만 아니라 상태 검출 여유 또한 증가한다.
커패시터리스 디램(Capacitorless 1-T DRAM), 큰 일함수 게이트, 게이트 유도 드레인 누설전류(Gate Induced Drain Leakage), 핀(fin) 구조 부유 바디

公开(公告)号：KR1020110097354A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：KR1020100017158

申请日：2010-02-25

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 최양규 ,  설명록 ,  김주현

IPC: G01N33/48 ,  G01N35/00

CPC classification number: G01N21/658 ,  G01N33/54373

Abstract: 본 발명은 원자의 크기레벨로 나노갭(nanogap)의 위치, 폭 및 깊이의 조정이 가능하고 다수의 나노갭을 동시에 형성할 수 있는 다중 적층 나노갭 구조 및 그 제조방법에 관한 것으로써, 표면 증강 라만 산란(SERS)를 이용한 단분자 검출 센서에 적용될 수 있는, 직선형의 나노갭이 일정 간격을 두고 반복적으로 나타나는 배열의 나노갭 구조와 그 제조방법을 제공한다.
보다 더 구체적으로 본 발명은, 표면 증강 라만 산란(SERS)를 이용한 단분자 검출 센서용 구조에 있어서, 기판; 및 상기 기판 위에 순차적으로 증착되는 희생층 및 강화층;을 포함하되, 상기 희생층 및 강화층은 적어도 한 번 이상 반복적으로 증착되고, 상기 기판, 희생층 및 강화층으로 형성된 구조에서 적어도 하나의 측면부에는, 상기 기판과 강화층 사이 또는 각각의 강화층 사이의 희생층의 소정영역이 제거되어 상기 기판 또는 강화층이 돌출됨으로써 형성되는 적어도 하나 이상의 나노갭을 구비하는 것을 특징으로 하는 다중 적층 나노갭 구조를 제공한다.

公开(公告)号：KR1020110089600A

公开(公告)日：2011-08-09

申请号：KR1020100009076

申请日：2010-02-01

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 최양규 ,  옥타이야리마가 ,  박용범 ,  김종만 ,  이수미 ,  박현규 ,  김태원

IPC: G02F1/167

CPC classification number: G02F1/0147

Abstract: PURPOSE: A thermally driven electronic paper display device is provided to easily manufacture a backlight unit using a modularized optical assembly. CONSTITUTION: A thermally driven electronic paper display device comprises a substrate(101); a micro heat generating layer(103) which if formed on the substrate; a material layer(104) which is formed on the upper part of the micro heat generating layer; an adhesive layer(102) which bonds the micro heat generating layer and the substrate; and a heat blocking layer which blocks heat between cells. The heat blocking layer is formed on the upper part of the substrate of which the adhesive layer and the micro heat generating layer is removed.

Abstract translation: 目的：提供一种热驱动电子纸显示装置，用于容易地制造使用模块化光学组件的背光单元。 一种热驱动电子纸显示装置，包括一基板（101）; 如果形成在所述基板上的微发热层（103） 形成在微发热层的上部的材料层（104）; 键合微发热层和基板的粘合剂层（102）; 以及阻挡电池之间的热的隔热层。 隔热层形成在去除了粘合剂层和微生热层的基板的上部。

公开(公告)号：KR1020110071317A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：KR1020090127852

申请日：2009-12-21

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 최양규 ,  옥타이야리마가 ,  안재혁

IPC: B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0232

CPC classification number: Y02E10/50 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0236

Abstract: PURPOSE: A device and a manufacturing method are provided to form a hydrophilic or a hydrophobic surface of a device selectively by using a micro- nanocomposite within one chip sharing the same substrate. CONSTITUTION: The device capable of controlling hydrophobicity and hydrophilicity includes a substrate(100) capable of electric conduction; a pad layer(110) formed in the top of the substrate; a layer(120), which is formed in one side of the pad layer, is electrically connected to the pad layer and deposes a micro- nanocomposite; a micro- nanocomposite(130) formed on a layer in which the micro- nanocomposite is evaporated; and a polymer film or self assembled monolayer(140), which covers the pad layer, the micro- nanocomposite evaporation layer and the micro- nanocomposite and has a certain surface energy. The manufacturing method of the device includes following steps. (a) The pad layer is formed on the top of the substrate.(b) The micro- nanocomposite evaporation layer is formed in one side of the pad layer.(c) The micro- nanocomposite is formed.(d) The polymer film or the self-assembled monolayer is formed on the top of the substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种器件和制造方法，通过在共享同一衬底的一个芯片内使用微纳米复合材料来选择性地形成器件的亲水或疏水表面。 构成：能够控制疏水性和亲水性的装置包括能够导电的基板（100） 衬垫层（110），其形成在所述衬底的顶部; 形成在衬垫层的一侧的层（120）电连接到衬垫层并且形成微纳米复合材料; 形成在其上蒸发微纳米复合材料的层上的微纳米复合物（130）; 以及覆盖垫层，微纳米复合蒸发层和微纳米复合材料并具有一定表面能的聚合物膜或自组装单层（140）。 该装置的制造方法包括以下步骤。 （a）衬底层形成在衬底的顶部;（b）在衬垫层的一侧形成微纳米复合蒸发层;（c）形成微纳米复合材料;（d）聚合物膜 或者在衬底的顶部上形成自组装单层。

公开(公告)号：KR1020110029986A

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：KR1020090087889

申请日：2009-09-17

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 최양규 ,  옥타이야리마가 ,  최지민 ,  김종만 ,  이수미

IPC: G01N25/02 ,  G01N21/71 ,  G01N21/64

CPC classification number: G01N25/02 ,  G01N21/64 ,  G01N21/71 ,  G01N2033/0078

Abstract: PURPOSE: A method of analyzing a heat distribution state and a method of forming a test film are provided to enable the heat distribution of a target to be precisely recognized at a resolution of nanometer size. CONSTITUTION: A method of analyzing a heat distribution state is as follows. Correlation between the temperature change and the characteristic change about a first test film is output as data(s110). A second test film is formed on the surface of a target(s120). The target is heated to emit heat(s130). A characteristic value about the second test film is measured(s140). The characteristic value about the second test film is changed into a temperature value using the data about the first test film. Heat distribution state of the target is analyzed using the changed temperature value(s150).

Abstract translation: 目的：提供一种分析热分布状态的方法和形成测试膜的方法，以使得能够以纳米尺寸的分辨率精确地识别目标物的热分布。 构成：分析热分布状态的方法如下。 作为数据输出温度变化与关于第一测试膜的特性变化之间的相关性（s110）。 在靶的表面上形成第二测试膜（s120）。 目标被加热以发热（s130）。 测量关于第二测试膜的特征值（s140）。 使用关于第一测试膜的数据将关于第二测试膜的特征值改变为温度值。 使用改变的温度值分析目标的热分布状态（s150）。

公开(公告)号：KR101013787B1

公开(公告)日：2011-02-14

申请号：KR1020080079567

申请日：2008-08-13

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 최양규 ,  김성호

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

Abstract: 본 발명은 비휘발성 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 비휘발성 반도체 메모리 소자는, 기판, 기판 상에 형성된 금속층, 금속층 상에 형성되고, 전기적 신호에 따라 저항값이 변화되는 저항변화물질을 포함하는 산화층, 산화층 상에 형성된 부유바디셀, 산화층 상이고, 또한 부유바디셀 양측에 형성된 소오스 전극 및 드레인 전극, 부유바디셀 상에 순차적으로 형성된 게이트 절연층 및 게이트 전극을 포함한다.
본 발명에 따른 비휘발성 반도체 메모리 소자는 전원 공급 시 고속 동작이 가능하며, 전원 공급이 중단되더라도 저항변화물질을 이용하여 데이터를 저장하고 지속적으로 유지 할 수 있다.
디램, 커패시터리스 디램(Capacitorless DRAM), 저항변화메모리 Resistance Random Access Memory, RRAM), 비휘발성 메모리

公开(公告)号：KR100997205B1

公开(公告)日：2010-11-29

申请号：KR1020080107504

申请日：2008-10-31

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 최양규 ,  김창훈 ,  이유준

IPC: G01N33/48 ,  G01N33/53 ,  G01N35/00

Abstract: 본 발명은 바이오 센서에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 투명 게이트 영역을 갖는 트랜지스터를 이용한 바이오 센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 바이오 센서는 소스와 드레인이 이격되어 형성된 기판, 상기 기판의 상기 소스와 드레인 사이의 영역 상에 형성된 투명 게이트 영역 및 상기 투명 게이트 영역 상에 형성된 바이오 분자를 포함하는 것을 특징으로 한다.
투명 게이트, 트랜지스터, 바이오 센서, 광학적 검출, 전기적 검출

公开(公告)号：KR100974069B1

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：KR1020080051403

申请日：2008-06-02

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 최양규 ,  김성호

IPC: H01L27/105

Abstract: 본 발명은 저항변화메모리(Resistance Random Access Memory, RRAM) 및 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 저항변화메모리는, 기판, 기판상에 증착된 제1 도전층, 제1 도전층상에 형성된 저항변화 물질층, 저항변화 물질층상에 증착된 제2 도전층을 포함하고, 저항변화 물질층은 제1 도전층을 미리 설정된 온도에서 산소 플라즈마 처리하여 형성되는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 따른 저항변화메모리 및 제조방법은 플라즈마를 이용해 매우 간단한 방법으로 저온에서 짧은 시간 안에 저항변화메모리를 제조할 수 있다.
비 휘발성 메모리 (Non-Volatile Memory), 저항변화소자 메모리 (Resistance Random Access Memory), 플라즈마 (Plasma)

公开(公告)号：KR1020100065427A

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：KR1020080123751

申请日：2008-12-08

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 최양규 ,  김성호

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/28273 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04

Abstract: PURPOSE: A fusion random access memory device, a method for manufacturing and operating the fusion random access memory device, a central processing unit, and a method for driving the central processing unit are provided to simultaneously include a capacitor-less DRAM property and a resistance random access memory property. CONSTITUTION: A hole surrounding layer(110) is formed on a semiconductor substrate. A floating body layer(120) is formed on the pre-set region of the hole surrounding layer. A gate insulating layer is formed on the floating body layer. A first gate is formed on the gate insulating layer. A resistance changing material layer(170) is formed on the first gate. A second gate is formed on the resistance changing material layer. A source and drain are formed on the hole surrounding layer and on both sides of the floating body.

Abstract translation: 目的：提供融合随机存取存储器件，用于制造和操作熔融随机存取存储器件的方法，中央处理单元和用于驱动中央处理单元的方法，以同时包括无电容器DRAM性质和电阻 随机存取存储器属性。 构成：在半导体基板上形成有空穴周围层（110）。 在空穴周围层的预设区域上形成浮体层（120）。 在浮体层上形成栅极绝缘层。 第一栅极形成在栅极绝缘层上。 电阻改变材料层（170）形成在第一栅极上。 在电阻变化材料层上形成第二栅极。 源极和漏极形成在孔周围层和浮体两侧。

公开(公告)号：KR1020100062502A

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：KR1020080121159

申请日：2008-12-02

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 최양규 ,  한진우 ,  김동현 ,  김정우 ,  김진수 ,  송명호 ,  오재섭 ,  박윤창

IPC: H01L21/8242 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/108 ,  H01L27/10826 ,  H01L29/1033

Abstract: PURPOSE: A capacitor-less DRAM and a method for manufacturing the same are provided to improve the hole-storage capacity due to a hole-barrier by forming a continuous germanium layers or a non-continuous dots through an ion implantation method and a heat treatment process. CONSTITUTION: A source(105), a channel, and a drain(106) are successively formed on a substrate(100). A gate insulating layer(103) is formed on the channel. A gate is formed on the gate insulating layer. A germanium layer or a germanium dot is formed in the channel. The gate insulating layer is made of a silicon oxide, a nitride film, an aluminum oxide, a hafnium oxide, or a zinc oxide.

Abstract translation: 目的：提供一种无电容器DRAM及其制造方法，以通过离子注入法和热处理形成连续锗层或非连续点来改善由于空穴阻挡引起的空穴存储能力 处理。 构成：源（105），沟道和漏极（106）依次形成在衬底（100）上。 在沟道上形成栅极绝缘层（103）。 栅极形成在栅极绝缘层上。 在通道中形成锗层或锗点。 栅极绝缘层由氧化硅，氮化物膜，氧化铝，氧化铪或氧化锌制成。