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公开(公告)号：KR1020100065033A
公开(公告)日：2010-06-15
申请号：KR1020090027619
申请日：2009-03-31
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/10 , H01L21/02 , H01L21/265
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/02366 , H01L31/0288
Abstract: PURPOSE: A method for forming a compound semiconductor device including a diffusion area is provided to implement a dopant diffusion area with high reliability and re-productivity by stabilizing a boundary of the dopant diffusion area. CONSTITUTION: An undoped compound semiconductor layer is formed on a substrate. A dopant element layer is formed on the undoped compound semiconductor layer(S200). A dopant diffusion area is formed by diffusing the dopants from the dopant element layer to the undopped compound semiconductor layer by an annealing process(S210). A rapid cooling process is performed on the substrate with the dopant diffusion area using liquid nitrogen(S215).
Abstract translation: 目的：提供一种形成包括扩散区域的化合物半导体器件的方法，通过稳定掺杂剂扩散区域的边界来实现高可靠性和再生产率的掺杂剂扩散区域。 构成：在衬底上形成未掺杂的化合物半导体层。 在未掺杂的化合物半导体层上形成掺杂剂元素层（S200）。 通过退火处理将掺杂剂掺杂剂从掺杂剂元素层扩散到未掺杂的化合物半导体层来形成掺杂剂扩散区域（S210）。 使用液氮在具有掺杂剂扩散区域的基板上进行快速冷却处理（S215）。
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公开(公告)号：KR100794653B1
公开(公告)日：2008-01-14
申请号：KR1020060056215
申请日：2006-06-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/12
CPC classification number: H01S5/12 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/3412 , H01S5/34306 , H01S2301/185
Abstract: 본 발명은 분포 궤환형 양자점 반도체 레이저 구조물에 관한 것이다.
본 분포 궤환형 양자점 반도체 레이저 구조물은 하부 전극 상에 형성되는 제1 클래드층과, 상기 제1 클래드층 상에 형성되는 광도파로와, 상기 광도파로 상에 형성되며, 주기적으로 배치되는 복수의 그레이팅을 포함하는 그레이팅 구조층과, 상기 그레이팅 구조층 상에 형성되는 제1 SCH(Separate confinement hetero) 층과, 상기 제1 SCH 상에 형성되며, 복수의 양자점을 포함하는 활성층과, 상기 활성층 상에 형성되는 제2 SCH층과, 상기 제2 SCH층 상에 형성되는 제2 클래드층과, 상기 제2 클래드층 상에 형성되는 오믹층과, 상기 오믹층 상에 형성되는 상부 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
이에 따라, 그레이팅 구조층을 기준으로 활성층 반대쪽에 광도파로를 위치시킴으로써, 단일 광모드의 효율을 증대시키고, 전류 주입을 위한 전극을 비대칭 다전극 구조를 사용함으로써, 단일 모드 반도체 레이저 구조물의 순도 및 수율을 극대화시킬 수 있다.
양자점, 반도체레이저, 분포궤환형, 광도파로, 활성층-
公开(公告)号：KR100766084B1
公开(公告)日：2007-10-12
申请号：KR1020060084913
申请日：2006-09-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/12
Abstract: 본 발명은 분포 귀환형 반도체 레이저 구조물에 관한 것으로, 본 반도체 레이저 구조물은 제1 클래드층; 상기 제1 클래드층 상에 형성되는 제1 리지도파로; 상기 제1 리지도파로 상에 형성되는 활성층; 상기 활성층 상에 형성되는 제2 리지도파로; 상기 제2 리지도파로 상에 형성되는 제2 클래드층; 및 상기 제2 클래드층 상에 형성되는 오믹콘택층을 포함하며, 상기 제1 클래드층 및 상기 제2 클래드층 중 적어도 어느 하나에 형성되며, 상기 제1 리지 도파로 또는 상기 제2 리지 도파로와 소정 각도를 이루면서 상기 제1 리지 도파로 또는 상기 제2 리지 도파로의 길이 방향을 따라 주기적으로 배치되는 복수의 그레이팅을 포함한다.
이에 따라, 대량생산이 가능한 일반적인 홀로그램 리소그래피 공정을 적용할 수 있어 공정시간을 단축할 수 있으며, 완전한 단일 파장을 얻기 위한 추가적인 공정이 필요 없는 양자점 활성층을 사용하는 분포귀환형 반도체 레이저 구조물을 제공할 수 있다.
단일파장, 분포귀환형, 그레이팅, 리지 도파로, 각도-
公开(公告)号：KR100766069B1
公开(公告)日：2007-10-12
申请号：KR1020060086028
申请日：2006-09-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/12
Abstract: 본 발명은 분포 귀환형 양자점 레이저 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 양자점 레이저 다이오드의 제조방법은, 기판상에 복수의 그레이팅을 포함하는 그레이팅 구조층을 형성하는 단계; 상기 그레이팅 구조층 상부에 제1 격자정합층을 형성하는 단계; 상기 제1 격자정합층 상에 적어도 하나의 양자점을 갖는 하나이상의 양자점층을 형성하는 단계; 상기 양자점층 상에 제2 격자정합층을 형성하는 단계; 상기 제2 격자정합층상에 클래드층을 형성하는 단계; 및 상기 클래드층 상에 오믹 콘택층을 형성하는 단계를 포함한다. 이에 따라, 양자점의 균일도에 영향을 받지 않으면서도 원하는 파장에서 높은 이득을 얻을 수 있어 레이저 다이오드의 특성을 개선할 수 있다.
그레이팅, 양자점, 레이저 다이오드-
公开(公告)号：KR100710048B1
公开(公告)日：2007-04-23
申请号：KR1020050043466
申请日：2005-05-24
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판 상에 하부 클래딩층, 광도파층, 활성층, 상부 클래딩층 및 오옴 접촉층을 순차적으로 적층한 후, 식각 공정을 통해 형성된 릿지; 상기 릿지의 폭을 조절하기 위해 상기 상부 및 하부 클래딩층의 표면부에 형성된 산화층; 상기 산화층이 형성된 릿지의 양 측면 각각에 형성된 유전체층; 상기 오옴 접촉층 상부와 상기 유전체층을 감싸도록 형성된 상부 전극층; 및 상기 기판의 하단에 형성된 하부 전극층을 포함함으로써, 기존의 반도체 레이저 다이오드의 제작공정에 비해 간단하며, 습식 산화시간의 조절에 의해서 릿지의 폭을 자유롭게 조절할 수 있을 뿐만 아니라 자동으로 오옴 접촉면을 형성할 수 있는 효과가 있다.
반도체 레이저 다이오드, RWG, 산화층, 오옴 접촉층, 양자점, 릿지-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100698015B1
公开(公告)日：2007-03-23
申请号：KR1020050047353
申请日：2005-06-02
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
Abstract: 본 발명은 양자점의 광 방출 파장을 자유롭게 조절하기 위한 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 반도체 소자 제조방법은 기판과 격자정합을 이루는 제1 장벽층을 상기 기판상에 성장시키기 위해, 상기 제1 장벽층을 성장시키는 성장온도로 상기 제1 장벽층을 성장시키는 단계; 상기 제1 장벽층 상에 상기 성장온도를 제1 온도로 낮추어 양자점을 성장시키는 단계; 상기 제1 장벽층 상에 상기 양자점의 일부 또는 전부와 접촉하여 상기 양자점의 이동을 억제하는 억제층을 성장시키는 단계; 및 상기 억제층 및 상기 양자점 상에 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도로 상기 기판과 격자정합을 이루는 제2 장벽층을 성장시키는 단계를 포함한다.
이에 따라, 반도체 소자의 활성층인 양자점의 광 방출 파장을 용이하게 조절할 수 있다.
양자점, 비소화인듐알루미늄갈륨, 상 분리-
公开(公告)号：KR100596380B1
公开(公告)日：2006-07-03
申请号：KR1020020079735
申请日：2002-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
Abstract: 광학적 손실을 최소화할 수 있는 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 반도체 레이저 소자는, 기판, 상기 기판상의 소정 부분에 형성되는 능동 도파로, 상기 능동 도파로 일측에 능동 도파로와 맞닿도록 형성되면서, 코어층을 포함하는 수동 도파로, 및 상기 능동 도파로 및 수동 도파로 상부에 형성되는 클래드층을 포함하며, 상기 수동 도파로의 코어층 상하에는 상기 코어층과 서로 다른 조성을 갖는 SCH(separated confinement heterostructure)층이 더 형성된다.
광도파로, 광결합 계수, 광결합 효율, SCH-
公开(公告)号：KR1020060059780A
公开(公告)日：2006-06-02
申请号：KR1020050047353
申请日：2005-06-02
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/3202 , H01L33/06 , H01S5/2009 , H01S2304/02
Abstract: 본 발명은 양자점의 광 방출 파장을 자유롭게 조절하기 위한 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 반도체 소자 제조방법은 기판과 격자정합을 이루는 제1 장벽층을 성장시키는 성장 온도에서 상기 기판 상에 성장시키는 단계; 상기 제1 장벽층 상에 상기 성장온도를 제1 온도로 낮추어 양자점을 성장시키는 단계; 상기 제1 장벽층 상에 상기 양자점과 적어도 부분적으로 접촉하며 상기 양자점의 이동을 억제하는 억제층을 성장시키는 단계; 상기 억제층 및 상기 양자점 상에 상기 제1 온도 보다 높은 제2 온도로 상기 기판과 격자정합을 이루는 제2 장벽층을 성장시키는 단계를 포함한다.
이에 따라, 반도체 소자의 활성층인 양자점의 광 방출 파장을 용이하게 조절할 수 있다.
양자점, 비소화인듐알루미늄갈륨, 상 분리-
公开(公告)号：KR1020020071141A
公开(公告)日：2002-09-12
申请号：KR1020010011091
申请日：2001-03-05
IPC: G02B6/42
CPC classification number: H01S5/10 , G02B6/1228 , G02B6/136
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating an optical device with a zero-defects and nonreflective spot-size converter are provided to reduce the reflectance and detect on a butt-joint portion. CONSTITUTION: A first clad layer(32), an active layer(33), and a second clad layer(34) are sequentially layered on (100)-surface of a semiconductor substrate(31). A double dielectric mask(35a,36) having a stacked structure is formed on the second clad layer(34), for opening one end of the second clad layer(34). By using the double dielectric mask(35a,36), the first clad layer(32), the active layer(33), and the second clad layer(34) are etched to a buried ridge structure, thereby exposing A-surface of the active layer(33), which is inclined at a predetermined angle toward (100)surface. A spot-size conversion region is grown on A-surface of the active layer(33). The double dielectric mask(35a,36) is removed.
Abstract translation: 目的：提供一种制造具有零缺陷和非反射点尺寸转换器的光学器件的方法，以减少反射率并在对接部分上检测。 构成：在半导体衬底（31）的（100）表面上顺序层叠第一覆盖层（32），有源层（33）和第二覆盖层（34）。 在第二覆盖层（34）上形成具有堆叠结构的双电介质掩模（35a，36），用于打开第二覆层（34）的一端。 通过使用双电介质掩模（35a，36），将第一覆盖层（32），有源层（33）和第二覆盖层（34）蚀刻成埋入脊结构，从而使 活性层（33）以朝向（100）表面倾斜预定角度。 在活性层（33）的A面上生长点尺寸转换区域。 去除双电介质掩模（35a，36）。
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公开(公告)号：KR100319774B1
公开(公告)日：2002-01-05
申请号：KR1019990058691
申请日：1999-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은반도체기술에관한것으로, 특히반도체레이저제조기술에관한것이며, 더자세히는자동정렬구조의평면매립형반도체레이저제조기술에관한것이다. 본발명은공정단계를단순화하여수율을개선하고, 신뢰성의핵심기술이되는메사측면의건식및 습식식각공정을재현성있는공정으로대체할수 있는평면매립형반도체레이저제조방법을제공하는데그 목적이있다. 본발명의특징적인평면매립형반도체레이저제조방법은, (0 -1 1) 결정면을가진기판상에메사영역이오픈된마스크질화막패턴을형성하는제1 단계; 선택적결정성장기술을사용하여상기메사영역에공진기를이루는버퍼층, 활성층및 제1 클래드층을차례로에피성장시키되, 상기공진기가그 측면이 (111)B 결정면을가지는피라미드구조를이루도록하는제2 단계; 상기마스크질화막패턴을제거하는제3 단계; 및상기제3 단계수행후, 전류차단층, 제2 클래드층및 오믹콘택층을에피성장시키는제4 단계를포함하여이루어진다. 즉, 본발명은선택적결정성장(selective area growth) 기술을이용하여신뢰도문제를유발하는활성층측면에식각공정을배제하면서자동으로활성층부분이정렬되도록하고, 재성장을포함한반도체공정을대폭줄이는기술로서, 재현성및 신뢰성이개선되고경제적인광원제작을가능하게한다.
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