브리짓형 정전구동 마이크로 릴레이 소자 및 그 제조방법
    41.
    发明公开
    브리짓형 정전구동 마이크로 릴레이 소자 및 그 제조방법 失效
    Brigitte型静电驱动微型继电器装置及其制造方法

    公开(公告)号:KR1019970051606A

    公开(公告)日:1997-07-29

    申请号:KR1019950053676

    申请日:1995-12-21

    Abstract: 본 발명은 정전구동 마이크로 릴레이 소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 본원 발명은 기판(10)상의 소정영역에 일부분이 단속되어 종방향으로 형성된 하부 접촉전극(12)과, 상기 하부 접촉전극(12)의 양측에 각각 형성되어 있는 하부 구동전극(13,14)과, 상기 하부 접촉전극(12)과 수직으로 대응하는 부분이 오목한 형상을 갖도록 아래로 굴곡진 제1오목부(17)가 형성되어 있고 상기 하부 구동전극(13,14)과 수직으로 대응하는 부분이 오목한 형상을 갖도록 각각 아래로 굴곡진 제2오목부(18,19)가 형성되어 있으며 하부 접촉전극(12)과 하부 구동전극(13,14)사이에 소정의 공간이 형성되도록 소정의 높이에 브릿지형상으로 형성되어 있는 브릿지 몸체(21)와, 상기 하부 접촉전극(12)과 대면하는 브릿지 몸체(21)의 제1오목부의 배면에 형성되어 있는 상부 접촉전극(20) , 상기 브릿지 몸체(21)의 전면에 형성되어 있는 상부 구동전극(20)을 포함하는 것을 특징으로 한다.

    X-선 브랭크마스크 및 그의 제조방법
    42.
    发明公开
    X-선 브랭크마스크 및 그의 제조방법 失效
    X射线空白掩模及其制造方法

    公开(公告)号:KR1019970048993A

    公开(公告)日:1997-07-29

    申请号:KR1019950053651

    申请日:1995-12-21

    Abstract: 본 발명은 높은 광투과 정렬창을 갖는 X-선 브랭크마스크 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 종래기술의 X-선 마스크용 투과막은 광투과도가 낮고, 층간정렬도가 떨어졌던 문제점을 해결하기 위해 X-마스크에서 정렬광이 투과하는 부위는 광투과도가 우수한 멤브레인 물질을, X-선 노광에 의한 소산이 없는 멤브레인 물질을 하나의 웨이퍼에 형성한 구조로서, 정렬창의 멤브레인으로 Si
    3 N
    4 을, 칩부위의 멤브레인은 Si
    3 N
    4 /poly-Si/Si
    3 N
    4 을 사용하고, 또한 정렬창의 멤브레인으로 Si
    3 N
    4 /SiO
    2 을 사용하고, 칩부위의 멤브레인은 Si
    3 N
    4 /poly-Si/Si
    3 N
    4 을 사용하는 것이다.

    가변 전정렬(pre-alignment)이 가능한 레티클 이송 및 구동장치
    43.
    发明授权
    가변 전정렬(pre-alignment)이 가능한 레티클 이송 및 구동장치 失效
    光罩传输和驱动系统能够预对准

    公开(公告)号:KR1019970011053B1

    公开(公告)日:1997-07-05

    申请号:KR1019930027861

    申请日:1993-12-15

    Abstract: A reticle transferring and driving apparatus having a variable pre-alignment function capable of forming an image on a sensitive material which is coated on a wafer is disclosed. In the apparatus, a pre-alignment mechanism is mounted next to an edge of a reticle(4) at 90= . A pre-alignment operation is performed in X, Y or direction and XY and directions. A transferring system is transferred into an optical axis(1) along two LM guides(14). A reticle driving section processes an analog signal from a light receiving sensor(7) according to the pre-alignment result and drives a reticle(4) in an XY direction and direction by combinations of a hinge spring(24) and a gear motor(18) and a rotating bearing(17) and the gear motor(18), respectively.

    Abstract translation: 公开了一种具有能够在涂覆在晶片上的敏感材料上形成图像的可变的预对准功能的掩模版传送和驱动装置。 在该装置中,预定位机构以90 =安装在分划板(4)的边缘的旁边。 在X,Y或方向以及XY和方向上执行预对准操作。 传送系统沿两个LM导轨(14)传送到光轴(1)。 光罩驱动部根据预定位结果对来自光接收传感器(7)的模拟信号进行处理,并通过铰链弹簧(24)和齿轮电动机(24)的组合在XY方向和方向上驱动光罩(4) 18)和旋转轴承(17)和齿轮马达(18)。

    선택적 열처리 장치
    44.
    发明公开
    선택적 열처리 장치 失效
    选择性热处理设备

    公开(公告)号:KR1019960026415A

    公开(公告)日:1996-07-22

    申请号:KR1019940034382

    申请日:1994-12-15

    Abstract: 본 발명은 반도체 제조장치 중에서 특히 선택적으로 열처리 공정을 수행할 수 있도록 한 열처리 장치에 관한 것이다.
    종래의 열처리 장치는 시료의 부분적인 열처리가 불가능하여 전체를 열처리 함으로써 열처리가 필요치 않은 부분이 후속열처리 단계에서 전기적, 물리적, 기하학적 변형이 발생하는 문제점들이 있었다.
    본 발명은 상술한 문제점들을 극복하기 위한 것으로 열처리시 시료의 특정 영역의 선택은 물론 주입되는 불순물 중 특성 특성불순물의 선택과, 시료의 증착 박막중 특정 박막만을 선택적으로 열처리 할 수 있도록 열원에서 발산되는 빛을 집속하여 필터를 통과 시킨후 소정의 마스크를 거쳐 시료에 조사 되도록 한 것이다.

    변형 미해상회절 마스크 구조
    47.
    发明公开
    변형 미해상회절 마스크 구조 失效
    改进的不掺杂衍射掩模结构

    公开(公告)号:KR1019950021041A

    公开(公告)日:1995-07-26

    申请号:KR1019930029353

    申请日:1993-12-23

    Abstract: 본 발명은 광노광장치를 이용한 리소그라피 공정시 위상격자로 구성된 미해상 회절층을 사용하여 부분차광막 방식의 해상력 개선을 보완한 구조로 미해상 회절 마스크의 구조를 접목하여 보다 좋은 리소그라피성능을 발휘하게 하는 변형 미해상 회절 마스크 구조 및 제작방법에 관한 것이다. 본 발명의 변형 미해상 회절마스크는 부분 차광막 방법으로 제작된 주 마스크 패턴의 상부에 웨이퍼 위에 상이 전사되지 않는 위상격자 패턴으로 형성된 미해상 회절층이 놓여진 구조로 되어 있었다. 따라서 본 발명은 종래의 DDM의 리소그라피 특성을 개선시켜 주 마스크의 해상력을 높이고 촛점심도를 크게 하는 효과가 있다.

    가변 전정렬(pre-alignment)이 가능한 레티클 이송 및 구동장치

    公开(公告)号:KR1019950021033A

    公开(公告)日:1995-07-26

    申请号:KR1019930027861

    申请日:1993-12-15

    Abstract: 본 발명은 반도체 노광장비에 관한 것으로 특히 웨이퍼에 도포된 감광물질 위에 상을 형성시키는 노광장비의 구성장치인 가변 전정력이 가능한 레티클이송 및 구동 장치에 관한 것으로서 전정렬 오차를 수백㎛에서 수㎛로 가변할 수 있도록 전정렬 기능이 있는 자동 이송장치와 전정렬 및 정렬오차 내로 구현하기 위해0.01㎛ 해상도의 기어모터와 힌지스프링에 의해XY방향으로, 회전베어링과 기어모터에 의해 θ방향 그리고 X,Y와θ방향의 전정렬 오차가 수백㎛에서 수5㎛까지 변할 수 있도록 개선되도록 하는 것을 특징으로 한다.

    급속열처리 가능한 Si계 박막증착용 특수 광화학 반응로
    50.
    发明授权
    급속열처리 가능한 Si계 박막증착용 특수 광화학 반응로 失效
    特殊的光电反应炉,用于处理快速温度管理的薄膜薄膜沉积

    公开(公告)号:KR1019930001193B1

    公开(公告)日:1993-02-20

    申请号:KR1019880011867

    申请日:1988-09-14

    Abstract: The nreactor performs rapid heat-treatment of silicon thin films such as SiO2 or Si3N4 in manufacturing integrated circuits (ICs). The reactor comprises a reactor body (A) for generating photo chemical reactions, UV exposing device for supplying the ultraviolet to the upper body (A); IR heating device (C) for heating the lower circuit boards. The body (A) includes a rectangular UV receiving window (112); IR passing window (102) for blocking UV and passing IR; gas injecting device (111) with rectangular nozzle for injecting inert gas; reacting gas flange (109) for adjusting the injecting height, injecting device exchanger (106), gas injecting device (105) having sequentially formed nozzles.

    Abstract translation: 在制造集成电路(IC)时,反应器对硅薄膜例如SiO 2或Si 3 N 4进行快速热处理。 反应器包括用于产生光化学反应的反应器体(A),用于向上体(A)供给紫外线的UV曝光装置; IR加热装置(C),用于加热下部电路板。 主体(A)包括矩形UV接收窗口(112); 红外通过窗口(102),用于阻挡UV和通过IR; 气体注入装置(111),其具有用于注入惰性气体的矩形喷嘴; 用于调节喷射高度的反应气体凸缘(109),喷射装置交换器(106),具有顺序形成的喷嘴的气体喷射装置(105)。

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