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公开(公告)号：KR1020110056694A
公开(公告)日：2011-05-31
申请号：KR1020090113128
申请日：2009-11-23
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G01N27/127
Abstract: PURPOSE: An environmental gas sensor and a manufacturing method thereof are provided to simultaneously sense two kinds of gases. CONSTITUTION: An environmental gas sensor comprises an insulating substrate(100), a metal electrode(200), and a sensing layer(300). The insulating substrate is selected from the group consisting of oxide single crystal substrates, ceramic substrates, silicon semiconductor substrates, glass substrates, insulating substrates including a microheater, and micromachine structure substrates embedded with a microheater. The metal electrode is formed on the insulating substrate. The sensing layer comprises different kinds of nano fiber(310) which are arranged to cross each other at the right angle.
Abstract translation: 目的：提供一种环境气体传感器及其制造方法，以同时感测两种气体。 构成：环境气体传感器包括绝缘基板（100），金属电极（200）和感测层（300）。 绝缘基板选自氧化物单晶基板，陶瓷基板，硅半导体基板，玻璃基板，包括微加热器的绝缘基板，以及嵌有微型加热器的微机械结构基板。 金属电极形成在绝缘基板上。 感测层包括不同种类的纳米纤维（310），它们以直角相互交叉排列。
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公开(公告)号：KR1020100067972A
公开(公告)日：2010-06-22
申请号：KR1020080126594
申请日：2008-12-12
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G01N27/127
Abstract: PURPOSE: An ultra high sensitive gas sensor using oxide semiconductor nanofiber and a manufacturing method thereof are provided to utilize an ubiquitous sensor system for next generation and an environment monitoring system by providing an oxide semiconductor nanofiber gas sensor of a good property. CONSTITUTION: An ultra high sensitive gas sensor(100) using oxide semiconductor nanofiber comprises an insulating substrate(110), a metal electrode(120), and a metal oxide semiconductor nano fiber layer. The metal electrode is formed on the insulating substrate. The metal oxide semiconductor nano fiber layer is covered with nano particles with a high sensitivity formed at the upper part of the metal electrode. The insulating substrate comprises an oxide single crystal substrate, a ceramic substrate, a silicon substrate or a glass substrate on which an insulating layer is formed. The metal electrode includes Pt, Pd, Ag, Au, Ni, Ti, Cr, Al, Cu, Sn, Mo, Ru or In. The nano particles covered on the nano fiber layer comprise metal oxide particles or metal catalyst particles of nano size which have high sensitivity to special gas.
Abstract translation: 目的：提供一种使用氧化物半导体纳米纤维的超高灵敏度气体传感器及其制造方法，以通过提供具有良好性能的氧化物半导体纳米纤维气体传感器来利用下一代普遍存在的传感器系统和环境监测系统。 构成：使用氧化物半导体纳米纤维的超高灵敏度气体传感器（100）包括绝缘基板（110），金属电极（120）和金属氧化物半导体纳米纤维层。 金属电极形成在绝缘基板上。 金属氧化物半导体纳米纤维层被覆在金属电极上部形成的具有高灵敏度的纳米颗粒。 绝缘基板包括氧化物单晶基板，陶瓷基板，硅基板或其上形成有绝缘层的玻璃基板。 金属电极包括Pt，Pd，Ag，Au，Ni，Ti，Cr，Al，Cu，Sn，Mo，Ru或In。 覆盖在纳米纤维层上的纳米颗粒包含对特殊气体具有高灵敏度的纳米尺寸的金属氧化物颗粒或金属催化剂颗粒。
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公开(公告)号：KR1020100025834A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：KR1020080084551
申请日：2008-08-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: F21V8/00 , A61L9/20 , F21Y101/02 , F21W131/305
CPC classification number: G02B6/001 , A61L2/10 , F21V2200/13 , F21W2131/305 , F21Y2115/10 , Y10S362/80
Abstract: PURPOSE: A lighting device is provided to implement a linear optical source by combining an LED with a side light emission optical fiber. CONSTITUTION: A lighting device includes an LED unit(200) and a side light emission optical fiber(100). The LED unit emits the blue light with a wavelength of 320 to 450 nm, the green light with the wavelength of 480 to 530 nm, the red light with the wavelength of 600 and 700 nm, and the white light. The side light emission optical fiber is formed by an electro-spinning method and is combined with the combination surface(200a) of the LED unit. The side light emission optical fiber is made of the polymer composite material.
Abstract translation: 目的：提供照明装置，通过将LED与侧光发射光纤组合来实现线性光源。 构成：照明装置包括LED单元（200）和侧光发射光纤（100）。 LED单元发射波长为320至450nm的蓝光，波长为480至530nm的绿光，波长为600和700nm的红光以及白光。 侧发光光纤通过电纺法形成，并与LED单元的组合表面（200a）组合。 侧光发射光纤由聚合物复合材料制成。
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公开(公告)号：KR1020090089659A
公开(公告)日：2009-08-24
申请号：KR1020080014949
申请日：2008-02-19
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: B82B3/0038 , C01B13/14 , C01B32/158 , C01B32/956 , C01P2004/16
Abstract: A method for manufacturing a nano structure arranged by a near-field electrospinning method is provided to offer high charge transfer property based on an inorganic nano material such as metal oxide, carbon nanotube or wide semiconductor material etc. A method for manufacturing a nano structure arranged by a near-field electrospinning method includes the following steps of: preparing organic-inorganic mixing liquid by mixing an inorganic nano material in an organic solvent(S11); discharging the organic-inorganic mixing liquid through an injection nozzle(S12); evaporating a discharged material while arranging the discharged materials by a collector(S13). The inorganic nano material comprises metal oxide, carbon nanotube or wide semiconductor material etc. An organic solvent includes isopropyl.
Abstract translation: 提供一种通过近场静电纺丝方法制造的纳米结构体的制造方法，以提供基于无机纳米材料如金属氧化物，碳纳米管或宽半导体材料等的高电荷转移性能。一种制造纳米结构的方法， 通过近场静电纺丝法包括以下步骤：通过将无机纳米材料混合在有机溶剂中制备有机 - 无机混合液体（S11）; 通过注射喷嘴排出有机 - 无机混合液体（S12）; 在通过收集器排列排出的材料的同时蒸发排出的材料（S13）。 无机纳米材料包括金属氧化物，碳纳米管或宽半导体材料等。有机溶剂包括异丙基。
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公开(公告)号：KR100753840B1
公开(公告)日：2007-08-31
申请号：KR1020060081834
申请日：2006-08-28
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 라디얼 스터브를 공통으로 사용하여 크기를 줄인 강유전체 결합 선로형 위상 변위기가 개시된다. 본 발명에 따른 공통 라디얼 스터브를 이용한 강유전체 결합 선로형 위상 변위기는, 라디얼 스터브의 꼭짓점에 제 1 마이크로 스트립 라인들의 각각의 일측이 공통으로 연결되어 결합 선로들의 강유전체 박막에 DC 전압을 인가하는 다수의 DC 전압 인가 회로들을 구성하고, 제 1 마이크로 스트립 라인들의 각각의 타측은 결합 선로들과 직렬로 연결된 제 2 마이크로 스트립 라인들에 각각 연결되어 결합 선로로 DC 전압을 인가할 수 있도록 경로를 형성한다. 본 발명에 따르면, 마이크로파 특성의 저하 없이 강유전체 결합 선로형 위상 변위기 전체의 크기를 줄일 수 있다.
강유전체 박막, 결합 선로, coupled line, 위상 변위기, 라디얼 스터브, radial stub, 미앤더 라인, meander line-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100596391B1
公开(公告)日：2006-07-04
申请号：KR1020040101087
申请日：2004-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/022 , H01G7/06 , H01L21/02197 , H01L21/0226 , H01L21/31691 , H01L28/56 , H01P1/181
Abstract: 본 발명은 강유전체 박막의 유전 상수의 튜닝율 및 유전 손실의 한계성을 극복하기 위해 유전 상수의 큰 튜닝율과 작은 유전 손실을 갖는 새로운 강유전체/상유전체 다층 박막 및 그 제조 방법과, 상기 강유전체/상유전체 다층 박막을 구비하는 초고주파 가변 소자에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 강유전체/상유전체 다층 박막은 기판 상에 형성된 페로브스카이트 ABO
3 형 상유전체 종자층과, 상기 상유전체 종자층 위에 형성된 에피택셜 강유전체 (Ba
x Sr
1-x )TiO
3 박막을 포함한다. 본 발명에 따른 초고주파 가변 소자는 초고속, 저전력, 저가격화가 가능한 우수한 마이크로파 특성을 갖는 초고주파 주파수/위상 가변 소자를 구현할 수 있다.
강유전체, BST, 종자층, 유전 상수, 유전 손실, 주파수, 위상, 가변 소자-
公开(公告)号：KR1020060070295A
公开(公告)日：2006-06-23
申请号：KR1020040108982
申请日：2004-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01Q3/30
Abstract: 높은 특성 임피던스를 가지는 CPW(Coplanar Waveguide)에 강유전체 박막을 이용한 가변 축전기(tunable capacitor)가 주기적으로 연결된 구조를 가진 분포 정수형 위상 변위기에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 분포 정수형 위상 변위기는 기판과, 상기 기판과의 사이에 공기층이 개재되도록 상기 기판으로부터 소정 거리 이격되어 있는 신호선을 포함한다. 복수의 가변 축전기가 상기 신호선의 양측에서 상기 신호선의 길이 방향을 따라 주기적으로 형성되어 있다. 상기 가변 축전기에 DC 전압을 인가하기 위하여 상기 기판상에는 전극이 형성되어 있다.
강유전체 박막, 분포 정수형 위상 변위기, CPW, IDC-
公开(公告)号：KR100549967B1
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：KR1020030089374
申请日：2003-12-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01P1/181
Abstract: 본 발명은 유전상수의 튜닝율 및 유전손실의 한계성을 극복하기 위해 유전상수의 큰 튜닝율과 작은 유전손실을 갖는 새로운 강유전체 에피택셜 박막을 제공하고 이를 통해서 초고속, 저전력, 저가격화가 가능한 우수한 마이크로파 특성을 갖는 강유전체 초고주파 가변 소자를 제작가능하다.
한편, 이러한 소자를 위상배열 능동 안테나 시스템이나 위성 통신 시스템, 무선 센서 시스템에 활용함으로써 초고속, 저전력, 저가격, 고감도로 무선 통신 품질을 향상시킬 수 있다.
강유전체, BST, 초고주파, 가변 소자-
公开(公告)号：KR1020050057714A
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：KR1020030089374
申请日：2003-12-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01P1/181
Abstract: 본 발명은 유전상수의 튜닝율 및 유전손실의 한계성을 극복하기 위해 유전상수의 큰 튜닝율과 작은 유전손실을 갖는 새로운 강유전체 에피택셜 박막을 제공하고 이를 통해서 초고속, 저전력, 저가격화가 가능한 우수한 마이크로파 특성을 갖는 강유전체 초고주파 가변 소자를 제작가능하다.
한편, 이러한 소자를 위상배열 능동 안테나 시스템이나 위성 통신 시스템, 무선 센서 시스템에 활용함으로써 초고속, 저전력, 저가격, 고감도로 무선 통신 품질을 향상시킬 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020010004093A
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR1019990024699
申请日：1999-06-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
Abstract: PURPOSE: A laser molecular beam epitaxy(MBE) apparatus is provided in which an ion beam generator is set to easily control supply of active oxygen when a metal oxide is fabricated and an ion beam formed from various gases is irradiated on the surface of the metal oxide to change composition and structure thereof. CONSTITUTION: A laser MBE apparatus has a pressure gauge(12) and an external vacuum pump(11) and vaporizes a metal oxide target(1) with a high-power pulse laser beam at a low pressure to deposit a metal oxide on a substrate(2) heated by a heater(3). The laser MBE apparatus includes a gas flow rate adjustment controller(6) for receiving an electrical signal from the pressure gauge to control gas flow rates, a gas flow rate controller(7) for supplying gases such that the laser MBE apparatus has a desired inner vacuum degree when the metal oxide is deposited, an ion beam generation controller(5) attached to the outside of the MBE apparatus to control the speed of an ion beam, and an ion beam generator(4) set inside the MBE apparatus to ionize the gases inserted from the gas flow rate controller, generating the ion beam.
Abstract translation: 目的：提供一种激光分子束外延（MBE）装置，其中设置离子束发生器以容易地控制当制造金属氧化物时的活性氧供应，并且从各种气体形成的离子束照射在金属的表面上 氧化物以改变其组成和结构。 构成：激光MBE装置具有压力计（12）和外部真空泵（11），并且用低功率的高功率脉冲激光束使金属氧化物靶（1）蒸发以在基底上沉积金属氧化物 （2）由加热器（3）加热。 激光MBE装置包括用于从压力计接收电信号以控制气体流速的气体流量调节控制器（6），用于供应气体的气体流速控制器（7），使得激光器MBE装置具有期望的内部 沉积金属氧化物时的真空度，附着在MBE装置的外部以控制离子束的速度的离子束发生控制器（5）和设置在MBE装置内的离子束发生器（4），以使 从气体流量控制器插入的气体，产生离子束。
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