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公开(公告)号：KR1020020025281A
公开(公告)日：2002-04-04
申请号：KR1020000056925
申请日：2000-09-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C09K11/62
CPC classification number: C09K11/642 , C04B35/10 , C04B35/64 , C04B2235/3217
Abstract: PURPOSE: A green fluorescent substance for the fluorescent display for the anode plate of an FED fluorescent substance and its preparation method are provided, to prevent the breakage of a fluorescent substance due to the electron scanning for a long time and not to break the vacuum of the space between a cathode plate and an anode plate. CONSTITUTION: The green fluorescent substance has the composition of xZnO + (2-x-y/2)Ga2O3 + yAl2O3 : zMn2+, wherein 0.8
Abstract translation: 目的：提供用于FED荧光物质的阳极板的荧光显示器的绿色荧光物质及其制备方法，以防止长时间由于电子扫描引起的荧光物质的破坏，并且不会破坏荧光物质的真空度 阴极板和阳极板之间的空间。 构成：绿色荧光物质具有xZnO +（2-x-y / 2）Ga2O3 + yAl2O3：zMn2 +的组成，其中0.8 <= x <1.0,0
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公开(公告)号：KR100319459B1
公开(公告)日：2002-01-09
申请号：KR1020000004140
申请日：2000-01-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G11B7/085
Abstract: 본 발명은 대용량의 정보를 저장하기 위하여 SIL(solid immersion lens)을 이용하는 것과 같은 근접장 방식을 이용하는 광 저장 방법 및 그 장치에 관한 것으로서 특히, 광학 기록매체에 광 신호를 집광하여 조사하는 제 1과정과; 상기 제 1과정을 통해 조사되어진 광 신호가 기록매체의 표면에서 반사 회절되는 광 신호를 수신하는 제 2과정과; 상기 제 2과정을 통해 수신되어진 광 신호의 회절량을 기준치와 비교하는 제 3과정; 및 상기 제 2과정을 통해 수신되어진 광 신호의 회절량의 편차가 기준치와 동일해지도록 트랙킹 동작을 수행하는 제 4과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 고밀도 근접 광저장을 위한 트랙킹 방법 및 그에 따른 장치를 제공하면, 본 발명은 SIL을 이용한 근접 방식의 광 정보 저장 장치에서 회절광 검출 방식을 이용하여 트랙킹 신호를 얻어내는 장치에 대한 것으로서, 기존의 근접장 트랙킹 방식인 주사 스캔형 방식에 비하여 구조가 단순하며 기존의 광 저장 장치에서 사용되는 push-pull방식을 응용할 수 있으므로 하드웨어적인 호환성이 높다는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR100319453B1
公开(公告)日：2002-01-05
申请号：KR1019990031976
申请日：1999-08-04
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: B82Y10/00 , G09G3/22 , H01J31/126 , H01J2201/30457 , H01J2201/30469 , H01J2201/319
Abstract: 본발명은전계방출소자(field emission device, field emitter)를평판디스플레이(flat panel display) 장치에응용한전계방출디스플레이(Field Emission Display: FED)에관한것이다. 본발명에의한, 2극형전계에미터를가진전계방출디스플레이는, 서로평행하게진공패키징된상판과하판을구비한 2극형전계에미터를가진전계방출디스플레이에있어서, 상기하판은, 행렬어드레싱을가능하게하는금속으로이루어진행 신호선들및 열신호선들과; 상기임의의행 신호선과열 신호선으로이루어진픽셀내에위치한막 형의전계에미터; 및상기행 신호선과열 신호선, 및전계에미터에각각접속된적어도 3개의단자들을구비하여, 상기행 신호선과열 신호선에각각인가되는스캔신호와데이터신호에따라상기전계에미터를구동하는스위칭수단을포함하고, 상기상판은, 상기전계에미터에대향하여상기전계에미터로부터방출되는전자를고에너지로가속시키는아노드전극을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020010104960A
公开(公告)日：2001-11-28
申请号：KR1020000026389
申请日：2000-05-17
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 전계방출소자(field emission device)를 구성하는 핵심요소인 전자방출용 캐소드 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 전기적 부도체 재료로 이루어진 하부기판과; 상기 하부기판상에 전기적 도전성을 갖는 물질로 형성되는 캐소드전극; 및 상기 캐소드전극의 위에 패터닝되어 부착되는 에미터로 구성되는 전계방출소자용 캐소드를 제공한다. 또한 전기적 부도체 재료로 이루어진 하부기판에 전기적 도전성을 갖는 물질로 캐소드전극을 형성시키는 공정과; 형성된 캐소드전극 위에 에미터 재료를 사진식각(photolithography) 공정으로 패터닝하여 에미터를 부착시키는 공정으로 이루어지며, 상기 에미터 부착 공정은, 낮은 전계에서 전자방출이 용이한 입자형 에미터 재료와 자외선에 감광되는 물질인 감광제(photo-sensitizer)를 함유하는 혼합체(mixture) 용액을 제조하는 단계; 제조된 혼합체 용액을 균일한 두께로 캐소드전극을 함유한 하부기판에 균일하게 도포하여 혼합체막을 형성하는 단계; 상기 혼합체막에 마스크를 사용하여 선별적으로 자외선을 조사하는 단계; 및 자외선에 노출된 부분과 노출되지 않은 부분에 있던 혼합체막을 선택적으로 제거하는 현상 단계를 포함하는 전계방출소자용 캐소드의 제조방법을 제공한다.-
公开(公告)号：KR1020010062975A
公开(公告)日：2001-07-09
申请号：KR1019990059763
申请日：1999-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01J1/30
Abstract: PURPOSE: A method for forming a parting layer of an FED(Field Emission Display) is provided to be capable of excluding the usage of an electron beam evaporator which is not suitable to fabricate an FED of large diameter by depositing a parting layer using an evaporator such as a conventional sputter to assure the thickness uniformity of the parting layer. CONSTITUTION: In a first step, an insulating layer(4) and a conductive layer(2) for a gate electrode are stacked on a substrate on which emitter electrodes(1) are formed. In a second step, a material film for a parting layer(8a) is formed on an overall structure. In a third step, a gate hole is formed by etching the material film for a parting layer in a tip area, the conductive layer for the gate electrode and the insulating layer. In a fourth step, the material film of a parting layer is made a reflow by a heat treatment.
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成FED（场致发射显示器）的分离层的方法，其能够排除不适于制造大直径FED的电子束蒸发器的使用，该蒸发器通过使用蒸发器沉积分离层 例如常规溅射以确保分型层的厚度均匀性。 构成：在第一步骤中，在形成有发射极（1）的基板上堆叠用于栅电极的绝缘层（4）和导电层（2）。 在第二步骤中，在整个结构上形成用于分型层（8a）的材料膜。 在第三步骤中，通过蚀刻用于尖端区域中的分离层的材料膜，栅极电极和绝缘层的导电层来形成栅极孔。 在第四步骤中，通过热处理使分离层的材料膜回流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020010056537A
公开(公告)日：2001-07-04
申请号：KR1019990058026
申请日：1999-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G11C11/22
CPC classification number: G11C11/2275 , G11C5/063 , G11C11/2253
Abstract: PURPOSE: A ferroelectric memory device having a unit ferroelectric transistor is provided to select and program one unit cell independently when the unit memory cell is to be programmed to "the first state" or to "the second state". CONSTITUTION: The ferroelectric memory device includes a plurality of unit memory cells(10,20,30,40,50,60) which are arranged in a matrix formation with the plurality of word lines(WL1...WLn) in a column direction and the plurality of bit lines(BL1...BLm) and source lines(SL1...SLm) is row direction are interconnected. Each of the unit memory cell includes a unit ferroelectric transistor which is coupled between the source line and the bit line and whose gate is coupled with the word line. The well of the unit ferroelectric transistor is coupled with one common well line in a row direction and connected in a way to be electrically isolated from another common well line of other adjacent wells. The source or drain of the unit ferroelectric transistor is coupled in common with the bit line or the source line in a row direction.
Abstract translation: 目的：提供具有单位铁电晶体管的铁电存储器件，以在单元存储器单元被编程为“第一状态”或“第二状态”时独立地选择和编程一个单位单元。 构成：铁电存储器件包括多个单元存储单元（10,20,30,40,50,60），其以列方向与多个字线（WL1 ... WLn）以矩阵形式布置 并且多个位线（BL1 ... BLm）和源极线（SL1 ... SLm）是行方向互连。 每个单元存储单元包括单元铁电晶体管，其耦合在源极线和位线之间，并且其栅极与字线耦合。 单元铁电晶体管的阱与行方向上的一条公共井线连接，并以与其它相邻井的另一条公用井线电隔离的方式连接。 单位铁电晶体管的源极或漏极与位线或源极线在行方向上共同耦合。
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公开(公告)号：KR1020010016823A
公开(公告)日：2001-03-05
申请号：KR1019990031976
申请日：1999-08-04
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: B82Y10/00 , G09G3/22 , H01J31/126 , H01J2201/30457 , H01J2201/30469 , H01J2201/319 , H01J1/30 , C01B32/05
Abstract: PURPOSE: A field emission display with a bipolar field emitter is provided to restrict a cross talk of a display signal by isolating electrically each pixel. CONSTITUTION: A field emission display with a bipolar field emitter comprises an upper substrate and a lower substrate. The lower substrate is formed with a column signal line(41R), a row signal line(41C), a field emitter(42), and three or more terminals. The column and the row signal lines(41R,41C) are formed with a metal. The field emitter(42) is located within the pixel defined by the column and the row signal lines(41R,41C). The terminals are connected the column signal line(41R), the row signal line(41C), and the field emitter(42). The upper substrate is formed with an anode electrode for accelerating electrons.
Abstract translation: 目的：提供具有双极场发射器的场发射显示器，以通过将每个像素电隔离来限制显示信号的串扰。 构成：具有双极场发射器的场发射显示器包括上基板和下基板。 下基板由列信号线（41R），行信号线（41C），场发射器（42）和三个或更多个端子形成。 列和行信号线（41R，41C）由金属形成。 场发射器（42）位于由列和行信号线（41R，41C）限定的像素内。 端子连接列信号线（41R），行信号线（41C）和场发射器（42）。 上基板形成有用于加速电子的阳极电极。
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公开(公告)号：KR100279749B1
公开(公告)日：2001-03-02
申请号：KR1019970072636
申请日：1997-12-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01J1/30
Abstract: 본 발명은 게이트와 에미터를 초근접시킨 전계방출 어레이의 제조방법에 관한 것으로서, 기판상에 도전체층 혹은 도전체와 저항층을 적층시킨 박막위에 다이아몬드 카본, 금속, 폴리실리콘 혹은 실리사이드중 어느하나로 이루어진 에미터 물질을 차례로 형성하고, 상기 에미터 물질상에 절연막 패턴을 형성하고, 상기 절연막 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 에미터 물질을 식각하는 것에 의해 에미터 전극을 형성하고, 상기 도전체층 혹은 도전체와 저항층을 적층시킨 박막을 절연막 패턴의 내측으로 언더 컷이 발생하도록 1차 등방성 및 2차 등방성 식각하여 도전체 층에 돌출한 기둥을 형성하며, 상기 도전체층상에 스핀온글라스(SOG)로 에미터의 하면과 접하는 부분은 두껍고 다른 부분은 얇도록 기둥 둘레에 게이트 절연막을 증착하고, 기계화학� �� 연마법으로 연마한 후 평탄화하여 에미터의 표면 및 측면이 노출되도록 하며, 상기 에미터 및 게이트 절연막위에 절연막을 형성하고, 그 위에 제거되는 이외의 부분에 디슁 방지층을 형성하도록 게이트 전극 형성용 금속을 형성하고, 상기 기둥 상측의 게이트 전극 형성용 금속을 기계화학적 연마법으로 평탄하게 제거하여 에미터의 상 표면을 노출시키는 것에 의해 게이트 전극을 형성하며, 상기 에미터와 게이트 전극사이의 절연막과 기둥 둘레의 게이트 절연막을 제거하여 에미터 기둥을 노출시킴으로써, 저가격으로 대면적의 평판 디스플레이를 만들 수 있는 효과를 갖는다.
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公开(公告)号：KR1020010002724A
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR1019990022660
申请日：1999-06-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: PURPOSE: An off-axial aperture with a fly's eye lens and a fabricating method thereof are provided to pass a larger quantity of light through the off-axial aperture, thereby increasing a throughput and facilely fabricating the aperture. CONSTITUTION: The device comprises a light shielding area formed at a center portion; a light penetrating area formed around the light shielding area and comprised of a fly's eye lens. The aperture further comprises a partial light penetrating area formed at a portion except the light shielding area and the light penetrating area and having a lower permeability than that of the light penetrating area. In the aperture, the light penetrating area formed into a quadruple, hexapole or annular type. A method of fabricating the off-axial aperture comprises the steps of: forming a light shielding pattern on an entire surface of a transparent substrate(100); forming the first resist pattern having a curved surface at a fly's eye lens area of the substrate; and performing an etching process to form the fly's eye lens on the substrate.
Abstract translation: 目的：提供具有飞眼镜片的非轴向孔径及其制造方法，以使较大量的光通过离轴孔径，从而增加产量并便利地制造孔径。 构成：该装置包括形成在中心部分的遮光区域; 一个透光区，形成在遮光区周围，由飞眼镜片组成。 孔径还包括形成在除了遮光区域和透光区域以外的部分的透光性比透光面积低的部分光穿透区域。 在孔中，透光区形成四重六极或环形。 制造离轴孔的方法包括以下步骤：在透明基板（100）的整个表面上形成遮光图案; 在所述基板的飞眼透镜区域形成具有弯曲表面的第一抗蚀剂图案; 并进行蚀刻处理，以在基板上形成蝇眼透镜。
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公开(公告)号：KR100250458B1
公开(公告)日：2000-04-01
申请号：KR1019970058524
申请日：1997-11-06
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01J9/025 , H01J2201/30411 , H01J2209/0226 , H01J2237/06341 , H01J2329/0415
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a cathode tip of a field emission device is provided to manufacture a stable and even cathode tip in the low temperature by using a selective etching method of a silicon layer, in which ion is injected. CONSTITUTION: In a method for manufacturing a cathode tip of a field emission device, an insulating board(21), a conductive layer(22), a silicon layer(23B) and a cathode tip(25) are included. The conductive layer(22) and the silicon layer(23B) are layed on the insulating board(21) in order. In the insulating board(21), an oxide, a nitride film, quartz and a glass are used. In conductive layer(22), a metal and a silicon, in which ion is injected, are used. The cathode tip(25) of the sharp cone type is gained by removing a silicon layer with wet etching. In wet etching, HF, CH3COOH and HNO3 are used with being mixed. The solution has the high etching ratio about the silicon layer, in which ion is injected, but it has the low etching ration about the silicon(23B), on which doping isn't carried out, so the clear cathode tip(25) is manufactured.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造场致发射器件的阴极尖端的方法，通过使用其中注入离子的硅层的选择性蚀刻方法在低温下制造稳定且均匀的阴极尖端。 构成：在场致发射器件的阴极尖端的制造方法中，包括绝缘板（21），导电层（22），硅层（23B）和阴极端（25）。 导电层（22）和硅层（23B）依次铺设在绝缘板（21）上。 在绝缘板（21）中，使用氧化物，氮化物膜，石英和玻璃。 在导电层（22）中，使用注入离子的金属和硅。 尖锐锥形的阴极尖端（25）通过用湿蚀刻去除硅层来获得。 在湿蚀刻中，混合使用HF，CH 3 COOH和HNO 3。 该解决方案具有高的蚀刻率，其中注入了离子，但是对于不进行掺杂的硅（23B），其蚀刻比率低，所以透明阴极尖端（25）为 制造。
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