公开(公告)号：KR100523484B1

公开(公告)日：2005-10-24

申请号：KR1020020069586

申请日：2002-11-11

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 송현우 ,  권오균 ,  한원석 ,  박상희 ,  김종희 ,  신재헌 ,  주영구

IPC: H01S5/30

CPC classification number: H01L33/145 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18316 ,  H01S5/18347 ,  H01S5/3095 ,  H01S2301/176

Abstract: 전류 제한 구조(current-confined structure)를 갖는 반도체 광소자의 제조방법를 제공한다. 본 발명은 반도체 기판 상에 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 제3 반도층이 순차적으로 적층되는 메사 구조를 형성한 후, 상기 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 제3 반도체층을 구성하는 물질층중 적어도 어느 하나의 물질층을 선택적으로 습식에칭하여 측면부에 리세스를 형성한다. 상기 리세스의 일부 혹은 전체를 채우면서 상기 제1 반도체층 내지 제3 반도체층의 측벽면에 산화막 혹은 질화막을 형성하여 상기 리세스된 물질층으로 전류 주입 경로를 갖게 한다. 이상과 같이 제조된 본 발명의 반도체 광소자는 광통신 파장 영역에서 사용 가능하고 역학적으로 안정하고 열전도도가 우수하며 상업성을 갖춘 전류 제한 구조를 갖는다.

公开(公告)号：KR1020050051743A

公开(公告)日：2005-06-02

申请号：KR1020030085359

申请日：2003-11-28

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 송현우 ,  한원석 ,  김종희 ,  주영구 ,  권오균 ,  박상희

IPC: H01S5/18

CPC classification number: H01S5/18341 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/18305 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18363

Abstract: 본 발명은 반도체 반사경 또는 광학 필터로 이용될 수 있는 반도체 광소자의 제작 방법에 대해 개시한다. 에칭비가 서로 다른 두가지 이상의 반도체층들을 교대로 적층한 후 적어도 한 종류의 반도체층들을 선택적으로 에칭하여 에어갭(air gap)을 형성하고, 에어갭이 매립되도록 열전달 특성이 양호한 산화물 혹은 질화물을 증착한다. 에어갭에 매립된 산화물 혹은 질화물과 반도체층의 큰 굴절률 차이로 인하여 적은 주기로도 효과적으로 높은 반사율을 갖는 반도체 반사경 또는 광학 필터를 구현할 수 있다.

公开(公告)号：KR100482914B1

公开(公告)日：2005-04-14

申请号：KR1020020071277

申请日：2002-11-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 신재헌 ,  송현우 ,  주영구 ,  김종희 ,  한원석 ,  권오균

IPC: H01S5/183

Abstract: 본 발명은 공기층 구경을 갖는 수직공진 표면방출레이저 구조 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판 상부에 굴절율이 다른 두 박막이 교대로 성장된 하부거울층, 하부거울층 상부에 위치하여 전류 및 열방출의 경로가 되는 열방출층, 열방출층 상부에 위치하여 공진하는 레이저빔이 광이득을 얻는 활성층, 활성층 상부에 위치하며 양 측면에 공기층 구경을 갖는 구경형성층, 구경형성층 상부에 굴절율이 다른 두 박막이 교대로 성장된 상부거울층, 상부거울층, 구경형성층 및 활성층의 측면과 상기 열방출층의 상부에 위치하는 절연층 및 상부거울층의 상부에 위치하는 전극을 포함한다. 따라서 기계적으로 안정적이고 효과적인 전류유도를 할 수 있으며, 단일 횡모드 발진이 가능하고 구동전력이 적고 동작속도가 빠른 통신용 장파장 광원의 공급이 가능해지는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020040054442A

公开(公告)日：2004-06-25

申请号：KR1020020081481

申请日：2002-12-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 오대곤 ,  이진홍 ,  김진수 ,  홍성의 ,  한원석

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A method for forming a quantum dot using a selective area growth and an optical device manufactured by using the same are provided to be capable of increasing the allowable error extent of optimizing variables, easily applying optical mode conversion characteristics to a photon IC(Integrated Circuit), and variously controlling the size and density of quantum dots at a time. CONSTITUTION: A substrate(22) is prepared for forming quantum dots. A dielectric mask is formed on the predetermined portion of the substrate. A plurality of quantum dots are formed on the resultant structure except the dielectric mask region. The size of the quantum dot is capable of being changed by controlling the volume of material atoms moved to the opened portion of the substrate. Preferably, the dielectric mask having a thickness of 200-300 nm is made of silicon nitride.

Abstract translation: 目的：提供使用选择性区域生长形成量子点的方法和使用该方法制造的光学装置，以便能够增加优化变量的容许误差范围，容易地将光学模式转换特性应用于光子IC（集成 电路），并且一次不同地控制量子点的尺寸和密度。 构成：制备用于形成量子点的衬底（22）。 在基板的预定部分上形成介电掩模。 除了电介质掩模区域之外，在所得结构上形成多个量子点。 量子点的尺寸能够通过控制移动到衬底的开口部分的材料原子的体积来改变。 优选地，具有200-300nm厚度的电介质掩模由氮化硅制成。

公开(公告)号：KR1020040042694A

公开(公告)日：2004-05-20

申请号：KR1020020071277

申请日：2002-11-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 신재헌 ,  송현우 ,  주영구 ,  김종희 ,  한원석 ,  권오균

IPC: H01S5/183

Abstract: PURPOSE: A vertical cavity surface emission layer structure provided with an air gap aperture and a method for manufacturing the same are provided to effectively induce the current by making the etching depth of the air gap aperture shallow. CONSTITUTION: A vertical cavity surface emission layer structure provided with an air gap aperture includes an air gap aperture provided with a substrate(100), a bottom mirror layer(102), a heat emission layer(104), an active layer(106), an aperture formation layer(108), a top mirror layer(110), an insulation layer(112) and an electrode(114). The heat emission layer(104) is positioned at the top of the bottom mirror layer(102) and is a role of the path of the current and the heat dissipation. The active layer(106) is positioned at the top of the heat emission layer(104) to obtain the optical gain of the laser. The aperture formation layer(108) is positioned on the top of the active layer and the top mirror layer(110) is formed on the top of the aperture formation layer(108), wherein the top mirror layer is formed by alternatively growing two layers. The insulation layer(112) is formed on the sides of the top mirror layer(110), the aperture formation layer(108) and the active layer(106) and the top of the heat emission layer(104). And, the electrode is formed on the top of the top mirror layer(110).

Abstract translation: 目的：提供具有气隙孔的垂直腔表面发射层结构及其制造方法，以通过使气隙孔的蚀刻深度变浅而有效地引起电流。 构造：设置有气隙孔的垂直腔表面发射层结构包括设置有衬底（100）的气隙孔，底镜层（102），发热层（104），有源层（106） ，孔形成层（108），顶镜层（110），绝缘层（112）和电极（114）。 发热层（104）位于底部镜层（102）的顶部，并且是电流和散热的路径的作用。 活性层（106）位于发热层（104）的顶部，以获得激光的光学增益。 孔径形成层（108）位于有源层的顶部上，顶部镜层（110）形成在孔形成层（108）的顶部上，其中顶部镜层是通过交替生长两层形成的 。 绝缘层（112）形成在顶镜层（110），孔形成层（108）和有源层（106）和发热层（104）的顶部的侧面上。 并且，电极形成在顶镜层（110）的顶部。

公开(公告)号：KR1020030094711A

公开(公告)日：2003-12-18

申请号：KR1020020031972

申请日：2002-06-07

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 한원석 ,  유병수 ,  권오균 ,  노정래 ,  신재헌 ,  주영구

IPC: H01S5/18

Abstract: PURPOSE: An anti-guide type surface emitting laser and a method for manufacturing the same are provided to realize a high power with a low current at a single mode since the output light is small in size and it scarcely diverges, thereby reducing the manufacturing cost thereof. CONSTITUTION: An anti-guide type surface emitting laser includes a lower Bragg mirror layer(102), a resonance layer(103), a beam width control layer(113) and an upper Bragg mirror layer(109). The beam width control layer(113) formed on top of the resonance layer(103) includes a first thin film(104) defining the central portion as a current injection region, a second thin film layer(105) for generating an effective refraction index difference between the peripheral portion and the central portion and a third thin film(107) formed between the first thin film(104) and the second thin film(105). The lower Bragg mirror layer(102) is formed on a semiconductor substrate and the resonance layer(103) is formed on top of the lower Bragg mirror layer(102). The upper Bragg mirror layer(109) formed on top of the beam width control layer(113) has a step at a boundary between the edge portion and the central portion by the second thin film(105).

Abstract translation: 目的：提供反导型表面发射激光器及其制造方法，由于输出光的尺寸小，几乎不发散，因此以单模的低电流实现高功率，从而降低制造成本 它们。 反导型表面发射激光器包括下布拉格镜层（102），谐振层（103），光束宽度控制层（113）和上布拉格镜层（109）。 形成在谐振层（103）的顶部的光束宽度控制层（113）包括限定中心部分作为电流注入区域的第一薄膜（104），用于产生有效折射率的第二薄膜层（105） 周边部分和中心部分之间的差异以及形成在第一薄膜（104）和第二薄膜（105）之间的第三薄膜（107）。 下半布拉格镜层（102）形成在半导体衬底上，共振层（103）形成在下布拉格镜层（102）的顶部。 形成在光束宽度控制层113的顶部的上部布拉格镜层109通过第二薄膜105在边缘部和中央部之间的边界处具有台阶。

公开(公告)号：KR101923729B1

公开(公告)日：2018-11-29

申请号：KR1020120120415

申请日：2012-10-29

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 정용덕 ,  조대형 ,  한원석

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/186 ,  C23C14/5853 ,  C23C14/5866 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/02614 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

Abstract: 태양전지의제조방법이제공된다. 기판상에광흡수층을형성하고, 상기광흡수층상에버퍼층을형성하고, 상기버퍼층상에윈도우전극층을형성한다. 상기버퍼층을형성하는것은상기광흡수층상에금속물질을증착하는것, 상기광흡수층상에비금속물질을공급하는것, 상기광흡수층상에산소원자를포함하는기체물질을공급하는것, 및상기금속물질과상기비금속물질을반응시키는것을포함한다. 상기산소원자를포함하는기체물질은상기금속물질및 상기비금속물질과반응하여상기광흡수층상에금속황산화물을형성한다.

公开(公告)号：KR1020170071074A

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：KR1020150178966

申请日：2015-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김덕준 ,  고영호 ,  김동영 ,  한원석 ,  권용환 ,  김종회 ,  최병석

IPC: G02B6/293

CPC classification number: G02F1/2257 ,  G02F2001/212

Abstract: 마흐-젠더전기광학변조기의제조방법은능동영역및 수동영역을구비하는 III-V족화합물반도체기판상에 III-V족화합물반도체를포함하는진성반도체층을형성하는단계; 상기능동영역에대응하는진성반도체층에제1 불순물을도핑하여, 상기기판상에배치되고상기제1 불순물이도핑되지않은코어층, 및상기코어층상에배치되고상기제1 불순물이도핑된영역을포함하는상부클래드층을형성하는단계; 및상기코어층, 및상기상부클래드층을패터닝하는단계를포함할수 있다. 상기코어층은상기능동영역에배치되는능동코어층, 및상기수동영역에배치되는수동코어층을포함할수 있다. 상기상부클래드층은상기능동코어층상에배치되고상기제1 불순물이도핑된능동상부클래드층, 및상기수동코어층상에배치되고상기제1 불순물이도핑되지않은수동상부클래드층을포함할수 있다. 상기능동상부클래드층및 상기수동상부클래드층은동일한두께를가질수 있다.

Abstract translation: 的制造方法的马赫 - 曾德尔电光调制器包括：形成包括具有有源区域和无源区域中的III-V族化合物半导体衬底上的III-V族化合物半导体的本征半导体层; 设置在所述基板上且未掺杂有所述第一杂质的核心层和布置在所述核心层上且掺杂有所述第一杂质的第二杂质区域; 形成包含上覆层的上覆层; 并且图案化芯层和上部包层。 芯层可以包括设置在有源区中的有源芯层和设置在无源区中的无源芯层。 上包覆层可以包括设置在有源芯层上并掺杂有第一杂质的有源上包覆层以及设置在无源芯层上并且不掺杂第一杂质的无源上包覆层。 有源上部包层和无源上部包层可以具有相同的厚度。

公开(公告)号：KR1020170043985A

公开(公告)日：2017-04-24

申请号：KR1020160025207

申请日：2016-03-02

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 배성범 ,  김성복 ,  정용덕 ,  조대형 ,  한원석

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/22 ,  H01L33/36 ,  H01L33/38

Abstract: 발광다이오드를제조하는방법이제공된다. 상기발광다이오드의제조방법은성장기판상에버퍼층, 초격자층, n형반도체층, 활성층, 및 p형반도체층을차례로형성하되, 상기초격자층은교대로그리고반복적으로적층된제1 및제2 서브층들을포함하는것, 상기성장기판의하면으로부터상기초격자층까지연장되는비아홀을형성하는것, 및상기비아홀 내에 n형전극을형성하는것을포함한다. 나아가, 상기비아홀을형성하는것은유도플라즈마분광법을이용하여상기비아홀의바닥면의위치를파악하는것을포함한다.

Abstract translation: 提供了一种制造发光二极管的方法。 用于制造发光二极管的方法是生长衬底的缓冲层，所述超晶格层，所述n型半导体层，有源层和p型，但半导体层，然后，将基础网格层交替和重复的层叠体在第一mitje第二子 形成从生长衬底的表面延伸到栅格层下面的相的通孔以及在通孔中形成n型电极。 此外，形成通孔包括使用感应等离子体光谱来定位通孔的底面。

公开(公告)号：KR1020160010728A

公开(公告)日：2016-01-28

申请号：KR1020140090510

申请日：2014-07-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 한원석

IPC: H01L33/04

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/12 ,  H01L33/20 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2933/0058

Abstract: 본발명은높은균일도를갖는양자점의성장방법및 이로부터얻은양자점을적용한발광소자에관한것으로, 본발명에따른양자점의성장방법은화합물반도체기판사아에박막성장방향의수직방향으로격자상수가작은조성을갖는제1 부분과격자상수가큰 조성을갖는제2 부분을교대로주기적으로생성시켜상분리된 박막을형성하는단계; 및상기상분리박막의제1 부분상에자발성장방법으로양자점을성장시키는단계를포함하며, 이와같은방법으로성장된높은균일도를갖는양자점을전자소자에적용시문턱전압을낮출수 있어소자의효율을개선시킬수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于生长具有高均匀性的量子点的方法，以及应用了通过其获得的量子点的发光器件。 根据本发明的用于生长量子点的方法包括以下步骤：通过交替地和周期性地制备具有小晶格常数的组成的第一部分和具有大的组成的第二部分来生产相分离的薄膜 化合物半导体衬底之间的薄膜生长方向的垂直方向的晶格常数; 并在相分离薄膜的第一部分通过自愿生长方法生长量子点。 当通过该方法生长并且具有高均匀性的量子点被应用于电子器件时，可以降低阈值电压，从而可以提高器件的效率。