-
公开(公告)号：KR100274316B1
公开(公告)日：2000-12-15
申请号：KR1019980039587
申请日：1998-09-24
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C30B7/10
Abstract: 본 발명은 압전 소자용 수정 단결정의 제조방법에 관한 것으로, 원료와 종자결정을 승온하여 수열법으로 종자결정을 육성하는 수정 단결정의 제조방법에 있어서, 종자결정을 오토클레이브내에 수평으로 배치하고, 바람직하게는 승온단계시 음의 온도구배로 결정을 수열에칭하는 것을 특징으로 하는 본 발명의 수정 단결정의 제조방법에 따르면 기존의 방법에 의해 생성된 수정 단결정에 비해 성장영역 및 종자결정과 성장영역의 계면에서 발생하는 함유물 크러스터의 혼입이 현저하게 감소된 고순도 수정 단결정을 제조할 수 있다.
-
公开(公告)号：KR1020000020807A
公开(公告)日：2000-04-15
申请号：KR1019980039587
申请日：1998-09-24
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C30B7/10
Abstract: PURPOSE: A preparation method of a crystal of high-purity by disposing a seed crystal horizontally in an autoclave and hydrothermal-etching the crystal with a gradient of negative temperature in a heat rising step is provided which can minimize the formation of a cluster. CONSTITUTION: A method for making a high-purity quartz crystal comprises: (a)disposing a seed crystal horizontally in an autoclave and hydrothermal-etching the crystal with a gradient of negative temperature in a heat rising step in which the temperature in a crystal growing part is raised to 10-20 deg.C more than in a dissolving part when the temperature in a crystal growing part reaches 200 deg.C in the heating rising step. The compound is useful as a high-purity quartz oscillator, a surface acoustic element, and an optical low pass filter.
Abstract translation: 目的：提供一种通过在高压釜中水平放置晶种并在加热步骤中以负温度梯度水热蚀刻晶体的高纯度晶体的制备方法，其可以最小化簇的形成。 构成：制造高纯度石英晶体的方法包括：（a）将晶种水平放置在高压釜中，并在晶体生长中的温度升温步骤中以负温度梯度水热蚀刻晶体 当加热上升步骤中晶体生长部分的温度达到200℃时，部分比溶解部分高10-20℃。 该化合物可用作高纯度石英振荡器，表面声学元件和光学低通滤波器。
-
-
公开(公告)号：KR1019970027372A
公开(公告)日：1997-06-24
申请号：KR1019950040984
申请日：1995-11-13
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C30B7/10
Abstract: 목적
불균질 성장영역을 낮추고 불순물의 농도를 감소키 위한 황수정의 제조방법을 목적으로 한다.
구성
조쇄한 천연수정과 천연철광석 분말을 용기에 넣고 이를 오토클레이브의 하단부(원료용해부)에 장착시키고, 대류조절판을 얹은 후 (0001)방향의 판상 종자결정을 오토클레이브의 상단부(결정육성부)에 장착하고, 탄산칼륨 수용액에 질산리튬을 첨가한 용액으로 오토클레이브에 충전한 후 오토클레이브를 밀폐하고 상단부의 온도 360℃, 하단부의 온도 330℃에서 수열에칭한 후 상단부 약340℃로 강하시키고 하단부 약370℃로 승온 후 일정기간 육성하여서 된 황수정의 제조방법이다.-
公开(公告)号：KR1019970011034A
公开(公告)日：1997-03-27
申请号：KR1019950024088
申请日：1995-08-04
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C30B29/16
Abstract: KOH만을 미네랄라이저로 사용하였을 때 자발핵생성에 의한 상단결석형상을 억제하여 종자 결정부위에서만 결정이 성장되도록 하고 발톱무늬의 결함발생을 억제하며 미네랄라이저의 농도를 낮춤으로써 오토클레이브의 내장재를 은으로 대체키 위해 미네랄라이저로써 3M KOH＋0.5~1.5M LiOH 수용액을 사용하고 미네랄라이저에 3g/ℓ의 산화아연 분말을 미리 포화시킨 용액을 사용하여 육성온도 330~350℃에서 산화아연 단결정을 제조하는 방법이다.
-
Patent Agency Ranking
-
公开(公告)号：KR1020160015037A
公开(公告)日：2016-02-12
申请号：KR1020140097453
申请日：2014-07-30
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은하기화학식 1로표시되는란탄족금속전구체에관한것으로, 상기란탄족금속전구체는열적으로안정하므로양질의란탄족금속박막을형성할수 있다. [화학식 1](상기식에서, M은란탄족금속이고, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기, 플루오르화알킬기이고, R은 H이거나, C1-C4의선형또는분지형알킬기, 플루오르화알킬기이고, R및 R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기이다.)
Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的镧系元素金属前体，其由热稳定化并可形成高质量的镧系元素金属薄膜。 在化学式1中，M是镧系金属; R_1和R_2分别表示C1至C10的直链或支链烷基和分别为烷基氟的基团; R_3是H，C1至C10的直链或支链烷基或烷基氟基; 且R_4和4_5各自表示C1至C10的直链或支链型烷基。 根据本发明，可以在低温下获得镧系元素金属薄膜的优良品质。
-
公开(公告)号：KR101530042B1
公开(公告)日：2015-06-18
申请号：KR1020130046344
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은하기화학식 1로표시되는인듐전구체에관한것으로, 상기인듐전구체는황을포함하고있는전구체로서박막제조중에별도의황을첨가시키지않아도되는장점이있고열적안정성이향상되어양질의황을포함하는인듐박막을형성할수 있다.[화학식 1](상기식에서, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기이고, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형의알킬기또는 C1-C10의선형또는분지형의플루오르화알킬기이며, Y는 SeCN 또는 SCN이고, n은 1 내지 3 범위의정수에서선택된다.)
-
公开(公告)号：KR101503032B1
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：KR1020130046347
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C23C16/06 , C23C16/448
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 주석 전구체에 관한 것으로, 상기 주석 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점이 있고 열적 안정성이 향상되어 양질의 황을 포함하는 주석 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R
1 , R
2 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R
3 , R
4 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오르화 알킬기이며, E는 S, Se 또는 Te이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)-
公开(公告)号：KR101470905B1
公开(公告)日：2014-12-09
申请号：KR1020120136558
申请日：2012-11-28
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은하기화학식 1로표시되는루테늄전구체에관한것으로, 상기루테늄전구체는열적안정성과휘발성이향상되고, 박막증착시 산소를사용하지않아도되는장점이있어양질의루테늄박막을형성할수 있다. [화학식 1](상기식에서, R1-R12는각각독립적으로 H이거나, C1-C4의선형또는분지형알킬기다.)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
113
records
(took 0.017 seconds)
