公开(公告)号：DE102015119146A1

公开(公告)日：2017-05-11

申请号：DE102015119146

申请日：2015-11-06

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： VIERHEILIG CLEMENS ,  GERHARD SVEN ,  LÖFFLER ANDREAS

IPC: H01S5/20

Abstract: Die Erfindung betrifft einen Halbleiterlaser, umfassend: – eine Halbleiterschichtenfolge mit zwei gegenüberliegenden, einen Resonator definierenden, Facetten und einer zwischen den beiden Facetten ausgebildeten aktiven Zone, – einen Stegwellenleiter, der aus der Halbleiterschichtenfolge als eine über der aktiven Zone liegenden Erhebung einer Oberseite der Halbleiterschichtenfolge ausgebildet und mit seiner Längsachse entlang der aktiven Zone ausgerichtet ist, – eine Kontaktmetallisierung, die auf einer der aktiven Zone abgewandten Oberseite des Stegwellenleiters aufgebracht ist, und – eine Bestromungsschicht, die in direktem Kontakt mit der Kontaktmetallisierung steht, – wobei die Oberseite der Halbleiterschichtenfolge einen Abschnitt umfasst, der bezogen auf eine Längsachse des Stegwellenleiters über seine Breite an eine der beiden Facetten angrenzt, wobei der Abschnitt einen Unterabschnitt der Oberseite des Stegwellenleiters umfasst, wobei sich der Unterabschnitt bezogen auf die Längsachse des Stegwellenleiters über eine Breite des Stegwellenleiters an der einen der beiden Facetten angrenzend erstreckt, – wobei der Abschnitt frei von der Bestromungsschicht ist. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers sowie einen Wafer.

公开(公告)号：DE102015105752A1

公开(公告)日：2016-10-20

申请号：DE102015105752

申请日：2015-04-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KURZ CHRISTIAN ,  GERHARD SVEN ,  LÖFFLER ANDREAS ,  MÜLLER JENS

IPC: H01L23/544 ,  H01L33/44

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Anordnung mit einer Begrenzungsschicht, einer Metallisierungsschicht und einem Halbleiterbauelement, wobei die Metallisierungsschicht auf dem Halbleiterbauelement und die Begrenzungsschicht auf der Metallisierungsschicht angeordnet ist, wobei die Begrenzungsschicht dazu dient, ein Reservoir für ein Markermaterial räumlich zumindest teilweise definiert festzulegen.

公开(公告)号：DE102014115253A1

公开(公告)日：2016-04-21

申请号：DE102014115253

申请日：2014-10-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RUMBOLZ CHRISTIAN ,  GERHARD SVEN

IPC: H01L21/308 ,  H01S5/22 ,  H01S5/24

Abstract: Es werden ein Verfahren zur Strukturierung einer Schichtenfolge sowie eine Halbleiterlaser-Vorrichtung angegeben. Bei dem Verfahren erfolgt die Erzeugung zumindest eines Grabens (4) in der Schichtenfolge (10) durch zwei Plasmaätzverfahren. Die Halbleiterlaser-Vorrichtung umfasst eine Schichtenfolge (10), die mit einem Halbleitermaterial gebildet ist, und zwei Gräben (4) in der Schichtenfolge (10), die einen Stegwellenleiter (30) seitlich begrenzen, wobei jeder der Gräben (4) an seiner dem Stegwellenleiter (30) abgewandten Seite von einem Bereich (A) der Schichtenfolge (10) begrenzt ist.

公开(公告)号：DE102014112902A1

公开(公告)日：2016-03-10

申请号：DE102014112902

申请日：2014-09-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GERHARD SVEN ,  ADLHOCH THOMAS ,  VEIT THOMAS ,  LELL ALFRED ,  PFEIFFER JOACHIM ,  MÜLLER JENS ,  EICHLER CHRISTOPH

IPC: H01S5/02

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines Laserchips umfasst Schritte zum Bereitstellen einer Halbleiterscheibe mit einer Oberseite und einer Unterseite, wobei die Halbleiterscheibe eine Mehrzahl integrierter Laserdiodenstrukturen aufweist, die entlang einer festgelegten Bruchrichtung hintereinander angeordnet sind, zum Anlegen einer Mehrzahl von entlang der Bruchrichtung hintereinander angeordneten Vertiefungen an der Oberseite der Halbleiterscheibe, wobei jede Vertiefung in Bruchrichtung aufeinander folgend eine vordere Begrenzungsfläche und eine hintere Begrenzungsfläche aufweist, wobei bei mindestens einer Vertiefung die hintere Begrenzungsfläche gegenüber der Oberseite der Halbleiterscheibe um einen Winkel zwischen 95° und 170° geneigt ist, und zum Brechen der Halbleiterscheibe in Bruchrichtung an einer senkrecht zur Oberseite der Halbleiterscheibe orientierten Bruchebene, die durch die Vertiefungen verläuft.

公开(公告)号：DE102013207258A1

公开(公告)日：2014-10-23

申请号：DE102013207258

申请日：2013-04-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GERHARD SVEN ,  MÜLLER JENS ,  BRÜDERL GEORG

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/02 ,  H01S5/30

Abstract: Die Erfindung betrifft ein/Halbleiterlaser mit einem Grundkörper und einem auf dem Grundkörper angeordneten Streifenkörper, wobei der Grundkörper und der Streifenkörper aus Halbleitermaterial gebildet sind, wobei das Halbleitermaterial eine aktive Zone zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung aufweist, wobei auf einer Oberseite des Streifenkörpers eine erste Kontaktschicht aufgebracht ist, wobei eine zweite Kontaktschicht an wenigstens eine Seitenfläche des Streifenkörpers und/oder an wenigstens eine seitlich zum Streifenkörper angeordnete Oberseite des Grundkörpers angrenzt, wobei die zweite Kontaktschicht mit einer Wärmesenke in Kontakt steht, wobei ein elektrischer Übergangswiderstand zwischen der zweiten Kontaktschicht und dem Grundkörper und/oder dem Streifenkörper größer ist als der elektrische Übergangswiderstand zwischen der ersten Kontaktschicht und dem Streifenkörper.

公开(公告)号：DE102015116712B4

公开(公告)日：2024-11-28

申请号：DE102015116712

申请日：2015-10-01

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LÖFFLER ANDREAS ,  GERHARD SVEN ,  LELL ALFRED ,  VIERHEILIG CLEMENS

IPC: H01S5/22

Abstract: Optoelektronisches Bauelement mit einer Schichtstruktur (2) mit einer aktiven Zone (9) zum Erzeugen einer elektromagnetischen Strahlung, wobei die aktive Zone (9) in einer Ebene angeordnet ist, wobei die Schichtstruktur (2) eine Oberseite (7) und vier Seitenflächen (3, 4, 5, 6) aufweist, wobei eine streifenförmige Ridgestruktur (8) auf der Oberseite (7) der Schichtstruktur (2) angeordnet ist, wobei sich die Ridgestruktur (8) zwischen der ersten Seitenfläche (3) und der dritten Seitenfläche (5) erstreckt, wobei die erste Seitenfläche (3) eine Abstrahlfläche für elektromagnetische Strahlung darstellt, wobei seitlich neben der Ridgestruktur (8) in die Oberseite (7) der Schichtstruktur (2) eine erste Ausnehmung (11) eingebracht ist, wobei eine zweite Ausnehmung (12) in die erste Ausnehmung (11) eingebracht ist, und wobei sich die zweite Ausnehmung (12) bis zu der zweiten Seitenfläche (4) erstreckt, wobei wenigstens eine dritte Ausnehmung (16) seitlich neben der Ridgestruktur (8) in eine Bodenfläche (13) der ersten Ausnehmung (11) eingebracht ist.

公开(公告)号：DE112017001125B4

公开(公告)日：2022-10-13

申请号：DE112017001125

申请日：2017-03-03

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： EICHLER CHRISTOPH ,  GERHARD SVEN

IPC: H01L33/48

Abstract: Optoelektronische Leuchtvorrichtung (101, 501, 801, 1201), umfassend:- einen optoelektronischen Halbleiterchip (103),- der eine Oberseite (105) und eine der Oberseite (105) gegenüberliegende Unterseite (201) aufweist,- wobei zwischen der Oberseite (105) und der Unterseite (201) eine Halbleiterschichtenfolge (209) gebildet ist,- wobei die Halbleiterschichtenfolge (209) eine aktive Zone (211) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung umfasst,- wobei an der Oberseite (105) oder der Unterseite (201) eine Sperre (109) für einen aufgrund eines stoffschlüssigen Verbindens des Halbleiterchips (103) mit einem Träger (301, 4701, 4901) fließenden Verbindungswerkstoff (107) gebildet ist,- wobei die Sperre (109) als ein oder mehrere Mesagräben (2403, 2405, 2503, 2505) zum Aufnehmen des fließenden Verbindungswerkstoffs (107) gebildet ist- wobei zumindest ein Mesagraben (2403, 2405, 2503, 2505) von einer ersten Facette (2603) des Halbleiterchips (103) zu einer der ersten Facette (2603) gegenüberliegenden zweiten Facette (2605) verläuft, wobei dieser Mesagraben (2403, 2405, 2503, 2505) zwei jeweils an eine der beiden Facetten (2603, 2605) angrenzende Facettenabschnitte (2607) und einen zwischen den beiden Facettenabschnitten (2607) verlaufenden Zwischenabschnitt (2609) aufweist, wobei eine Tiefe des Zwischenabschnitts (2609) größer ist als eine jeweilige Tiefe der beiden Facettenabschnitte (2607).

公开(公告)号：DE112017003576B4

公开(公告)日：2022-09-29

申请号：DE112017003576

申请日：2017-07-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GERHARD SVEN ,  EICHLER CHRISTOPH ,  LELL ALFRED ,  STOJETZ BERNHARD

IPC: H01S5/24 ,  H01S5/22

Abstract: Halbleiterlaserdiode mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (3), die eine Haupterstreckungsebene aufweist und die dazu eingerichtet ist, im Betrieb in einem aktiven Bereich (5) Licht (8) zu erzeugen und über eine Lichtauskoppelfläche (6) abzustrahlen,wobei sich der aktive Bereich (5) von einer der Lichtauskoppelfläche (6) gegenüberliegenden Rückseitenfläche (7) zur Lichtauskoppelfläche (6) entlang einer longitudinalen Richtung (93) in der Haupterstreckungsebene erstreckt, undwobei die Halbleiterschichtenfolge (2) eine Grabenstruktur (10) mit zumindest zwei Gräben (11, 12) auf einer Seite lateral neben dem aktiven Bereich (5) aufweist, wobei sich jeder Graben (11, 12) der Grabenstruktur (10) in longitudinaler Richtung (93) erstreckt und von einer Oberseite (20) der Halbleiterschichtenfolge (2) her in einer vertikalen Richtung (92) in die Halbleiterschichtenfolge (2) hineinragt,wobei die zumindest zwei Gräben im Vergleich zueinander in Bezug auf eine oder mehrere ihrer Eigenschaften in der lateralen Richtung und/oder in der longitudinalen Richtung und/oder der vertikalen Richtung variieren,wobei an den die zumindest zwei Gräben (11, 12) in lateraler Richtung (91) begrenzenden Oberflächen ein Brechungsindexsprung hervorgerufen wird, durch den eine Ausdehnung und ein Verlauf der den aktiven Bereich (5) ergebenden Lichtmode eingestellt wird, undwobei die zumindest zwei Gräben (11, 12) einen Abstand von kleiner oder gleich 5000 nm aufweisen.

公开(公告)号：DE102017111938B4

公开(公告)日：2022-09-08

申请号：DE102017111938

申请日：2017-05-31

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STOJETZ BERNHARD ,  EICHLER CHRISTOPH ,  LELL ALFRED ,  GERHARD SVEN

IPC: H01S5/04 ,  H01S5/20

Abstract: Halbleiterlaserdiode (100), aufweisend einen ersten Resonator (1) und einen zweiten Resonator (2), die parallele Resonatorrichtungen entlang einer longitudinalen Richtung (93) aufweisen und die monolithisch in die Halbleiterlaserdiode (100) integriert sind, wobei- der erste Resonator (1) zumindest einen Teil einer Halbleiterschichtenfolge (12) mit einer aktiven Schicht (13) und einem aktiven Bereich (15) aufweist, der im Betrieb der Halbleiterlaserdiode (100) zur Erzeugung eines ersten Lichts (19) elektrisch gepumpt werden kann,- die longitudinale Richtung (93) parallel zu einer Haupterstreckungsebene der aktiven Schicht (13) ist,- der zweite Resonator (2) einen aktiven Bereich (25) mit einem laseraktiven Material (21) aufweist, das im Betrieb der Halbleiterlaserdiode (100) zur Erzeugung eines aus dem zweiten Resonator (2) teilweise nach außen abgestrahlten zweiten Lichts (29) durch zumindest einen Teil des ersten Lichts (19) optisch gepumpt werden kann,- der erste und zweite Resonator (1, 2) durch eine zumindest teilweise transparente Verbindungsschicht (7) optisch und mechanisch miteinander gekoppelt sind, und- die Verbindungsschicht (7) zumindest teilweise ein transparentes leitendes Oxid und/oder eine strukturierte Metallschicht aufweist und/oder dichroitisch ist.

公开(公告)号：DE102018113874A1

公开(公告)日：2019-12-12

申请号：DE102018113874

申请日：2018-06-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STOJETZ BERNHARD ,  EICHLER CHRISTOPH ,  LELL ALFRED ,  GERHARD SVEN

IPC: H01S5/04 ,  H01S3/094

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) eine Primärlichtquelle (11) und eine Sekundärlichtquelle (12). Die Primärlichtquelle (11) und die Sekundärlichtquelle (12) sind in dem Halbleiterbauteil (1) monolithisch integriert, sodass sich zwischen diesen ausschließlich kondensierte Materie befindet. Die Primärlichtquelle (11) umfasst einen ersten Resonator (11), der eine Halbleiterschichtenfolge (3) beinhaltet, die im Betrieb elektrisch gepumpt wird. Eine erste Resonatorachse (51) des ersten Resonators (21) ist parallel zu einer Wachstumsrichtung (G) der Halbleiterschichtenfolge (3) orientiert. Die Primärlichtquelle (11) ist zur Erzeugung einer Pumplaserstrahlung (P) eingerichtet. Die Sekundärlichtquelle (12) umfasst ein Pumpmedium (4) zur Erzeugung einer Sekundärstrahlung (S) und das Pumpmedium (4) wird von der Pumplaserstrahlung (P) optisch gepumpt. Die erste Resonatorachse (51) weist an dem Pumpmedium (4) vorbei.