公开(公告)号：WO2016180897A1

公开(公告)日：2016-11-17

申请号：PCT/EP2016/060590

申请日：2016-05-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN, Siegfried ,  STOLL, Ion ,  ROSSBACH, Georg

IPC: H01L33/50 ,  C25D13/02 ,  C25D13/12 ,  H01L33/48

CPC classification number: H01L33/50 ,  C25D13/02 ,  C25D13/12 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/486 ,  H01L2224/96 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0041

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung optoelektronischer Bauelemente (100) umfasst einen Schritt A), in dem ein Träger (2) und eine Mehrzahl optoelektronischer Halbleiterchips (1) bereitgestellt wird, wobei jeder Halbleiterchip (1) Kontaktelemente (10, 11) zur elektrischen Kontaktierung aufweist, die auf einer Kontaktseite (12) des Halbleiterchips (1) angeordnet sind. In einem Schritt B) werden die Halbleiterchips (1) lateral nebeneinander auf dem Träger (2) aufgebracht, wobei beim Aufbringen die Kontaktseiten (12) dem Träger (2) zugewandt werden. In einem Schritt C) wird eine elektrisch leitende Schicht (4) auf zumindest Teilbereiche der nicht vom Träger (2) bedeckten Seiten der Halbleiterchips (1) aufgebracht, wobei die elektrisch leitende Schicht (4) zusammenhängend ausgebildet ist. In einem Schritt D) wird eine Konverterschicht (5) auf der elektrisch leitenden Schicht (4) elektrophoretisch abgeschieden. Die elektrisch leitende Schicht (4) wird in einem Schritt E) aus Bereichen zwischen der Konverterschicht (5) und den Halbleiterchips (1) entfernt.

Abstract translation: 为用于电接触包括产生光电器件（100）包括：步骤A），其中（1）提供的载体（2）和多个光电子半导体芯片，其中每个半导体芯片（1）的接触元件（10，11）的处理 在半导体芯片（1）的接触侧（12）被布置。 在步骤b）中的半导体芯片（1）在横向上彼此相邻的所述载体（2）上被施加，其中，所述施加期间面向载体（2）的接触侧（12）。 在步骤C）的导电层（4）被施加到）覆盖所述半导体芯片的两侧的非中的至少部分区域（载体2（1）被施加，其中，所述导电层（4）形成连续的。 在步骤D）的导电层（4）上的转换器层（5）被电泳沉积。 所述导电层（4）在从区域中的转换器层（5）和半导体芯片（1）之间的步骤E）被除去。

公开(公告)号：WO2016087605A1

公开(公告)日：2016-06-09

申请号：PCT/EP2015/078569

申请日：2015-12-03

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHOLZ, Dominik ,  MANDL, Martin ,  STOLL, Ion ,  STRASSBURG, Martin ,  HUCKENBECK, Barbara

IPC: H01L33/16 ,  C09K11/00 ,  H01L33/50 ,  H01L33/08 ,  H01L33/24

CPC classification number: H01L33/505 ,  H01L33/08 ,  H01L33/16 ,  H01L33/24 ,  H01L33/508 ,  H01L2933/0041

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform ist die Halbleiterschichtenfolge (1) zur Erzeugung von Licht eingerichtet und umfasst Halbleitersäulen (2). Die Halbleitersäulen (2) weisen je einen Kern (21) aus einem Halbleitermaterial eines ersten Leitfähigkeitstyps und eine Kernumhüllung (23) um den Kern (21) herum aus einem Halbleitermaterial eines zweiten Leitfähigkeitstyps auf. Zwischen dem Kern (21) und der Kernumhüllung (23) befindet sich eine aktive Zone (22) zur Erzeugung einer Primärstrahlung mittels Elektrolumineszenz. Auf die Halbleitersäulen (2) ist je eine Konversionsumhüllung (4) aufgebracht, die die zugehörige Kernumhüllung (23) zumindest teilweise formschlüssig umgibt und die die Primärstrahlung mindestens teilweise absorbiert und über Fotolumineszenz in eine langwelligere Sekundärstrahlung umwandelt. Die Konversionsumhüllungen (4), die auf benachbarten Halbleitersäulen (2) aufgebracht sind, füllen einen Zwischenraum zwischen den Halbleitersäulen (2) nur unvollständig aus.

Abstract translation: 在至少一个实施例中，用于产生光的半导体层序列（1）被设置，并包括半导体列（2）。 半导体柱（2）分别具有围绕上的第二导电类型的半导体材料制成的第一导电类型的半导体材料与芯部包裹（23）围绕芯（21）的芯（21）。 所述芯（21）之间，并且所述芯部包裹（23）位于用于通过电致发光来生成初级辐射的有源区（22）。 半导体柱（2），具有：（4）被施加围绕各芯包裹（23）至少部分形锁合和初级辐射至少部分地吸收并在更长波长的次级辐射转换上的光致发光，该转换鞘。 被施加到相邻的半导体柱（2）中转化的包装材料（4），以填充半导体柱之间的空间（2）仅部分。

公开(公告)号：WO2016087509A1

公开(公告)日：2016-06-09

申请号：PCT/EP2015/078348

申请日：2015-12-02

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BUTENDEICH, Rainer ,  STOLL, Ion ,  MANDL, Martin ,  STRASSBURG, Martin

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L33/505 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/50 ,  H01L33/504

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben, umfassend einen Halbleiterchip (12), der im Betrieb ein blau-grünes Licht (4) emittiert und zumindest eine Lichtdurchtrittsflache (12a) aufweist, durch die das im Betrieb emittierte blaugrüne Licht (4) tritt, und ein Konversionselement (3), das Leuchtstoffpartikel (31), insbesondere nur einer Art, umfasst und zumindest stellenweise auf der Lichtdurchtrittsflache (12a) angeordnet ist, wobei die Leuchtstoffpartikel (31) das blau-grüne Licht (4) zumindest teilweise in ein rotes Licht (5) konvertieren und das optoelektronische Bauelement ein weißes Mischlicht (6), das nicht-konvertierte Teile des blau-grünen Lichts (4) und Teile des roten Lichts (5) enthält, emittiert.

Abstract translation: 本发明提供一种光电器件，包括：半导体芯片（12），在（4）和至少一个光通道区域（12A），通过该操作蓝绿光（4）发生期间发出的光的操作发出蓝绿光，和一个 转换元件（3）中，磷光体颗粒（31），特别是只有一个类型包括，而在光通过区域（12A）至少局部地被布置，其中，所述磷光体颗粒（31）的蓝 - 绿色光（4）至少部分地（在红光 转换5）和光电子器件是白色的混合光（6），蓝 - 绿光（含4）和红色光的部分（5）发射的未转换的部件。

公开(公告)号：WO2015154958A1

公开(公告)日：2015-10-15

申请号：PCT/EP2015/055702

申请日：2015-03-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STOLL, Ion ,  VON MALM, Norwin

IPC: H01L33/50 ,  C09K11/02 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L33/504 ,  C09K11/02 ,  C09K11/06 ,  H01L27/322 ,  H01L33/501 ,  H01L33/502 ,  H01L51/5268 ,  H01L51/5281 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/303 ,  H01L2251/5369 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/0091

Abstract: Es wird eine Licht emittierende Vorrichtung angegeben, die ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement (1), das im Betrieb erstes Licht in einem ersten Wellenlängenbereich emittiert, und im Strahlengang des ersten Lichts angeordnet ein Wellenlängenkonversionselement (2), das das erste Licht zumindest teilweise in zweites Licht in einem zweiten vom ersten Wellenlängenbereich verschiedenen Wellenlängenbereich umwandelt, aufweist, wobei das Wellenlängenkonversionselement (2) Nanopartikel (3) aufweist, die organische lumineszierende Moleküle (31) in einem Grundmaterial (30), das aus einem SiO 2 -basierten Material gebildet wird, enthalten. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung angegeben.

Abstract translation: 提供了一种包括一个发光半导体组件（1），其发射在操作在第一波长范围内和在所述第一光的光束路径中的第一光的波长变换元件的发光装置（2），使得第一光至少部分地进入第二光 转换在从所述第一波长范围的波长范围的第二不同的，所述波长转换元件（2）纳米颗粒（3），含有在基体材料（30），这是基于SiO 2的材料形成的有机发光分子（31）。 此外，提供了一种制造发光器件的方法。

公开(公告)号：WO2015071434A1

公开(公告)日：2015-05-21

申请号：PCT/EP2014/074666

申请日：2014-11-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STOLL, Ion ,  SINGER, Frank ,  DIRSCHERL, Georg

IPC: H05B33/14 ,  H05B33/10 ,  H01L33/00

CPC classification number: F21V9/08 ,  C25D13/00 ,  G02B5/0268 ,  G02B5/0294 ,  H01L33/505 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/0091 ,  H01S5/005 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

Abstract: Es wird insbesondere ein Verfahren zur Herstellung einer multifunktionellen Schichtmit den folgenden Schritten angegeben: A) Bereitstellen eines Elektrophorese-Substrats (10) mit einem Träger (15), der eine Vorderseite (11) und eine der Vorderseite (11) abgewandte Rückseite (12) aufweist, wobei eine erste elektrisch leitfähige Schicht (13) und eine zweite elektrisch leitfähige Schicht(14) auf der Vorderseite (11) aufgebracht und bereichsweise in lateraler Richtung (L) voneinander beabstandet angeordnet sind, B) elektrophoretisches Abscheiden eines ersten Materials (1) auf die erste elektrisch leitfähige Schicht (13), C) elektrophoretisches Abscheiden eines zweiten Materials (2) auf die zweite elektrisch leitfähige Schicht (14), D) Anordnen eines Füllmaterials (3) zwischen dem ersten Material (1) und dem zweiten Material (2), wobei das Füllmaterial (3) mit dem ersten Material (1) und dem zweiten Material (2) eine gemeinsame Grenzfläche (4) ausbildet und durch das Füllmaterial (3) Abstände (A) in der lateraler Richtung (L) zwischen dem ersten Material (1) zu dem zweiten Material (2) derart gefüllt werden, dass die durchgehende multifunktionelle Schicht (100) ausgebildet wird, E) Ablösen der multifunktionellen Schicht (100)von dem Elektrophorese-Substrat (10).

Abstract translation: 它是在特定的方法制备的多功能层具有特定的以下步骤：a）提供具有从后背向载体（15），具有前（11）和前侧的一个（11）的电泳衬底（10）（12） 被间隔开的第一导电层（13）和在所述前侧上的第二导电层（14）（11）施加并且部分地在横向方向（L），B）电泳沉积的第一材料（1） 第一材料之间放置填充材料（3）的第一导电层（13），C）在第二导电层（14），D上的第二材料（2）的电泳沉积）（1）和（第二材料上 2），其特征在于，所述填充材料（3）（与第一材料1）和（2）形成一个共同的边界表面上的第二材料（4），并通过填充材料 （3）在所述第一材料（1）与第二材料之间的横向方向（L）的距离（A）（2）被填充，使得连续多功能层（100）形成，（e）中分离所述多功能层 100）（电泳基板10的）。

公开(公告)号：WO2015014874A1

公开(公告)日：2015-02-05

申请号：PCT/EP2014/066336

申请日：2014-07-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GEBUHR, Tobias ,  BURGER, Markus ,  STOLL, Ion

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/48

CPC classification number: H01L33/56 ,  H01L33/486 ,  H01L33/502 ,  H01L33/505 ,  H01L33/60 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0083 ,  H01L2933/0091

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines Abdeckelements (10, 20) für ein optoelektronisches Bauelement (100, 200) umfasst Schritte zum Herstellen eines Rahmens (300) mit einer Mehrzahl von Durchbrüchen (310), zum Einbringen eines Konvertermaterials (400) in eine Mehrzahl der Durchbrüche (310) und zum Zerteilen des Rahmens (300).

Abstract translation: 一种用于光电子装置（100，200）的制造的盖部件（10，20）的方法包括制造具有用于引入转换器材料（400）成多个孔的多个孔（310）的框架（300）的步骤 （310）和用于将所述框架（300）。

公开(公告)号：WO2014202464A1

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：PCT/EP2014/062268

申请日：2014-06-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STOLL, Ion ,  SCHUMANN, Michael ,  PLÖTZ, Ludwig

IPC: H01L33/50 ,  H01L25/075 ,  C09K11/77 ,  F21K99/00 ,  H05B33/08 ,  H01L33/58

CPC classification number: H01L25/0753 ,  C09K11/7774 ,  C09K11/7792 ,  F21K9/64 ,  H01L33/504 ,  H01L33/58 ,  H01L2924/0002 ,  H05B33/0857 ,  H05B33/14 ,  H01L2924/00

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur Erzeugung von Mischlicht, welche drei im blauen Spektralbereich emittierende Halbleiterchips von drei Bauelementen aufweist. In den Lichtwegen der einzelnen Halbleiterchips sind unterschiedliche Konversionselemente angeordnet, welche dazu eingerichtet sind, Primärstrahlung in Sekundärstrahlung zu konvertieren. Die aus den jeweiligen Bauelementen (10, 20, 30) austretende Summenstrahlung (S1, S2, S3) weist einen entsprechenden Farbort auf der Schwarzkörper-Kurve des CIE-Farbdiagramms 1931 auf oder liegt innerhalb eines Farbvierecks des CIE Farbdiagramms.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于具有三个混合发光三种成分的蓝色光谱的半导体芯片产生的布置。 在各个半导体芯片不同的转换元件被布置，其适合于将初级辐射转换为次级辐射的光路。 从各装置（10，20，30）的新兴总和辐射（S1，S2，S3）对或CIE颜色图表的颜色四边形内的CIE色度图1931的黑体曲线上的对应的色点。

公开(公告)号：WO2014056903A1

公开(公告)日：2014-04-17

申请号：PCT/EP2013/070933

申请日：2013-10-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： EISERT, Dominik ,  STOLL, Ion

IPC: H01L33/50 ,  C09K11/80

CPC classification number: H01L33/504 ,  B32B18/00 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/704 ,  C09K11/7774 ,  G02F1/355 ,  H01L33/502 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein keramisches Konversionselement (1) mit den folgenden Merkmalen angegeben: - einer ersten keramischen Schicht (2), die einen ersten Leuchtstoff (3) aufweist, der elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs in elektromagnetische Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs umwandelt, und - einer zweiten keramischen Schicht (4), die einen zweiten Leuchtstoff (5) aufweist, der elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs in elektromagnetische Strahlung eines dritten Wellenlängenbereichs umwandelt, wobei - der erste Leuchtstoff (3) und der zweite Leuchtstoff (5) auf mindestens einer sauerstoffhaltigen anorganischen Verbindung basieren und voneinander verschieden sind. Weiterhin werden ein optoelektronisches Bauelement mit einem keramischen Konversionselement und ein Verfahren zur Herstellung eines keramischen Konversionselements angegeben.

Abstract translation: 本发明提供一种陶瓷转换元件（1）具有以下特点： - 具有第一荧光体（3），其将第一波长范围中的第二波长范围的电磁辐射的电磁辐射的第一陶瓷层（2），以及 - 第二 陶瓷层（4）具有第二荧光体（5），该第一波长范围的电磁辐射转换在第三波长范围内，其中的电磁辐射 - 第一荧光体（3）和所述第二荧光体（5）上的至少一个含氧无机化合物 基于和彼此不同。 此外，光电元件都标有一个陶瓷转换元件和用于制造陶瓷转换元件的方法。

公开(公告)号：WO2014048682A1

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：PCT/EP2013/068078

申请日：2013-09-02

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STOLL, Ion ,  EISERT, Dominik ,  GÖÖTZ, Britta ,  SCHULZ, Robert

IPC: H01L33/50

CPC classification number: F21V9/30 ,  F21K9/64 ,  F21V13/02 ,  H01L33/504 ,  H01L33/507 ,  H01L33/58 ,  H01L51/5036 ,  H01L2933/0091

Abstract: In verschiedenen Ausführungsformen wird eine Beleuchtungsvorrichtung (100) zum Erzeugen einer Lichtemission bereitgestellt, aufweisend: eine Lichtquelle (102), eingerichtet zum Erzeugen von Licht mit einer ersten Dominanzwellenlänge; einen ersten Konverter (106), welcher eingerichtet ist, das von der Lichtquelle (100) erzeugte Licht zu absorbieren, und Licht mit einer zweiten Dominanzwellenlänge, welche größer ist als die erste Dominanzwellenlänge, zu emittieren; und einen zweiten Konverter (110), welcher eingerichtet ist, einen Lichtanteil des von dem ersten Konverter (106) emittierten Lichts zu absorbieren und Licht zu emittieren, so dass die Lichtemission eine dritte Dominanzwellenlänge aufweist, welche größer ist als die zweite Dominanzwellenlänge.

Abstract translation: 在各种实施例中，照明装置（100）被设置用于产生光发射，它包括：一个光源（102），适于发射具有第一主波长，以产生光; 发射第一转换器（106），其被配置为吸收从所述光源（100）产生的光，以及具有第二主波长比所述第一主波长更大的光; 并且其被配置的第二转换器（110），从所述第一转换器（106）的亮部分，以吸收所发射的光并发光，从而具有第三主波长比所述第二主波长更大的光发射。

公开(公告)号：WO2014009141A1

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：PCT/EP2013/063211

申请日：2013-06-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KRUPPA, Michael ,  STOLL, Ion ,  TAEGER, Sebastian

IPC: H01L33/50

CPC classification number: H01L33/50 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2924/00

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Komponente (208) eines optoelektronischen Bauelements (209), das Verfahren aufweisend Aufbringen einer Leuchtstoffschicht (202) auf einen Träger (201), wobei die Leuchtstoffschicht (202) Leuchtstoffpartikel (204) aufweist, wobei die Leuchtstoffpartikel (204) derart aufgebracht werden, dass zwischen den Leuchtstoffpartikeln (204) Hohlräume (203) gebildet werden; und Gasphasen-Abscheiden eines Matrixstoffes (205) auf der Leuchtstoffschicht (202), so dass zumindest ein Teil des Matrixstoffes (205) die Hohlräume (203) zumindest teilweise füllt.

Abstract translation: 一种制造光电元件（209）的组件（208）的方法，所述方法包括在载体上的（201），其中所述磷光体层（202）包括荧光体粒子（204），应用的荧光体层（202），其中以这样的方式将荧光体粒子（204） 施用，即在荧光体粒子间（204）的腔（203）形成; 和填充所述空腔（203）至少部分地由基体材料（205）的荧光体层（202）上的气相沉积，使得至少所述基质材料（205）的至少一部分。