-
公开(公告)号：CN105247331A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201480023472.7
申请日：2014-03-20
Applicant: 索尼公司
IPC: G01L9/00 , G01C19/5769 , G01C19/5783 , H01L41/113
CPC classification number: H01L41/1132 , B81B7/008 , B81B2201/02 , B81B2201/0207 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81C1/00238 , B81C2203/0792 , G01C19/5769 , G01C19/5783 , G01L9/0073 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L25/162 , H01L41/0474 , H01L41/0533 , H01L41/113 , H01L41/1138 , H01L2224/16225
Abstract: 本发明的目的是：提供能够实现更小尺寸和更低成本的传感器装置和电子设备。本发明的技术方案是：根据本发明实施例的传感器装置设置有传感器元件和半导体元件。所述半导体元件包括第一表面、第二表面和通路孔。所述第一表面是非能动性表面且包括第一端子，所述传感器元件被安装在所述第一端子上。所述第二表面是能动性表面且包括第二端子，所述第二端子用于外部连接。所述通路孔将所述第一表面和所述第二表面相互电连接。
-
公开(公告)号：CN104944359A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201410113757.1
申请日：2014-03-25
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC classification number: B81B7/0074 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81C1/00182 , B81C1/00214
Abstract: 一种MEMS器件及其形成方法，其中所述MEMS器件，包括：衬底，所述衬底中形成有集成电路；位于衬底上的第一介质层，第一介质层中形成有若干第一金属连接端和第二金属连接端，第一金属连接端和第二金属连接端与集成电路电相连；位于第一介质层上的第二介质层，所述第二介质层中形成有加速度传感器，加速度传感器与第一金属连接端电连接；位于第二介质层上与第二介质层键合的半导体基底；位于半导体基底和第二介质层中若干第一金属插塞，第一金属插塞与第二金属连接端电连接；位于半导体基底上的压力传感器，压力传感器与第一金属插塞电连接。本发明的MEMS器件实现压力传感器和加速度传感器的集成，并且MEMS器件的体积较小。
-
公开(公告)号：CN104773705A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201510016397.8
申请日：2015-01-13
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81B7/02 , B81C1/00 , B81B3/00 , G01L9/12 , G01P15/125
CPC classification number: G01L9/0072 , B81B3/0037 , B81B7/02 , B81B2201/025 , B81B2201/0264 , B81C1/00158 , B81C1/00246 , G01P15/0802 , G01P15/125
Abstract: 本发明实现一种微机械压力传感器装置以及一种相应的制造方法。所述微机械压力传感器装置包括：具有正侧和背侧的MEMS晶片；在所述MEMS晶片的正侧上方形成的第一微机械功能层；在所述第一微机械功能层上方形成的第二微机械功能层。在所述第一微机械功能层和所述第二微机械功能层之一中构造有可偏移的第一压力探测电极。与所述可偏移的第一压力探测电极相对置地间隔开地构造有固定的第二压力探测电极。在所述MEMS晶片的正侧上方构造有弹性可偏移的膜片区域，所述膜片区域能够通过所述MEMS晶片中的进入开口施加以外部压力并且所述膜片区域通过塞状的连接区域与所述可偏移的第一压力探测电极连接。
-
公开(公告)号：CN104713675A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201410560619.8
申请日：2014-10-21
Applicant: 大陆汽车系统公司
IPC: G01L9/06
CPC classification number: B81B7/008 , B81B2201/0264 , G01L9/0055 , G01L9/06 , G01L9/065 , G01L19/0084 , G01L19/142
Abstract: 一种具有两个或更多个压力范围的高精度压力传感器由多个微机电系统(MEMS)压力转换器形成，所述压力转换器安装在外壳内部且联接以感测加压流体。MEMS压力转换器的非线性输出由对应的多个处理器(优选DSP)线性化，每个处理器联接到对应的MEMS压力转换器并且从其接收MEMS压力转换器输出信号。每个处理器生成被施加压力输出信号，该信号表示施加到MEMS压力转换器的压力，其为来自MEMS压力转换器的输出信号的线性化和数字化版本。从多个处理器输出的数据在串行数据总线上串行地传输，其中每个处理器输出与不同压力范围有关的压力数据。
-
公开(公告)号：CN104603945A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201380033342.7
申请日：2013-06-28
Applicant: 英特尔IP公司
CPC classification number: B81C1/00238 , B81B7/008 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/025 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2201/0271 , B81B2201/10 , B81B2207/012 , B81B2207/053 , B81B2207/07 , B81B2207/096 , B81C1/0023 , B81C2203/0792 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014
Abstract: 在各实施例中，封装组件可以包括专用集成电路(ASIC)和具有活动端和不活动端的微机电系统(MEMS)。在各实施例中，MEMS可以通过一个或多个互连直接耦合到ASIC。MEMS、ASIC以及一个或多个互连可以定义或构成空腔，以便MEMS的活动部分在空腔内。在某些实施例中，封装组件可以包括通过一个或多个互连中的多个直接耦合到ASIC的多个MEMS。可描述和/或要求保护其它的实施例。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104517914A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410499924.0
申请日：2014-09-26
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: G01L9/0045 , B81B7/0048 , B81B2201/0264 , B81C1/00325 , G01L9/0042 , G01L9/0054 , G01L19/0007 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/1815 , H01L2924/00014
Abstract: 公开了具有集成的密封的压力传感器封装。一种压力传感器封装，包括：引线；以及半导体管芯，与所述引线间隔开，并且包括被部署在所述管芯的第一侧部处的端子和隔膜。所述管芯被配置为响应于跨所述隔膜的压力差而改变电参数。所述封装还包括：电导体，将所述端子连接到所述引线；模制化合物，包封所述电导体、所述管芯和所述引线的一部分；在所述模制化合物中的腔体，暴露所述隔膜；以及密封环，被部署在具有所述腔体的所述模制化合物的侧部上。所述密封环围绕所述腔体，并且具有比所述模制化合物更低的弹性模量。替换地，所述密封环可以是从具有所述腔体的所述模制化合物的所述侧部突出并且围绕所述腔体的所述模制化合物的脊。还提供一种封装制造方法。
-
公开(公告)号：CN103091007B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201210207074.3
申请日：2012-06-21
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: B81C1/00626 , B81B2201/0264 , G01L9/0048 , G01L9/0051
Abstract: 本发明涉及半导体压力传感器以及半导体压力传感器的制造方法。半导体压力传感器具备：第一基板（1），在主表面（1a）具有凹部（3）以及对准标记（4）；第二基板（2），形成在第一基板（1）的主表面（1a）上，具有以覆盖第一基板（1）的凹部（3）内的空间（IS）上的方式设置的隔板（5）以及在隔板（5）上设置的应变计电阻（6）。对准标记（4）以从第二基板（2）露出的方式设置。由此，能够得到能够抑制制造成本并且能够使压力测定精度提高的半导体压力传感器及其制造方法。
-
公开(公告)号：CN104425427A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410427550.1
申请日：2014-08-27
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Inventor： U·汉森
IPC: H01L23/495 , H01L23/488
CPC classification number: B81B3/00 , B81B2201/0264 , B81C1/0023 , B81C1/00238 , H01L23/492 , H01L23/5385 , H01L25/04 , H01L2224/48091 , H05K1/023 , H05K1/144 , H05K1/145 , H05K3/3478 , H05K3/4015 , H05K2201/042 , H05K2201/049 , H05K2201/10015 , H05K2201/10022 , H05K2201/10083 , H05K2201/10151 , H05K2201/1031 , H05K2201/2036 , H05K2203/041 , H05K2203/0415 , Y02P70/611 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及用于具有至少两个ASIC元件和/或MEMS元件的器件的封装方案，该方案可用标准工序并尤其用标准部件非常简单及成本上有利地转换应用。此外根据本发明的封装方案可实现具有相对小的“脚印”的封装壳体，它的元件在该器件结构中在很大程度上得到应力的脱耦。根据本发明将至少一个第一元件安装在一个扁平的第一载体上并与第一载体电连接。将至少一个第二元件安装在一个扁平的第二载体上并与第二载体电连接。然后将这两个载体这样相互叠置并通过侧壁相互连接，以致第一及第二元件被设置在两个载体之间的一个空腔中。侧壁至少部分地由多个焊料珠的一个相互紧靠着的排构成，通过这些焊料珠也使两个载体形成电连接。
-
公开(公告)号：CN104422558A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410434053.4
申请日：2014-08-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: B81B7/0054 , B81B2201/0264 , H01L2224/27013 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/83951 , H01L2924/1815 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及压力传感器封装的管芯边缘保护。一种半导体封装包含与半导体管芯间隔分开的引线。该管芯包含被安置在管芯的第一侧处的隔膜，并且被配置以响应于跨过该隔膜的压力差而改变电参数。该管芯进一步包含与第一侧相对的第二侧，在第一和第二侧之间延伸的横向边缘，以及在第一侧处的端子。电导体将端子连接到引线。沿着管芯的横向边缘安置密封剂以便端子和电导体与密封剂间隔分开。该密封剂在室温下具有小于10MPa的弹性模量。模制复合物覆盖和接触引线、电导体、密封剂、端子和管芯的第一侧的部分以便隔膜不被模制复合物所覆盖。
-
公开(公告)号：CN104280161A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201310277659.7
申请日：2013-07-03
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Inventor： 洪中山
CPC classification number: B81B3/0059 , B81B3/0021 , B81B2201/0264 , B81B2203/0109 , B81B2203/0315 , B81B2203/0392 , B81B2203/04 , B81C1/00023 , B81C1/00134 , B81C1/00166 , B81C1/00182 , B81C1/00373 , B81C1/00523 , G01L9/00 , G01L9/0045 , G01L9/0047 , G01L9/0073 , H01L41/113
Abstract: 一种压力传感器及其形成方法，其中，压力传感器包括：具有器件区的衬底，所述衬底表面具有第一介质层；位于器件区的第一介质层表面的第二介质层，所述第二介质层具有台阶状侧壁；位于第一介质层和第二介质层表面的第一电极层，所述第一电极层具有位于第二介质层的台阶状侧壁表面的台阶区，所述第一电极层的台阶区表面形貌与所述第二介质层侧壁表面形貌相对应而呈台阶状；位于第一电极层表面的第二电极层，所述第二电极层和第一电极层之间电隔离，且器件区的第二电极层和第一电极层之间具有空腔，所述空腔内第二电极层表面形貌与空腔内第一电极层表面形貌相互对应而呈台阶状。所述压力传感器的灵敏度得到提高。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
2959
records
(took 0.037 seconds)
