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公开(公告)号：CN105794325B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201480066582.1
申请日：2014-10-30
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: H05H1/46 , H01J27/024 , H01J37/32082 , H01J37/32422
Abstract: 本发明涉及一种用于对基底进行图案化的系统与方法，所述系统包含：等离子体腔室；功率源，用于在所述等离子体腔室内产生等离子体；以及提取板系统，包括多个孔径且沿着所述等离子体腔室的一侧而设置。所述提取板系统经配置以接收相对于所述等离子体腔室而对所述提取板系统加偏压的提取电压，其中所述多个孔径经配置以从所述等离子体提取多个相应带电粒子子束。所述系统还包含：投影光学系统，用于将所述多个带电粒子子束中的至少一个引导到所述基底。本申请技术方案的等离子体腔室的使用促进以高平行度引导带电粒子穿过图案化系统的能力，并促进的跨越图案化系统的面积的带电粒子密度的高均一度，进而改进图案化制程的均一度。
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公开(公告)号：CN107112177A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201680005175.9
申请日：2016-01-06
Applicant: 迈尔博尔格(德国)股份公司
IPC: H01J27/02
CPC classification number: H01J37/08 , H01J27/024 , H01J2237/0653 , H01J2237/0656 , H01J2237/083
Abstract: 本发明涉及一种用于从载流子生成空间提取载流子的设备，其具有至少一个用于提取载流子的电极装置，其中，所述至少一个电极装置至少具有一个第一栅电极和一个第二栅电极，它们具有相对应的开口。所述第一和第二栅电极分别包含至少一个导电的第一栅电极区域，其中，所述第一栅电极的所述至少一个第一栅电极区域构成在第一层中，而所述第二栅电极的所述至少一个第一栅电极区域构成在第二层中。第一层和第二层沿粒子出射方向依次设置在电极装置内部并且相互间通过第一间距沿着粒子出射方向间隔开，其中，所述第一栅电极的所述至少一个第一栅电极区域在所述第一层中形成导电的第一层部分。此外，在所述第一层中构成有导电的第二层部分，该第二层部分与第一层部分电绝缘。所述第二层部分通过所述第一栅电极或所述第二栅电极的至少一个导电的第二栅电极区域形成，并且所述第二层部分与所述第二栅电极的所述至少一个第一栅电极区域导电连接。根据本发明的用于提取载流子的设备因此是可电气切换的提取栅电极装置，借助所述设备能够改变由提取的载流子构成的粒子射束的射束特性。
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公开(公告)号：CN102668009B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201080059356.2
申请日：2010-10-26
Applicant: 伊利诺斯工具制品有限公司
Inventor： 彼得·格夫特 , 阿列克谢·克洛奇科夫 , 约翰·E·米尼尔
IPC: H01J3/14
CPC classification number: H01J27/024 , B03C3/361 , B03C3/38
Abstract: 本申请披露一种具有气体传输通道的离子传递歧管，其用于接收离子化的气体流，及多个出口，其将气体流划分成分别朝向多个目标区域引导的多个中和气体流。通过使用通过多个出口的不同离子的流速达成横跨目标区域的至少大致相等的离子分配。将多个中和流传递至分别的多个目标区域的方法包括以下步骤：接收离子化的气体流，将离子化的气体流划分成多个中和流，及将中和流引导向分别的目标区域。通过中和流的离子流速的差异达成横跨目标区域的至少大致相等的离子分配。
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公开(公告)号：CN102439683B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201080020420.6
申请日：2010-04-22
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: H01J37/08 , H01J27/024 , H01J37/09 , H01J2237/0451 , H01J2237/0453 , H01J2237/0456 , H01J2237/065 , H01J2237/08 , H01J2237/083 , H01J2237/31 , H01J2237/31701 , Y10S438/961
Abstract: 一种离子源，包括具有萃取孔隙的电弧室及等离子体鞘调制器。等离子体鞘调制器被装配以控制边界的形状，上述边界位于等离子体与接近萃取孔隙的等离子体鞘之间。等离子体鞘调制器可包括一对绝缘体，此对绝缘体安置于电弧室中且藉由安置于接近萃取孔隙的间隙来隔开。具有高电流密度的聚焦良好的离子束可藉由离子源产生。高电流密度离子束可改善相关制程的产出。离子束的发射率也可被控制。
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公开(公告)号：CN104885185A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201380063410.4
申请日：2013-10-11
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 杰弗里·查尔斯·伯拉尼克 , 威廉·T·维弗
IPC: H01J27/04 , H01J27/08 , H01J37/08 , H01J37/317 , H01J27/02 , H01J37/302
CPC classification number: H01J27/024 , H01J27/08 , H01J37/08 , H01J37/302 , H01J37/3171 , H01J2237/043 , H01J2237/30472 , H01J2237/3171
Abstract: 离子源包括界定电弧室的电弧室外壳，电弧室外壳在固定位置上具有提取板，提取板界定多个提取孔。离子源还包括挡帘组件，挡帘组件安装于电弧室外侧的靠近提取板处。挡帘组件经配置以于一时间间隔期间阻挡所述多个提取孔中的一者的至少一部分。以自离子源提取的离子束处理工件，并结合离子源与所述待处理工件的相对移动，使得仅用一种离子源即能在工件上形成二维离子植入图案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102479661B
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201010567193.0
申请日：2010-11-30
Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所
CPC classification number: H01J49/161 , G01N27/64 , G01N30/72 , G01N2560/00 , H01J27/024 , H01J27/24 , H01J49/00 , H01J49/107 , H01J49/145 , H01J49/162 , H01J49/26
Abstract: 本发明涉及质谱分析仪器，具体的说是真空紫外光电离和化学电离的复合电离源，包括真空紫外光源和电离源腔体；在电离源腔体内部、沿真空紫外光出射方向依次设置有离子加速电极、离子推斥电极、离子引出电极和差分接口极板，离子加速电极、离子推斥电极、离子引出电极和差分接口极板相互间隔、同轴、平行设置；离子加速电极、离子推斥电极、离子引出电极和差分接口极板均为板式结构，中心部位设置有通孔，真空紫外光的光束平行于电极轴线方向穿过各电极通孔的中心区域。本电离源利用单一的真空紫外光源在一定电离源气压条件下实现真空紫外光电离和化学电离两种电离模式的切换，大大扩宽了仪器可检测样品的范围。
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公开(公告)号：CN103298232A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310064976.0
申请日：2013-03-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H05H1/24
CPC classification number: H01J27/24 , A61N2005/1085 , H01J27/024 , H01J37/08
Abstract: 提供能够除去不需要的离子的离子源。靶材（2）配置在被排气成真空的真空容器（1）内，且通过激光的照射而产生多个价数的离子。加速电极（4）被施加电压，以使由靶材（2）产生的离子加速。中间电极（5）设置在靶材（2）与加速电极（4）之间，且被施加与施加于加速电极（4）的电压反向的电压。
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公开(公告)号：CN102439683A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201080020420.6
申请日：2010-04-22
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: H01J37/08 , H01J27/024 , H01J37/09 , H01J2237/0451 , H01J2237/0453 , H01J2237/0456 , H01J2237/065 , H01J2237/08 , H01J2237/083 , H01J2237/31 , H01J2237/31701 , Y10S438/961
Abstract: 一种离子源，包括具有萃取孔隙的电弧室及等离子体鞘调制器。等离子体鞘调制器被装配以控制边界的形状，上述边界位于等离子体与接近萃取孔隙的等离子体鞘之间。等离子体鞘调制器可包括一对绝缘体，此对绝缘体安置于电弧室中且藉由安置于接近萃取孔隙的间隙来隔开。具有高电流密度的聚焦良好的离子束可藉由离子源产生。高电流密度离子束可改善相关制程的产出。离子束的发射率也可被控制。
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公开(公告)号：CN1894763B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200480037117.1
申请日：2004-12-09
Applicant: 山米奎普公司
Inventor： 托马斯·N·霍尔斯基 , 罗伯特·W·米尔加特三世 , 小乔治·P·萨科 , 戴尔·康拉德·雅各布森 , 韦德·艾伦·科鲁尔
IPC: H01J7/24
CPC classification number: H01J37/3171 , C23C14/48 , C23C14/564 , H01J9/38 , H01J27/02 , H01J27/024 , H01J37/08 , H01J2209/017 , H01J2237/006 , H01J2237/022 , Y10T137/0357 , Y10T137/7759 , Y10T137/776 , Y10T137/7761 , Y10T137/85954 , Y10T137/85978 , Y10T137/85986 , Y10T137/86002
Abstract: 通过具有使用反应性卤素气体F或Cl就地蚀刻清理一离子源(400)及一提取电极(405)的设置的源及通过具备可延长清理之间运行持续时间的特征来增强或延长离子源(400)的运行寿命。后者包括：进行精确的蒸气流量控制，进行离子束光学元件的精确聚焦，及对所述提取电极进行温度控制以防止形成沉积物或防止电极被破坏。一种由一用于产生掺杂剂离子以进行半导体晶圆处理的离子源构成的装置耦接至一远端等离子体源，所述远端等离子体源向第一离子源输送F或Cl离子以便清理所述第一离子源及所述提取电极中的沉积物。这些方法及装置能在以可冷凝的馈入气体(例如升华的蒸气源)运行时实现长的设备正常运行时间，且尤其适用于与所谓的冷离子源一起使用。本文描述了当使用十硼烷及十八硼烷作为进料时以及当使用气化砷元素及磷元素时能实现长的设备正常运行时间、并有助于在离子植入期间增强离子束稳定性的方法及装置。
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公开(公告)号：CN1166263C
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN97114806.6
申请日：1997-05-30
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
Inventor： V·M·本维尼斯特 , M·P·克里斯托弗罗
CPC classification number: H01J27/024 , H01J27/16
Abstract: 包含在本发明中的离子源(12)是用于离子注入器中。离子源(12)包括一个气体密封室(18)，该密封室具有限定了一个气体电离区域(120)的导电室壁(112，114，116)。气体密封室(18)设有一个使离子射出室外的出口孔(126)。支架(15)固定与装置(13)相对的气体密封室(18)，装置(13)使射出气体密封室的离子形成离子束。电离材料的供给源把材料送到气体密封室(18)中。固定在支架上的天线(130)具有金属射频导电部(132)，该导电部直接安装在气体密封室(18)中，给气体电离区域(120)提供电离的能量。
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