公开(公告)号：CN110944945A

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201980001813.3

申请日：2019-04-11

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 竹本幸一

IPC: C01G19/02 ,  C25D3/30 ,  C25D21/14

Abstract: 本发明提供一种一氧化锡粉末，其由一氧化锡及不可避免的杂质所构成，其中，干燥质量的一氧化锡的含量为99.9质量％以上，比表面积为0.1～1.0m2/g，TAP密度为2～4g/cm3，50％粒径为30～60μm，安息角为10～33°，通过该一氧化锡粉末，可优选地用于补给锡离子，其溶解性优异，同时操作性优异。

公开(公告)号：CN110937891A

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201910446594.1

申请日：2019-05-27

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 秀岛正章 ,  角田浩二

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/01 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34

Abstract: 提供一种可为适当的机械强度，且有效地降低体电阻、可抑制异常放电的发生的烧结体、溅射靶及烧结体的制造方法。本发明的烧结体是含有In、Ga及Zn的氧化物的烧结体，其满足0.317

公开(公告)号：CN107018623B

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201610983194.0

申请日：2016-11-09

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 犬饲贤二 ,  小林洋介 ,  饭田一彦

IPC: H05K1/09 ,  H05K3/38 ,  C25D1/04 ,  C25D3/38

Abstract: 本发明涉及电解铜箔及其制造方法、覆铜积层板、印刷配线板及其制造方法以及电子机器的制造方法。具体提供一种电路形成性良好的电解铜箔。该电解铜箔在光泽面侧不具有粗化处理层，且光泽面的面粗糙度Sa为0.270μm以下。

公开(公告)号：CN107046768B

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201710050041.5

申请日：2017-01-23

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 坂东慎介 ,  冠和树

IPC: H05K1/09 ,  C22C9/02 ,  C22C9/04 ,  C22C9/00 ,  C22F1/08 ,  C25D3/38

Abstract: 本发明的技术问题是提供弯曲性和蚀刻性优异的柔性印刷基板用铜箔。本发明的解决手段是一种柔性印刷基板用铜箔，其是包含99.0质量%以上的Cu、余量为不可避免的杂质的铜箔，平均晶体粒径为0.5~4.0μm，且拉伸强度为235~290MPa。

公开(公告)号：CN110366459A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201880015055.6

申请日：2018-06-15

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 佐藤贤次 ,  涩谷义孝

IPC: B22F1/00 ,  B22F3/105 ,  B22F3/16

Abstract: 本发明的课题在于提供一种可兼顾机械强度及导电率的由铜合金构成的积层造形用铜合金粉末、积层造形物的制造方法及积层造形物。本发明的一个方案涉及一种积层造形用铜合金粉末，其含有对于铜的固溶量未达0.2at％的添加元素。

公开(公告)号：CN110317053A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201811569762.8

申请日：2018-12-21

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 水藤耕介

IPC: C04B35/457 ,  C04B35/01 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C23C14/34 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明提供一种在含有高浓度的Ga的Ga－Sn－O系溅射靶部件中，降低体电阻率(等同于“体积电阻率”。)的有效方法。一种溅射靶部件，其含有Ga、Sn以及O，余量由不可避免的杂质构成，Ga以及Sn的原子比满足0.33≤Ga/(Ga+Sn)≤0.75，粉末X射线衍射测量中的SnO2相的峰面积ISn与整体峰面积I之比ISn/I为0.02以上。

公开(公告)号：CN110314975A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201910212840.7

申请日：2019-03-20

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 政井一高 ,  今村裕典

IPC: B21D28/14 ,  B21D28/02

Abstract: 本发明提供一种冲头结构、冲压模具、冲压成型件的制造方法及冲压成型件，在制造包括宽度相对于厚度狭窄的窄幅部的冲压成型件时，能够有效防止在其冲裁加工中反复使用的冲头结构发生破损。该冲头结构从冲压模具主体突出而配置，用于对包括宽度(w)与厚度(t)之比(w/t)为1.5以下的窄幅部的冲压成型件进行冲裁，该冲头结构具有冲头前端部(2)，冲头前端部(2)具备前端面(T)，在该前端面(T)的至少一部分包括与冲压成型件的所述窄幅部的平面形状对应的窄幅形状(3)、(4)，在冲头前端部(2)的侧面(S)的一部分设置有沿该冲头结构的突出方向延伸的加强肋(6)。

公开(公告)号：CN108138313B

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201780003433.4

申请日：2017-08-31

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 佐藤敦 ,  高见英生 ,  中村祐一郎

IPC: C23C14/34 ,  B22F1/00 ,  C22C5/04 ,  C22C28/00 ,  C22C38/00 ,  G11B5/64 ,  G11B5/851 ,  B22F3/14 ,  B22F3/15

Abstract: 本发明提供一种能够降低用于使Fe‑Pt磁性相有序化的热处理温度的溅射靶，该溅射靶可避免在溅射时产生微粒。该溅射靶是含有Fe、Pt以及Ge的非磁性材料分散型的溅射靶，具有Fe、Pt以及Ge以原子数比计满足(Fe1‑αPtα)1‑βGeβ(α、β是满足0.35≤α≤0.55、0.05≤β≤0.2的数)表示的组成的磁性相，在研磨相对于溅射靶的溅射面垂直的断面后的研磨面的EPMA元素分布图中，该磁性相的Ge的浓度为30质量％以上的Ge基合金相的面积比率(SGe30质量％)的平均值，与根据溅射靶的全体组成计算的Ge的面积比率(SGe)之比(SGe30质量％/SGe)为0.5以下。

公开(公告)号：CN109983149A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201880004416.7

申请日：2018-03-16

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 大月富男 ,  守井泰士

IPC: C23C14/34 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C22C9/06 ,  C22F1/08 ,  C22F1/00

Abstract: 本发明提供一种溅射靶及其制造方法，该溅射靶是靶部和背衬板部均包含铜和不可避免的杂质的一体型溅射靶，该溅射靶的维氏硬度Hv为90以上，并且与溅射面正交的截面的晶粒的扁平率为0.35以上且0.65以下。

公开(公告)号：CN109819662A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201880003684.7

申请日：2018-08-16

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 清水正义 ,  岩渊靖幸 ,  增田爱美

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  G11B5/64 ,  G11B5/851 ,  H01F41/18

Abstract: 本发明的溅镀靶含有Co与选自由Cr及Ru组成的群中之一种以上的金属作为金属成分，上述选自由Cr及Ru组成的群中之一种以上的金属的含量相对于Co的含量的摩尔比为1/2以上，且含有Nb2O5作为金属氧化物成分。