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    Générateur de nombres aléatoires
    51.
    发明专利
    Générateur de nombres aléatoires 未知

    公开(公告)号：FR3097068A1

    公开(公告)日：2020-12-11

    申请号：FR1906000

    申请日：2019-06-06

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

    Inventor： SIMIZ JEAN-GABRIEL

    IPC: G06F7/58

    Abstract: Générateur de nombres aléatoires La présente description concerne un circuit intégré comprenant un générateur de nombres aléatoires, le générateur comprenant au moins une diode à effet d'avalanche déclenchée par un photon individuel (202). Figure pour l'abrégé : Fig. 2

    POINT MEMOIRE A MATERIAU A CHANGEMENT DE PHASE
    54.
    发明专利
    POINT MEMOIRE A MATERIAU A CHANGEMENT DE PHASE 未知

    公开(公告)号：FR3073075B1

    公开(公告)日：2020-09-04

    申请号：FR1760166

    申请日：2017-10-27

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

    Inventor： MORIN PIERRE ,  DUTARTRE DIDIER

    IPC: G11C13/02

    Abstract: L'invention concerne un point mémoire à matériau à changement de phase, comprenant, sur un via (108) de liaison avec un transistor, un élément de chauffage (116) du matériau à changement de phase (118), et, entre le via et l'élément de chauffage (116), une couche (202) en un matériau électriquement isolant ou de résistivité électrique supérieure à 2,5·10-5 Ω.m, les interfaces entre ladite couche et les matériaux en contact avec les deux faces de ladite couche formant une barrière thermique, ladite couche étant suffisamment mince pour pouvoir être traversée par un courant électrique par un effet de type effet tunnel.

    Photodiode à avalanche à photon unique
    55.
    发明专利
    Photodiode à avalanche à photon unique 未知

    公开(公告)号：FR3091024A1

    公开(公告)日：2020-06-26

    申请号：FR1873335

    申请日：2018-12-19

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

    Inventor： BENHAMMOU YOUNES ,  GOLANSKI DOMINIQUE ,  RIDEAU DENIS

    IPC: H01L31/10 ,  H01L31/0256 ,  H01L31/0288

    Abstract: Photodiode à avalanche à photon unique La présente description concerne une photodiode (1) comprenant une première partie en silicium (10) et une deuxième partie en germanium dopé (20) reposant sur et en contact avec la première partie, la première partie comportant un empilement d'une première région (101) et d'une deuxième région (102) formant une jonction PN (103) et le niveau de dopage du germanium augmentant en s'éloignant de la jonction PN. Figure pour l'abrégé : Fig. 1

    ROUTAGE AMELIORE POUR STRUCTURE INTEGREE TRIDIMENSIONNELLE
    58.
    发明专利
    ROUTAGE AMELIORE POUR STRUCTURE INTEGREE TRIDIMENSIONNELLE 未知

    公开(公告)号：FR3045869B1

    公开(公告)日：2020-02-07

    申请号：FR1562785

    申请日：2015-12-18

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

    Inventor： AYRES ALEXANDRE ,  BOROT BERTRAND

    IPC: H01L23/535

    Abstract: Structure intégrée tridimensionnelle comprenant au moins un premier substrat (S1, S3, S5) comportant des premiers composants (1) orientés selon au moins une première direction (D1), un deuxième substrat (S2, S4, S6) comportant des deuxièmes composants (1) orientés selon au moins une deuxième direction (D2) et au moins un niveau d'interconnexion (B1, B2, B3, B3, B) comportant des lignes électriquement conductrices (21, 22) s'étendant selon au moins une troisième direction (D3), la deuxième direction (D2) et/ou la troisième direction (D3) formant un angle non droit et non nul avec la première direction (D1) de sorte que deux points (4, 5, 16, 17, 19, 20) des premiers ou des deuxièmes composants soient reliés par une première liaison électrique (3, 11, 14, 15, 18) comportant au moins l'une des lignes électriquement conductrices.

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