公开(公告)号：CN118156110A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202211558358.7

申请日：2022-12-06

Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司

Inventor： 谢林 ,  连增迪 ,  刘武平

IPC: H01J37/244 ,  H01J37/305 ,  H01J37/32 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种晶圆边缘处理装置，其包括反应腔，反应腔内设有下电极组件和上电极组件；下电极组件包括下边缘环和基座，上电极组件包括上边缘环和上盖板；待测件为校准晶圆或待处理晶圆，待测件包括第一待测件，待测件的边缘区域位于上边缘环和下边缘环之间；晶圆边缘处理装置还包括：设置在上电极组件中的第一组传感器，第一组传感器包括至少三个沿上电极组件的周向间隔排布的传感器，用于测量第一组传感器与第一待测件之间的第一距离；计算单元，其基于第一组传感器的测量结果判断第一待测件与上边缘环是否平行，当平行时，第一组传感器测得的多个第一距离值的两两差值均小于第一预设阈值。本发明还提供一种晶圆边缘处理装置的操作方法。

公开(公告)号：CN118053724A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202211406956.2

申请日：2022-11-10

Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司

Inventor： 连增迪 ,  倪图强 ,  谢林 ,  刘武平 ,  吴狄

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3065

Abstract: 一种半导体处理设备，包含对准调节装置，所述对准调节装置包含至少一个驱动单元，所述驱动单元包含固定部和移动部，所述固定部与上电极组件连接，所述移动部与设置于所述上电极组件的等离子体区域限制环或等离子体区域限制板或上电极环连接，所述移动部可相对于所述固定部在平行于所述基片所在的平面内移动。本发明采用对准调节装置来精准调节等离子体区域限制环、等离子体区域限制板或上电极环的位置，使等离子体区域限制环、等离子体区域限制板或上电极环与基片或下电极组件实现对准，确保边缘刻蚀的精度。

公开(公告)号：CN118053723A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202211400264.7

申请日：2022-11-09

Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司

Inventor： 杨宽 ,  王洪青 ,  刘武平 ,  王明明 ,  连增迪

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明公开了一种等离子体处理装置，包括：真空反应腔，位于真空反应腔内用于承载晶圆的下电极组件，与所述下电极组件相对设置其可上下移动的上电极组件，所述上电极组件包括下端具有凸台部的上电极和环绕所述凸台部的边缘环，位于所述上电极组件上的至少两组驱动机构，所述驱动机构的末端可沿水平方向移动并与所述边缘环连接。所述驱动机构用于驱动所述边缘环相对于所述上电极在水平方向上移动，从而调整所述边缘环与所述上电极之间的相对位置，保证上电极组件具有极高的同心度，避免边缘环位置偏移导致的晶圆边缘区域刻蚀不均匀问题。

公开(公告)号：CN113972124B

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202010716962.2

申请日：2020-07-23

Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司

Inventor： 左涛涛 ,  连增迪 ,  吴狄

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明公开了一种用于等离子体处理装置中的接地组件及其等离子体处理装置与工作方法，该等离子体处理装置包含：真空反应腔；下电极组件，位于真空反应腔内，下电极组件包括承载面，用于承载待处理晶圆；接地组件，其环绕设置在下电极组件的外侧，接地组件内包含若干个电磁场屏蔽的容纳空间；晶圆边缘保护环，环绕覆盖在待处理晶圆的边缘；若干个升降装置，其包含升降杆和驱动装置，驱动装置设置在容纳空间内，驱动装置与升降杆连接以便驱动升降杆带动晶圆边缘保护环升降。其优点是：在接地组件内设置容纳空间，将驱动装置设置于容纳空间内，避免过多占用真空反应腔内的空间，使驱动装置免受真空反应腔内的电磁场影响，有利于刻蚀工作的稳定性。

公开(公告)号：CN115966499A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202111176772.7

申请日：2021-10-09

Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司

Inventor： 王恒阳 ,  连增迪

IPC: H01L21/68 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种晶圆对中检测装置，包含：载体盘，通过传送机构放置在静电吸盘上，载体盘的放置位置与待处理晶圆在静电吸盘的放置位置对应；设置在载体盘的多个第一电极和/或多个成对第二电极，第一电极与静电电极构成第一电容，成对第二电极构成第二电容，第一、第二电容的电容值取决于载体盘与静电电极之间的相对位置；计算单元，其基于第一电容的电容值，和/或第二电容的电容值获取载体盘与静电吸盘对中的位置偏差。本发明还提供一种等离子体处理系统及一种晶圆对中方法。

公开(公告)号：CN112786420B

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN201911081973.1

申请日：2019-11-07

Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司

Inventor： 连增迪 ,  赵馗 ,  黄允文

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供了一种等离子体处理装置，该等离子处理装置包括：反应腔，在反应腔内的下方具有一基座，基座上设置有待处理基片，反应腔顶部包括绝缘材料窗，绝缘材料窗上方设置有电感线圈；空腔，用于容纳金属液体；源射频电源装置；偏置射频电源；致动装置，用于从空腔中抽取金属液体或向空腔中注入金属液体；控制器，连接至所述源射频电源装置、所述偏置射频电源和所述致动装置，所述控制器用于控制所述源射频电源装置和所述偏置射频电源向反应腔输入射频功率，以及控制所述致动装置从空腔中抽取或向空腔中注入金属液体。本发明还提供了一种处理基片的方法。

公开(公告)号：CN115706041A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202110919012.4

申请日：2021-08-11

Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司

Inventor： 王恒阳 ,  吴狄 ,  连增迪 ,  蔡楚洋

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/68 ,  H01L21/677 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明公开了一种基片位置检测装置及其系统和方法，该装置包含：载体盘，其通过传送机构放置在反应腔内的静电夹盘的上表面，所述载体盘在传送机构上的放置位置与基片在传送机构上的放置位置具有对应关系；设置在所述载体盘底面的多个电容组件，所述电容组件的电容值取决于所述电容组件和所述凹陷部之间的相对位置；运算单元，其通过多个所述电容组件的电容值计算所述载体盘与所述静电夹盘上表面的相对位置，以得出所述基片与静电夹盘上表面的相对位置。其优点是：该装置将载体盘、电容组件和运算单元等相结合，利用静电夹盘现有的凹陷部实现了基片和静电夹盘之间对中性的检测，无需额外对腔体内构件进行加工，减小了加工难度。

公开(公告)号：CN112017932B

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN201910466981.1

申请日：2019-05-31

Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司

Inventor： 连增迪 ,  左涛涛 ,  吴迪 ,  关瑜 ,  陈星建 ,  刘身健 ,  倪图强

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明涉及一种等离子体处理装置中气体输送系统的耐腐蚀结构，在衬套的气体通道等处设有耐腐蚀性材料的镀层，避免与所输送的腐蚀性气体反应，减少金属污染和颗粒。本发明反向地安装喷嘴，使其可靠地覆盖出气孔内的镀层，以防止耐腐蚀性材料被腔体内产生的等离子体破坏。本发明在喷嘴暴露于腔体一侧的表面形成有耐腐蚀的氧化钇涂层，阻挡等离子体对喷嘴的侵蚀。本发明还在衬套与介质窗及腔体接触的密封面也使用了柔韧的耐腐蚀性材料，如特氟龙，来提高衬套整体的密封效果。本发明可以有效提升衬套的耐腐蚀性、密封性，增加其服役寿命，提高等离子体处理装置的运行稳定性。

公开(公告)号：CN110890260B

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN201811043858.0

申请日：2018-09-07

Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司

Inventor： 黄允文 ,  李俊良 ,  连增迪

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明公开了一种动态控制气体流动模式的装置及晶圆处理方法和设备，基于对放置于处理腔室内的晶圆进行等离子处理工艺，装置是在处理腔室内进行气体流通模式调整的气体遮挡环；该装置包含：移动环，其能分别处在第一位置或第二位置或在第一位置与第二位置之间进行匀速直线运动或变速运动，移动环在第一位置时，反应气体具有第一分布，对晶圆产生第一处理效果；该移动环在第二位置时，反应气体具有第二分布，对晶圆产生第二处理效果，在整个等离子处理工艺过程中，运动的移动环使得晶圆具有第三处理效果，第三处理效果介于第一处理效果和第二处理效果之间。本发明能够通过动态调整移动环使得对晶圆的处理工艺的控制更加精确，提高生产效率。

公开(公告)号：CN115249633A

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN202110458779.1

申请日：2021-04-27

Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司

Inventor： 连增迪 ,  陈煌琳

IPC: H01L21/68 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供了一种基片对准装置、基片对准系统和传送机构位置调整方法，包括支撑板，传感器和计算单元，通过对准装置的支撑板和传感器配合，建立基片和基座直接的对准关系，利用基座上已有的特征区域，结合传感器的光学结构，实现最少的中间辅助部件参照；配合整体基片加工系统，实现真空环境的测量，减少对生产加工的延误，优化工艺流程，提高生产效率；使用对准装置获得的数据结果对传送机构的运行轨迹进行调整，进一步确保基片放置位置的准确性和可重复性，保证每一片基片加工的均一性。