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公开(公告)号：KR101848145B1
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：KR1020160074532
申请日：2016-06-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L51/56 , H01L51/00 , C23C16/458 , C23C16/46 , H01L21/205 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/203
Abstract: 균일한막을형성할수 있고, 또한기판에만막을형성할수 있는성막장치및 그것에사용하는기판적재대를제공한다. 성막장치(100)는, 기판적재대(1)와, 기판(G)에성막처리를실시하는처리실(10)과, 처리가스공급기구(13)를갖는다. 기판적재대(1)는, 그상면이기판(G)을적재하는적재면(4a)으로되는적재부(4)와, 적재부(4)의외주를둘러싸도록설치된외주링(5)과, 적재부(4)를, 처리가스에의해성막가능한제1 온도로온도조절하는제1 온도조절부(20a)와, 외주링(5)을, 처리가스에의해성막되지않는제2 온도로온도조절하는제2 온도조절부(20b)를갖고, 적재부(4)와외주링(5) 사이에는, 전체주위에걸쳐단열부로서기능하는간극(6)이형성되어있고, 적재면(4a)은, 기판(G)보다작게형성되고, 간극(6)은, 적재면(4a)에기판(G)이적재되었을때, 기판(G)의비어져나옴부분이전체주위에걸쳐외주링(5)에걸리도록형성되어있다.
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公开(公告)号：KR101792310B1
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：KR1020140056267
申请日：2014-05-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
Abstract: 본발명은고출력화에의대응을용이하게할 수있는고주파전원을구비한플라즈마처리장치를제공한다. 제 1 고주파전원부(65)는전원제어부(130)와고주파전원(140)과결합기(150)를구비하고있다. 결합기(150)에는, 복수의증폭부(142)가병렬접속되어있고, 각증폭부(142)에서증폭된고주파전력을합성한다. 또, 결합기(150)는매칭박스(63)에접속되어있고, 결합기(150)에서합성된고주파전력은매칭박스(63)를거쳐상부전극으로서기능하는샤워헤드(31)에급전된다.
Abstract translation: 本发明提供一种配备有高频电源的等离子体处理装置，其能够容易地处理高功率输出。 第一RF电源单元65包括电力控制单元130，RF电源140和组合器150。 多个放大单元142并联连接到组合器150并且在各个放大单元142中组合放大的高频功率。 组合器150连接到匹配盒63.在组合器150中合成的高频功率经由匹配盒63馈送到充当上电极的喷头31。
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公开(公告)号：KR101775751B1
公开(公告)日：2017-09-06
申请号：KR1020130134997
申请日：2013-11-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/205
Abstract: 본발명의과제는대형의피처리기판에대해서, 금속창을사용하여균일한플라즈마처리를실행할수 있는유도결합플라즈마처리장치를제공하는것이다. 직사각형의기판에유도결합플라즈마처리를실시하는유도결합플라즈마처리장치로서, 기판을수용하는처리실과, 처리실내의기판이배치되는영역에유도결합플라즈마를생성하기위한고주파안테나와, 유도결합플라즈마가생성되는플라즈마생성영역과고주파안테나사이에배치되고, 기판에대응하여마련된직사각형을이루는금속창을구비하고, 금속창(2)은장변(2a)을포함하는제 1 영역(201)과, 단변(2b)을포함하는제 2 영역(202)으로전기적으로절연되도록분할되고, 또한제 2 영역(202)의반경방향의폭(a)과제 1 영역(201)의반경방향의폭(b)의비(a/b)가 0.8 이상 1.2 이하의범위가되도록분할되어있다.
Abstract translation: 本发明的一个目的是提供一种用于将要处理的大型基板，感应，这可以通过使用耦合型等离子体处理装置中的金属窗口运行一个均匀的等离子体处理。 对于矩形衬底上进行的感应耦合等离子体处理的感应耦合等离子体处理装置，和用于产生在所述处理室中的电感耦合等离子体，并且其中所述基板设置在处理室中，用于接收所述衬底的区域中的高频天线，则产生感应耦合等离子体 它被设置在等离子体生成区域和所述高频天线是之间，设置有金属窗形成与所述衬底，金属窗口相对应地布置的矩形，（2）的第一区域201和短边包括eunjang侧（2A）（2B ），第二区域202被划分，以便被电绝缘，并且第二区域202，在第一区域（201）的径向方向上的宽度（a）中分配宽度，（b）中UIBI（一个在容纳的径向方向 / b）在0.8以上且1.2以下的范围内。
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公开(公告)号：KR101768746B1
公开(公告)日：2017-08-30
申请号：KR1020140058971
申请日：2014-05-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , H01L21/205 , H05B33/10
Abstract: 피처리기판의대형화에대응하여처리실내로의가스공급의균일성을개선할수 있고, 또한, 정밀도양호하고용이하게제조가가능하고유지보수성도양호한가스공급헤드, 가스공급기구및 기판처리장치를제공한다. 기판(G)을탑재하는스테이지(4)를갖는기판처리장치(1)가구비하는가스공급기구는, 가스공급헤드(6), 제 1 스테이지내 가스공급구멍(8a) 및제 1 가스공급라인(9a)을갖는다. 제 1 가스공급라인(9a)은, 제 1 가스공급원으로부터하류측을향해 2(n; 자연수)개로등장분기하고, 말단의 2개의분기관의가스토출구가일직선상에등간격으로늘어선상태로제 1 스테이지내 가스공급구멍(8a)과연통하고, 가스공급헤드(6)는, 제 1 가스공급라인(9a) 및제 1 스테이지내 가스공급구멍(8a)을통해공급되는가스를긴 홈형상의제 1 가스확산실(42a)을통해복수의제 1 가스토출구멍(45a)으로부터균일하게토출한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170086410A
公开(公告)日：2017-07-26
申请号：KR1020170007848
申请日：2017-01-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01J37/32
Abstract: (과제) 기판에대한플라즈마처리의균일성을향상시킨플라즈마처리장치를제공한다. (해결수단) 플라즈마처리장치(11)는, 기판 G가탑재되는탑재대(21)를내부에수용하는챔버(20)와, 챔버(20)의내부에배치된격벽부(22)와, 격벽부(22)의상면에배치된고주파안테나(50)와, 격벽부(22)의하면에배치된가스도입유닛을갖고, 고주파안테나(50)에의해형성된전계에의해처리가스를플라즈마화하여기판 G를플라즈마처리한다. 가스도입유닛은, 길고기판탑재면과대략직교하는방향으로처리가스를분출하는복수의가스분출구멍(25b)을갖는제 1 샤워플레이트(24a~24d)와, 길고기판탑재면과대략평행한방향으로처리가스를분출하는복수의가스분출구멍(55b)을갖는제 2 샤워플레이트(54a~54d)가, 긴방향이방사상으로연장되는방향이되도록배치된구성을갖는다.
Abstract translation: （要解决的问题）提供一种等离子体处理装置，其具有改进的等离子体处理在基板上的均匀性。 等离子体处理装置11具备：腔室20，其内部收纳载置基板G的载置台21;配置在腔室20内的分隔壁22; 设置在基板22的上表面上的频率天线50和设置在分隔壁22的表面上的气体引入单元，以通过高频天线50形成的电场使处理气体等离子化。 和等离子体处理。 气体引入单元包括：第一喷淋板24a至24d，其具有用于在基本垂直于基板安装表面的方向上喷射处理气体的多个气体喷射孔25b; 并且，具有用于喷射处理气体的多个气体喷射孔55b的第二喷淋板54a〜54d被配置为沿着长边方向的径向延伸。
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公开(公告)号：KR1020160134552A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：KR1020160058385
申请日：2016-05-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L29/78 , H01B3/44 , H01B3/46
Abstract: 본발명은화상을고휘도로표시할수 있는액정표시장치의제조방법을제공한다. 액정표시장치(10)는, 박막트랜지스터(15)의드레인전극(19)을덮는유기절연막(22)과, 해당유기절연막(22) 상에형성되는공통전극(23)과, 해당공통전극(23)을덮도록유기절연막(22) 상에형성되는무기절연막(24)과, 해당무기절연막(24) 상에형성되는화소전극(25)을구비하며, 액정표시장치(10)에서, 동일한마스크막(28)을이용하여무기절연막(24) 및유기절연막(22)이에칭되어무기절연막(24)을관통하는무기절연막관통구멍(29)과, 유기절연막(22)을관통하는유기절연막관통구멍(30)이동일얼라인먼트로형성되고, 무기절연막관통구멍(29) 및유기절연막관통구멍(30)은콘택트홀(31)을구성한다.
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公开(公告)号：KR101656916B1
公开(公告)日：2016-09-12
申请号：KR1020130002763
申请日：2013-01-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/67 , C23C16/455
Abstract: (과제) 가스확산실의내부를충분히퍼지할수 있고, 의도하지않은영역에불필요한퇴적물이생기는것을억제할수 있는가스공급헤드를제공하는것. (해결수단) 직선형상의통 형상공간으로이루어지는가스확산실(101)과, 가스확산실(101)에대응하여마련되고, 열형상을이루는복수의가스토출구멍(102)과, 가스확산실(101)의일단에마련되고, 가스를가스확산실(101) 내에공급하는가스공급계(9)에접속된제 1 가스공급구(103)와, 가스확산실(101)의타단에마련되고, 가스를가스확산실(101) 내로부터배기하는가스배기계(10)에접속된가스배기구(104)를구비한다.
Abstract translation: （任务）和气体扩散能够充分吹扫一个破碎，haneungeot的内部可提供气体供应头这抑制了不想要的沉积物发生不想要的区域。 [解决问题的手段的圆筒状空间的对直的，并且，作为气体扩散室101，多个气体排出孔102的形成气体扩散室（101）中对应地设置，形成一个圆柱状，气体扩散室（101 设置在气体扩散室101的一端并连接到气体供给系统9以将气体供给到气体扩散室101中的第一气体供给口103; 与气体排气系统10连接的排气口104用于从气体扩散室101的内部排出气体。
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公开(公告)号：KR1020160039542A
公开(公告)日：2016-04-11
申请号：KR1020150135683
申请日：2015-09-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 고치켄 고리쯔 다이가쿠호진
IPC: H01L29/786 , H01L21/02 , H01L27/32 , H01L51/52
Abstract: 성능의저하를방지할수 있는전자디바이스를제공한다. TFT(21)는, IGZO막에의해구성되는채널(14)과, 해당채널(14)에인접하는에칭정지막(22)과, 해당에칭정지막(22)을사이에두고채널(14)에대향하는패시베이션막(23)을구비하고, 패시베이션막(23)이불소함유질화규소막으로이루어지며, 에칭정지막(22) 및채널(14)의경계에서의불소원자의농도는채널(14)의경계이외의부분에서의불소원자의농도보다높고, 또한에칭정지막(22)의상기경계이외의부분에서의불소원자의농도분포는상기경계를향해저하되는농도구배를갖는다.
Abstract translation: 提供能够防止性能劣化的电子设备。 TFT（21）具有：通道（14），构成通道（14）的IGZO膜; 与相应的通道（14）相邻的蚀刻停止膜（22）; 以及在所述蚀刻停止膜（22）上面向所述通道（14）的钝化膜（23）。 钝化膜（23）由含氟氮化硅膜形成。 在蚀刻停止膜（22）和沟道（14）的边界处的氟原子浓度高于在通道（14）的边界以外的部分处的氟原子浓度。 除了蚀刻停止膜（22）的边界以外的部分的氟原子浓度分布具有向边界下降的浓度梯度。
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公开(公告)号：KR101524905B1
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：KR1020120066573
申请日：2012-06-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C16/448 , C23C16/50 , H01L51/56
CPC classification number: C23C16/45517 , C23C16/45546
Abstract: 복수의피처리체를동시에처리하는일괄식처리장치로서, 메인챔버와, 상기메인챔버내에, 상기메인챔버의높이방향으로적층해서마련된, 상기피처리체를탑재하는복수의스테이지와, 상기스테이지마다마련되고, 상기스테이지에탑재된상기피처리체를덮는복수의커버를포함하고, 상기복수의스테이지와상기복수의커버로, 상기복수의스테이지에탑재된상기복수의피처리체의각각을둘러싸도록, 상기메인챔버보다도용량이작은복수의처리용소공간을형성하는것을특징으로하는일괄식처리장치가제공된다.
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