公开(公告)号：KR1020100071605A

公开(公告)日：2010-06-29

申请号：KR1020080130383

申请日：2008-12-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 선우문욱 ,  이정현 ,  마동준 ,  김연희 ,  박용영 ,  이창수

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11556 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10891

Abstract: PURPOSE: A nonvolatile memory device and a manufacturing method thereof are provided to improve the integration of the nonvolatile memory device by simplifying the arrangement of a via plug and a word line. CONSTITUTION: A plurality of semiconductor pillars is formed on a substrate(105). A plurality of control gate electrodes(120) is stacked on the substrate to surround the semiconductor pillar. A plurality of dummy electrodes(125) is adjacently separated from the control gate electrode. A plurality of via plugs(170) is combined with the control gate electrode. A word line(180) is formed on the via plug. The via plug penetrates through one control gate electrode and a part of the dummy electrodes.

Abstract translation: 目的：提供一种非易失性存储器件及其制造方法，其通过简化通孔插头和字线的布置来改善非易失性存储器件的集成。 构成：在基板（105）上形成多个半导体柱。 多个控制栅电极（120）堆叠在基板上以包围半导体柱。 多个虚拟电极（125）与控制栅电极相邻地分开。 多个通孔塞（170）与控制栅电极组合。 在通孔插头上形成字线（180）。 通孔插塞穿过一个控制栅电极和一部分虚拟电极。

公开(公告)号：KR100862658B1

公开(公告)日：2008-10-10

申请号：KR1020020071047

申请日：2002-11-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김태완 ,  톨마체프유리 ,  마동준 ,  나발라세르기야고블레비키

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4558

Abstract: 반도체 처리 시스템의 반응챔버 내부로 반응가스를 주입하기 위한 가스 주입 장치가 개시된다. 개시된 가스 주입 장치는, 반응챔버의 벽의 내면에 접촉되도록 설치되며 반응챔버 내부로 반응가스를 분배하여 주입하는 다수의 노즐이 관통 형성된 인젝터와, 반응챔버의 벽을 관통하여 설치되는 가스 유입구와, 반응챔버의 벽과 인젝터 사이에 마련되어 가스 유입구를 통해 유입된 반응가스를 다수의 노즐 각각까지 공급하는 매니폴드를 구비한다. 그리고, 매니폴드는 가스 유입구로부터 다수의 노즐 각각까지 이어지는 가스 경로들의 길이가 모두 동일하도록 복수의 레벨로 배열된 가스채널들로 구성된다. 이와 같은 구성에 의하면, 다수의 노즐 각각을 통해 반응챔버 내부로 주입되는 반응가스의 유량이 균일하며, 반응챔버의 크기나 가스 압력 및 유량에 의해 제한을 받지 않고 다양한 종류의 반도체 처리 시스템에 채용될 수 있는 가스 주입 장치를 구현할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020060037934A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：KR1020040087037

申请日：2004-10-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송상훈 ,  최상준 ,  이정현 ,  마동준

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C23C14/542 ,  C23C14/225 ,  C23C14/505 ,  C23C14/548

Abstract: 두께 변동을 가지는 박막을 증착하는 장비를 제시한다. 본 발명에 따르면, 챔버(chamber) 내에서 웨이퍼를 잡아 지지하는 웨이퍼 지지부, 웨이퍼에 활성화된 증착 소스(source)를 제공할 증착 소스 발생부, 증착 소스 발생부와 웨이퍼 사이에서 활성화된 증착 소스가 웨이퍼 상의 줄 단위 영역에만 제공되도록 유도하는 콜리메이터(collimator)부, 콜리메이터부를 통해서만 선택적으로 활성화된 증착 소스가 제공되도록 다른 부분을 차단하는 필터(filter)부, 웨이퍼를 콜리메이터부에 대해 상대적으로 수평 이동시키는 수평 이동부, 및 웨이퍼를 회전시키는 회전부를 포함하는 박막 증착 장비를 제시한다.
경사진 박막, 조성비, 콜리메이터, 필터, 라인 증착

公开(公告)号：KR100571844B1

公开(公告)日：2006-04-17

申请号：KR1020040086539

申请日：2004-10-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최상준 ,  이정현 ,  마동준 ,  박완준 ,  박영수

IPC: G11C13/02

Abstract: 상전이 메모리 소자 및 그 동작 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 상전이 메모리 소자는 반도체 기판에 복수의 행들과 열들의 매트릭스로 배열된 복수의 단위셀들, 행으로 배열되고 일단에 각각 행 선택 트랜지스터를 구비하는 복수의 기록 비트라인들과 읽기 비트라인들 및 열로 배열되고 일단에 각각 열 선택 트랜지스터를 구비하는 복수의 기록 워드라인들과 읽기 워드라인들을 포함한다. 여기에서, 단위셀은 상전이 저항체 및 상전이 저항체를 가열시키기 위한 발열 저항체를 포함한다.

Abstract translation: 公开了一种相变存储元件及其操作方法。 相变存储器件具有多个行和列排列的矩阵状的多个单元电池，排列在一行中读出位线和多条写入位线，每一个都包括根据本发明的行选择晶体管的半导体基板上的一个端部， 并且多个写入字线和读取字线排列成行，并且每个都在一端具有列选择晶体管。 这里，单元电池包括相变电阻器和用于加热相变电阻器的发热电阻器。

公开(公告)号：KR100561848B1

公开(公告)日：2006-03-16

申请号：KR1020030077762

申请日：2003-11-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김대일 ,  마동준 ,  김국윤 ,  최성규

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01J37/32697 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211

Abstract: 헬리컬 공진기형 플라즈마 처리장치가 개시된다. 개시된 플라즈마 처리 장치는, 처리 기판을 지지하는 기판 홀더를 가진 공정 챔버와, 공정 챔버 내부와 연통되도록 공정 챔버의 상부에 설치되는 유전체 관과, 유전체 관의 외부관 둘레에 감겨진 헬릭스 코일과, 헬릭스 코일에 RF 전력을 공급하기 위한 RF 전원을 구비한다. 상기 유전체 관은 내부관과 외부관으로 이루어진 2중 관 형태를 가지며, 상기 외부관에는 내부관과 외부관 사이의 공간에 플라즈마 소스가스를 공급하기 위한 소스가스 공급구가 형성된다. 상기 유전체 관의 내부에는 플라즈마의 전위를 제어하기 위한 제어 전극이 설치되며, 상기 제어 전극에는 소정의 전위를 인가하기 위한 가변 DC 전원이 연결된다. 이와 같은 구성에 의하면, 처리 기판의 반경방향을 따라 플라즈마의 밀도 분포가 보다 균일하게 이루어질 수 있으며, 플라즈마의 전위도 용이하게 제어할 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1020050060345A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：KR1020030091947

申请日：2003-12-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최상준 ,  김영일 ,  마동준

IPC: H01L21/203

CPC classification number: C23C14/243

Abstract: 기판에 박막을 증착하기 위하여 패터닝된 증착원 및 이를 이용한 증착방법이 개시된다. 개시된 패터닝된 증착원은 증착 소오스 물질을 장입하기 위한 장입부를 구비하는 본체 및 장입부를 덮으며 다수의 라인 형상의 개구를 구비하는 덮개부를 포함한다. 기판이 본체 위를 앞뒤로 지나감으로써 덮개부의 라인 형상의 개구를 통해 기화되는 물질들은 직진성을 가지고 기판에 수직으로 증착될 수 있다. 따라서, 기존 증착기에서 나타나는 기화 물질의 퍼짐 현상으로 기인되는 박막의 균일도 문제의 개선이 가능하게 되었다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 증착원과 기판과의 거리 감소는 기화 원자들의 단위 면적당 플럭스의 증가가 발생되어 기판 상에 형성되는 박막이 더욱 치밀해질 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020050047293A

公开(公告)日：2005-05-20

申请号：KR1020030081098

申请日：2003-11-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 톨마체프유리 ,  마동준 ,  나발라세르기야고블레비키 ,  김대일

IPC: H01L21/203

CPC classification number: H01J37/321 ,  C23C14/358 ,  H01J37/3408

Abstract: 헬리컬 자기-공진 코일을 이용한 이온화 물리적 기상 증착 장치가 개시된다. 개시된 이온화 물리적 기상 증착 장치는, 처리 기판을 지지하는 기판 홀더를 가진 공정 챔버와, 공정 챔버에 기판 홀더와 대향하도록 설치되어 처리 기판상에 증착될 물질을 제공하는 증착 물질 소스와, 공정 챔버 내부에 공정 가스를 주입하기 위한 가스 주입 유닛과, 기판 홀더에 바이어스 전위를 인가하기 위한 바이어스 전원과, 공정 챔버 내부에 증착 물질을 이온화시키기 위한 플라즈마를 발생시키는 것으로 일단은 접지되고 타단은 전기적으로 개방된 헬리컬 자기-공진 코일과, 헬리컬 자기-공진 코일에 RF 전력을 공급하기 위한 RF 제너레이터를 구비한다. 이와 같은 구성에 의하면, 헬리컬 자기-공진 코일에 의해 매우 낮은 압력하, 예컨대 대략 0.1mTorr에서도 플라즈마의 점화 및 유지가 가능하며, 종래에 비해 고밀도의 플라즈마를 높은 효율로 발생시킬 수 있으므로, 증착 물질의 이온화율이 높아지게 된다.

公开(公告)号：KR100446619B1

公开(公告)日：2004-09-04

申请号：KR1020010079314

申请日：2001-12-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 톨마체프유리 ,  마동준 ,  문창욱 ,  윤혜영

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01J37/321 ,  H01J37/32357

Abstract: An inductively coupled plasma apparatus is provided, wherein the inductively coupled plasma apparatus includes a process chamber having a wafer susceptor on which a substrate is installed, a top plasma source chamber which is installed on the process chamber, a reactor, which is installed in the top plasma source chamber, having a channel through which a gas flows, wherein the reactor supplies plasma reaction products to the process chamber, an inductor, having two ends, is installed between the top plasma source chamber and the reactor and is wound around the reactor, an opening which is positioned within a circumferential space in which the inductor is installed between the reactor and the process chamber, and a shutter operable to open and close the opening. Thus, a uniform radial distribution of radicals emanating from a plasma source can be improved.

Abstract translation: 本发明提供了一种电感耦合等离子体装置，其中感应耦合等离子体装置包括：处理室，其具有其上安装有基板的晶片基座;顶部等离子体源室，其安装在处理室上;反应器，其安装在 顶部等离子体源室，具有气体流经的通道，其中反应器将等离子体反应产物供应到处理室，具有两个端部的电感器安装在顶部等离子体源室与反应器之间并围绕反应器缠绕 位于电感器安装在反应器和处理室之间的周向空间内的开口以及可操作以打开和关闭开口的开闭器。 因此，可以改善从等离子体源发出的自由基的均匀径向分布。

公开(公告)号：KR1020040043046A

公开(公告)日：2004-05-22

申请号：KR1020020071044

申请日：2002-11-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 나발라세르기야고블레비키 ,  마동준 ,  김태완

IPC: H01L21/203

CPC classification number: H01J37/3455 ,  C23C14/35 ,  H01J37/3408

Abstract: PURPOSE: A magnetron sputtering apparatus and a sputtering method are provided to be capable of improving the uniformity of a thin film and step coverage. CONSTITUTION: A magnetron sputtering apparatus is provided with a vacuum chamber(101) having a discharge gas inlet port and a discharge gas exhaust port, a substrate holder(103) installed in the vacuum chamber for loading a substrate, and a magnetic circuit part(105) opposite to the substrate holder. At this time, the magnetic circuit part is capable of being rotated. The magnetic circuit part includes a target electrode(102) having a smaller size than that of the substrate and a magnetron(104) fixed on the backside of the target electrode. The magnetron sputtering apparatus further includes a driving part(107) for rotating the magnetic circuit part and controlling the distance from the pivot of the substrate holder to the magnetic circuit part.

Abstract translation: 目的：提供磁控溅射装置和溅射方法，以提高薄膜的均匀性和阶梯覆盖。 构成：磁控管溅射装置设有具有放电气体入口和放电气体排出口的真空室（101），安装在用于加载基板的真空室中的基板保持架（103）和磁路部分 105）与衬底保持器相对。 此时，磁路部能够旋转。 磁路部分包括具有比基板小的尺寸的目标电极（102）和固定在目标电极的背面上的磁控管（104）。 磁控管溅射装置还包括用于旋转磁路部分并控制从衬底保持器的枢轴到磁路部分的距离的驱动部分（107）。