公开(公告)号：KR101206038B1

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：KR1020060129656

申请日：2006-12-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김종만 ,  박경배 ,  권장연 ,  정지심

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78621 ,  H01L29/66757

Abstract: 본 발명에 따른 박막 트랜지스터의 제조방법은, 기판 상에 비정질 실리콘층을 형성하는 단계, 상기 비정질 실리콘층을 결정화하여 폴리실리콘층을 형성하는 단계, 상기 폴리실리콘층 상에 절연막을 형성하는 단계, 상기 절연막 상에 형성되어 상기 폴리실리콘층의 일부영역을 마스킹하는 것으로 순차적층된 게이트 마스크와 포토레지스트층을 포함하는 마스크 구조체를 형성하는 단계, 상기 마스크 구조체에 의해 가려지지 않는 폴리실리콘층의 일단부 및 타단부에 이온빔 임플란테이션 방법에 의해 제1 농도의 불순물을 주입하여 상기 폴리실리콘층에 소오스와 드레인 영역 및 이들 사이에 개재되는 채널영역을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트층에 이온빔을 조사하여 상기 포토레지스트층을 수축시킴으로써 상기 게이트 마스크의 일단부 및 타단부를 돌출시키는 단계, 상기 수축된 포토레지스트층을 식각마스크로 이용하여 상기 수축된 포토레지스트층과 같은 너비(width)로 상기 게이트 마스크 및 절연막을 식각하여 게이트 전극 및 게이트 절연막을 형성하는 단계 및 상기 게이트 절연막과 소오스영역 사이로 노출된 상기 채널영역의 일단부 및 상기 게이트 절연막과 드레인영역 사이로 노출된 상기 채널영역의 타단부 각각에 상기 제1 농도 보다 적은 제2 농도의 불순물을 주입하여 LDD 영역을 형성하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR101124503B1

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：KR1020050055111

申请日：2005-06-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 선우문욱 ,  조세영 ,  타카시노구치 ,  박영수 ,  장샤오신 ,  후아샹잉 ,  임혁 ,  박경배 ,  김석필

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C30B29/06 ,  Y10T428/10

Abstract: 본 발명은 그레인 크기가 크고 배향성이 우수한 실리콘 박막을 제조에 관하여 개시한다.
개시된 방법은: 고배향성 실리콘층 형성방법 및 고배향성 실리콘층 적층기판에 관한 것으로, 기판 상에 알루미늄층을 형성하는 단계; 알루미늄층을 고배향성 알루미늄층으로 결정화하는 단계; 상기 고배향성 다결정 알루미늄층 상에 γ-Al
2 O
3 층을 형성하는 단계; 및 상기 γ-Al
2 O
3 층 상에 실리콘층을 에피성장시키는 단계를 포함하여, 이동도가 높은 반도체 소자를 얻을 수 있게 한다.
이동도, 고배향성, 그레인, 다결정성, 에피성장

公开(公告)号：KR101100426B1

公开(公告)日：2011-12-30

申请号：KR1020050038986

申请日：2005-05-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 타카시노구치 ,  조세영 ,  선우문욱 ,  김도영 ,  권장연 ,  후아샹잉 ,  박경배 ,  장샤오신

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L21/84 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1108 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7842 ,  Y10S257/903

Abstract: 단결정 실리콘층을 포함하는 반도체 소자, 이를 포함하는 반도체 장치 및 평면표시장치와 반도체 소자의 제조 방법에 관해 개시되어 있다. 여기서 본 발명은 기판, 상기 기판에 형성된 P-MOS 단결정 박막 트랜지스터 및 상기 P-MOS 단결정 박막 트랜지스터 상에 구비된 N-MOS 단결정 박막 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자와 이를 포함하는 반도체 장치 및 평면표시장치와 상기 반도체 소자의 제조 방법을 제공한다. 상기 반도체 소자에서 상기 P-MOS 단결정 박막 트랜지스터의 소오스 영역과 상기 N-MOS 단결정 박막 트랜지스터의 소오스 영역은 서로 연결되어 있을 수 있다. 그리고 상기 P-MOS 단결정 박막 트랜지스터와 N-MOS 단결정 박막 트랜지스터는 공통 게이트를 가질 수도 있다. 또한, 상기 P-MOS 단결정 박막 트랜지스터는 결정면이 (100)이고, 결정방향이 인 단결정 실리콘층을 포함하고, 상기 N-MOS 단결정 박막 트랜지스터는 상기 P-MOS 단결정 박막 트랜지스터와 동일한 결정 방향을 갖고, 상기 P-MOS 단결정 박막 트랜지스터의 상기 단결정 실리콘층보다 큰 텐사일 스트레스(tensile stress)를 갖는 단결정 실리콘층을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020100092878A

公开(公告)日：2010-08-23

申请号：KR1020100007951

申请日：2010-01-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 선종백 ,  이상윤 ,  박정일 ,  류명관 ,  박경배

IPC: C09D1/00 ,  H01L29/786

CPC classification number: C09D1/00 ,  H01L21/02565 ,  H01L29/26 ,  H01L29/7869

Abstract: PURPOSE: A solution composition, a thin film formation method using thereof, and a manufacturing method of a thin film transistor are provided to simplify the manufacturing process, and to improve the property of the thin film transistor. CONSTITUTION: A solution composition for manufacturing an oxide thin film contains a first compound including zinc, a second compound including indium, and a third compound including more than one metal or semi-metal selected from the group consisting of hafnium, magnesium, tantalum, cerium, lanthanum, silicon, germanium, vanadium, niobium, and yttrium.

Abstract translation: 目的：提供一种溶液组合物，其薄膜形成方法和薄膜晶体管的制造方法，以简化制造工艺，并提高薄膜晶体管的性能。 构成：用于制造氧化物薄膜的溶液组合物含有包含锌的第一化合物，包含铟的第二化合物和包含多于一种选自铪，镁，钽，铈的金属或半金属的第三化合物 ，镧，硅，锗，钒，铌和钇。

公开(公告)号：KR1020090052229A

公开(公告)日：2009-05-25

申请号：KR1020070118828

申请日：2007-11-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박경배 ,  이상윤 ,  류명관 ,  김태상 ,  권장연 ,  손경석 ,  정지심

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02667 ,  H01L21/20 ,  H01L21/2022 ,  H01L29/66765

Abstract: 결정질 실리콘 박막 및 이를 적용하는 박막 트랜지스터의 제조방법이 개시된다. 개시된 결정질 실리콘 박막의 제조방법은 기판 상에 격자 구조를 가지는 버퍼층을 형성하는 단계; 버퍼층 상에 실리콘 결정을 성장시키는 단계;를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020080058897A

公开(公告)日：2008-06-26

申请号：KR1020060133094

申请日：2006-12-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정지심 ,  한정석 ,  이상윤 ,  김종만 ,  권장연 ,  박경배

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3262

Abstract: A method for manufacturing a unit pixel driving device of an organic light emitting display is provided to improve a manufacturing process by forming simultaneously channels of a switching transistor and a driving transistor. An amorphous silicon layer including a first and second amorphous regions is formed on a substrate(10). The first and second amorphous regions are formed on the same plane. A hydrophobic self-assembled monolayer is formed on the first amorphous region. A solution including nickel particles is coated on the second amorphous region and the hydrophobic self-assembled monolayer by using a hydrophilicity difference so that the amount of nickel particles of the second amorphous region is larger than the amount of nickel particles of the hydrophobic self-assembled monolayer. The hydrophobic self-assembled monolayer is evaporated by an annealing process. A first and second crystalline regions are formed by crystallizing the first and second amorphous regions. A first and second channel regions are formed by patterning the first and second crystalline regions. A first and second electrodes(50,60) are formed on the first and second channel regions.

Abstract translation: 提供一种用于制造有机发光显示器的单位像素驱动装置的方法，以通过同时形成开关晶体管和驱动晶体管的沟道来改善制造工艺。 在基板（10）上形成包括第一和第二非晶区域的非晶硅层。 第一和第二非晶区域形成在同一平面上。 在第一非晶区上形成疏水性自组装单层。 通过使用亲水性差异将包含镍颗粒的溶液涂覆在第二非晶区域和疏水性自组装单层上，使得第二非晶区域的镍颗粒的量大于疏水性自组装的镍颗粒的量 单层。 疏水性自组装单层通过退火工艺蒸发。 第一和第二结晶区域通过使第一和第二非晶区域结晶而形成。 通过图案化第一和第二晶体区域形成第一和第二沟道区域。 第一和第二电极（50,60）形成在第一和第二沟道区上。

公开(公告)号：KR100678887B1

公开(公告)日：2007-02-05

申请号：KR1020040052001

申请日：2004-07-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박경배 ,  이윤희 ,  최신호 ,  지아영

IPC: G06Q50/30 ,  G06Q50/00 ,  G06Q30/02

Abstract: 본 발명은 프리젠스 서비스 방법 및 장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 프리젠스 서비스 방법은 자신이 포함된 네트워크 내의 통신장치들 중 소정의 통신장치의 사용자를 버디로 등록하고 등록된 사용자의 통신장치의 접속 정보를 관리하는 단계와, 등록된 사용자의 통신장치의 접속 정보를 이용하여 등록된 사용자의 통신장치에게 사용자의 프리젠스 정보를 요청하는 단계, 및 등록된 사용자의 통신장치로부터 프리젠스 정보를 수신하여 버디로 등록된 사용자 별로 프리젠스 정보를 관리하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따르면 특정한 서버에 의하지 않고서도 통신장치들 간에 프리젠스 서비스를 이용할 수 있다.
프리젠스 서비스, 버디

公开(公告)号：KR100580640B1

公开(公告)日：2006-05-16

申请号：KR1020040108031

申请日：2004-12-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 후아샹잉 ,  타카시노구치 ,  선우문욱 ,  박경배

IPC: H01L21/336

Abstract: 다결정 실리콘 필름의 제조방법 및 이를 이용한 적층형 트랜지스터의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 다결정 실리콘 필름의 제조방법은, 순차적으로 형성된 poly-Si 활성층, 게이트 절연층 및 게이트를 포함하는 트랜지스터가 형성된 절연성 기판을 준비하는 단계;, 상기 게이트로부터 소정간격 이격된 위치에 금속배선을 형성하는 단계;, 상기 트랜지스터 및 금속배선을 매립하는 절연층을 형성하는 단계;, 상기 절연층 위에 비정질 실리콘층을 형성하는 단계; 및 상기 비정질 실리콘층을 어닐링하는 단계;를 포함한다.

Abstract translation: 公开了制造多晶硅膜的方法和使用该方法制造多层晶体管的方法。 根据本发明的制造多晶硅膜的方法包括以下步骤：制备绝缘衬底，在绝缘衬底上形成包括顺序形成的多晶硅有源层，栅极绝缘层和栅极的晶体管; 形成填充晶体管和金属布线的绝缘层，在绝缘层上形成非晶硅层， 并对非晶硅层进行退火。

公开(公告)号：KR1020060041414A

公开(公告)日：2006-05-12

申请号：KR1020040090495

申请日：2004-11-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권장연 ,  임혁 ,  타카시노구치 ,  박영수 ,  김석필 ,  조세영 ,  정지심 ,  박경배 ,  김도영

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/203

CPC classification number: H01L29/66765 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/46 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02631

Abstract: 양질의 다결정 실리콘 TFT의 제조 방법에 관해 개시된다. 본 발명에 따른 다결정 실리콘 TFT의 제조방법은:
게이트 위에 게이트 절연물질층과 비정질 실리콘층을 IBD(Ion Beam Deposition)에 의해 다결정 실리콘을 형성하는 단계; IBD로 증착된 비정질 실리콘층 위에 게이트 절연물질층을 형성하는 단계;를 포함한다.
다결정, 바텀, 게이트, TFT

Abstract translation: 公开了一种在衬底上制备半导体膜的方法。 该方法包括在沉积室中布置绝缘衬底，并使用离子束沉积将半导体膜沉积到绝缘衬底上，其中沉积期间绝缘衬底的温度不超过250℃。该方法可以产生薄膜晶体管 。 所公开的离子束沉积方法在较低温度和低杂质下形成具有所需光滑度和晶粒尺寸的膜形态。 能够在诸如塑料柔性基底的低熔点基底上沉积半导体膜。

公开(公告)号：KR1020060003197A

公开(公告)日：2006-01-10

申请号：KR1020040052001

申请日：2004-07-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박경배 ,  이윤희 ,  최신호 ,  지아영

IPC: G06Q50/30 ,  G06Q50/00 ,  G06Q30/02

CPC classification number: G06Q50/30 ,  G06Q30/0256 ,  G06Q30/0269 ,  G06Q50/01

Abstract: 본 발명은 프리젠스 서비스 방법 및 장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 프리젠스 서비스 방법은 자신이 포함된 네트워크 내의 통신장치들 중 소정의 통신장치의 사용자를 버디로 등록하고 등록된 사용자의 통신장치의 접속 정보를 관리하는 단계와, 등록된 사용자의 통신장치의 접속 정보를 이용하여 등록된 사용자의 통신장치에게 사용자의 프리젠스 정보를 요청하는 단계, 및 등록된 사용자의 통신장치로부터 프리젠스 정보를 수신하여 버디로 등록된 사용자 별로 프리젠스 정보를 관리하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따르면 특정한 서버에 의하지 않고서도 통신장치들 간에 프리젠스 서비스를 이용할 수 있다.
프리젠스 서비스, 버디