公开(公告)号：KR2019990012353U

公开(公告)日：1999-04-06

申请号：KR2019970025443

申请日：1997-09-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박준수

IPC: H04N5/66

Abstract: 본 고안은 액정 텔레비젼 램프 절환장치에 관한 것으로서, 메인램프와 다른 위치에서 동일한 조도로 발광하는 보조램프; 상기 보조램프에 의한 광이 같은 광로를 거쳐 LCD판넬에 조사되도록 반사시키는 절환미러수단; 상기 메인램프 및 보조램프 중 하나에 전원을 연결하도록 하는 스위치; 그리고 입력부를 통하여 메인램프의 수명이 완료됨이 판단되면 구동부를 통하여 스위치를 작동하는 기능을 추가로 지니는 마이컴을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이에 따라, LCD를 이용한 TV에서 메인램프의 수명이 완료되어 갈 때 자동적으로 보조램프를 작동시켜 편리성을 향상하는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019980013355A

公开(公告)日：1998-04-30

申请号：KR1019960032017

申请日：1996-07-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김용기 ,  박준수 ,  황규환

IPC: H04N5/74

公开(公告)号：KR1019970024604A

公开(公告)日：1997-05-30

申请号：KR1019950039006

申请日：1995-10-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박준수

IPC: H03K19/00 ,  H03K19/20

Abstract: 본 발명은 인버터 회로에 관한 것으로서, 특히 속도가 개선된 BiCMOS(Bipolar CMOS) 인버터 회로에 관한 것이다.
본 발명의 목적을 위하여 제1 바이폴라 트랜지스터와 제2 바이폴라 트랜지스터의 베이스에 pMOS 트랜지스터와 nMOS 트랜지스터를 각각 연결하여 인버터를 구성하고, 제1 바이폴라 트랜지스터의 베이스와 제2 바이폴라 트랜지스터의 베이스에 전류를 방전하기 위한 제1, 제2 CMOS 트랜지스터를 각각 연결한 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, BiMOS 인버터 회로에서 NPN 트랜지스터의 베이스 전류가 방전되게 함으로써, 종래 기술보다 속도를 빠르게하는 개선효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019920015903A

公开(公告)日：1992-08-27

申请号：KR1019910001828

申请日：1991-01-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박준수

IPC: H04N5/72

Abstract: 내용 없음

公开(公告)号：KR200063157Y1

公开(公告)日：1992-02-20

申请号：KR2019880012925

申请日：1988-08-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박준수

IPC: H04N5/57

公开(公告)号：KR2019910006095Y1

公开(公告)日：1991-08-16

申请号：KR2019880012925

申请日：1988-08-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박준수

IPC: H04N5/57

Abstract: 내용 없음.

公开(公告)号：KR102015568B1

公开(公告)日：2019-08-28

申请号：KR1020120093854

申请日：2012-08-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박준수 ,  서정우 ,  윤경렬 ,  김철홍 ,  남석우 ,  박용직

IPC: H01L21/027

公开(公告)号：KR101883294B1

公开(公告)日：2018-07-30

申请号：KR1020120031872

申请日：2012-03-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박준수 ,  윤국한 ,  김준 ,  김철홍 ,  남석우

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/3083 ,  H01L21/0331 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10891 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/24 ,  H01L28/91

Abstract: 미세패턴형성방법이제공된다. 미세패턴형성방법은하부막상에, 제 1 방향으로연장된제 1 하드마스크패턴들을형성하는것, 상기제 1 하드마스크패턴들사이를채우는제 2 하드마스크패턴들을형성하는것, 상기제 1 및제 2 하드마스크패턴들상에서, 상기제 1 방향에수직인제 2 방향으로연장되는제 1 마스크패턴들을형성하는것, 상기제 1 마스크패턴들을식각마스크로이용하여상기제 1 하드마스크패턴들을식각하여제 1 오프닝들을형성하는것, 상기제 1 오프닝들을채우면서상기 2 방향으로연장되는제 2 마스크패턴들을형성하는것, 및상기제 2 마스크패턴들을식각마스크로이용하여상기제 2 하드마스크패턴들을식각하여상기제 1 오프닝들에대해사선(diagonal) 방향에배치되는제 2 오프닝들을형성하는것을포함한다.

公开(公告)号：KR1020170023252A

公开(公告)日：2017-03-03

申请号：KR1020150116746

申请日：2015-08-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김희정 ,  조석원 ,  박준수 ,  하순목

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/02 ,  H01L21/762 ,  H01L21/033 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L27/10894 ,  H01L27/11582 ,  H01L28/00

Abstract: 반도체소자의제조방법을제공한다. 방법은, 반전 DPT 공정으로다수의홀들을포함하는마스크패턴을형성하는것과, 반전 DPT 공정을수행하는동안주변영역을블로킹하는것을포함한다. 주변영역을블로킹한후, 셀영역에반전 DPT 공정을수행하여공정을보다효율적으로진행할수 있다. 반전 DPT 공정을수행하여액티브영역들을한정하는트렌치를형성함으로써다수의노광단계를생략할수 있다.

Abstract translation: 制造半导体器件的方法包括在衬底上形成第一单元图形，相对于第一单元图案形成第一层，并在第一层上形成第二单元图案和周边图案。 第二单元图案包括单元区域中的第一孔，并且外围图案位于周边区域中。 该方法还包括填充第一孔，去除第二细胞图案以暴露柱，以及形成第二孔。 每个第二孔对应于柱的相邻电池间隔件。 该方法还包括移除柱以形成对应于各个单元间隔物的第三孔，并且使用电池间隔件，第一电池图案和外围图案作为蚀刻掩模蚀刻衬底以形成沟槽。

公开(公告)号：KR1020170008925A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：KR1020150099875

申请日：2015-07-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이준노 ,  김영국 ,  강상열 ,  박준수 ,  임기빈

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10855 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10888

Abstract: 반도체소자를제공한다. 반도체소자는트랜지스터와커패시터를연결하는콘택플러그및 콘택패드를포함한다. 콘택패드가에치백공정을통해형성됨으로써, 콘택플러그와자기정렬되며추가포토공정을생략할수 있다. 커패시터의하부전극은저면이폐쇄된실린더형상의하부와, 하부의중심으로부터일 측으로벗어난중심을가지며하부로부터연장된실린더형상의상부를포함한다.

Abstract translation: 制造半导体器件的方法可以包括在衬底上沿第一方向和第一绝缘图案之间形成彼此间隔开的接触焊盘; 在所述第一绝缘图案之间形成第一孔并且具有邻近所述接触垫的顶表面的底端; 在第二绝缘图案之间形成第二孔，并在垂直于第一方向的第二方向上与第一孔的部分部分重叠; 以及形成包括第一部分的底部电极层，以覆盖第一孔的底端和第二孔的侧壁。 在形成第一和第二孔时，第一和第二孔同时形成。