公开(公告)号：KR1020130082289A

公开(公告)日：2013-07-19

申请号：KR1020120003419

申请日：2012-01-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김규식 ,  이광희 ,  임동석 ,  박경배 ,  임선정

IPC: H01L51/30 ,  C07D487/04 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/5044 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0072 ,  Y02E10/549

Abstract: PURPOSE: An organic semiconductor, a photoactive layer including the same, and a photoelectric conversion device are provided to improve photoelectric conversion efficiency by efficiently transmitting holes and electrons to an electrode after excitons are separated into the holes and the electrons. CONSTITUTION: A front electrode (150) faces a rear electrode (110). The rear electrode includes metal or transparent conductive materials. A photoactive layer (130) is located between the front electrode and the rear electrode. The photoactive layer includes an i-type layer. The i-type layer is formed with a bulk heterojunction structure including an organic semiconductor. The i-type layer is located near the front electrode and the rear electrode.

Abstract translation: 目的：提供有机半导体，包含该有机半导体的光活性层和光电转换装置，以通过在将激子分离成空穴和电子之后将空穴和电子高效地传输到电极来提高光电转换效率。 构成：前电极（150）面向后电极（110）。 后电极包括金属或透明导电材料。 光电活性层（130）位于前电极和后电极之间。 光活性层包括i型层。 i型层由包括有机半导体的本体异质结结构形成。 i型层位于前电极和后电极附近。

公开(公告)号：KR101281167B1

公开(公告)日：2013-07-02

申请号：KR1020060116057

申请日：2006-11-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박경배 ,  권장연 ,  이상윤 ,  정지심

IPC: H05B33/02 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L27/1251 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78696

Abstract: 적은 공정수와 간단하고 쉬운 공정으로 제조될 수 있도록 그 구조가 개선된 유기발광 디스플레이의 단위 화소부 구동소자가 개시된다. 본 발명에 따른 유기발광 디스플레이의 단위 화소부 구동소자는, 기판 상에 형성된 상호 연결된 한 조의 스위칭용 트랜지스터와 구동용 트랜지스터를 포함하고, 상기 스위칭용 트랜지스터는 순차적층된 제1 비정질 실리콘층과 제1 다결정 실리콘층을 포함하는 제1 듀얼채널층; 및 상기 제1 듀얼채널층의 하부에 형성되어 상기 제1 비정질 실리콘층과 마주하는 제1 게이트 전극;을 구비하는 하부 게이트 구조로 형성되고, 상기 구동용 트랜지스터는 순차적층된 제2 비정질 실리콘층과 제2 다결정 실리콘층을 포함하는 제2 듀얼채널층: 및 상기 제2 듀얼채널층의 상부에 형성되어 상기 제2 다결정 실리콘층과 마주하는 제2 게이트 전극;을 구비하는 상부 게이트 구조로 형성된다.

公开(公告)号：KR1020130047367A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：KR1020110112341

申请日：2011-10-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임동석 ,  김규식 ,  박경배 ,  이광희 ,  임선정

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L51/4246 ,  H01L51/4273 ,  Y02E10/549

Abstract: PURPOSE: A photodiode is provided to reduce a dark current by locating a buffer layer between a photoelectric conversion layer and an anode. CONSTITUTION: A photoelectric conversion layer(110) is located between an anode(120) and a cathode(130). The photoelectric conversion layer includes an intrinsic layer. A buffer layer(140) is located between the photoelectric conversion layer and the anode. The buffer layer includes a dual layer structure of an organic layer and an inorganic layer. The organic layer is closer to the anode in comparison to the inorganic layer.

Abstract translation: 目的：提供光电二极管，通过在光电转换层和阳极之间设置缓冲层来减少暗电流。 构成：光电转换层（110）位于阳极（120）和阴极（130）之间。 光电转换层包括本征层。 缓冲层（140）位于光电转换层和阳极之间。 缓冲层包括有机层和无机层的双层结构。 与无机层相比，有机层更靠近阳极。

公开(公告)号：KR1020130028488A

公开(公告)日：2013-03-19

申请号：KR1020110092085

申请日：2011-09-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박경배 ,  김규식 ,  진용완 ,  이광희 ,  임동석 ,  임선정

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L51/4253 ,  H01L51/426 ,  Y02E10/549

Abstract: PURPOSE: A photo diode is provided to improve photoreaction by using a hole barrier layer positioned between an intrinsic layer and a cathode. CONSTITUTION: An intrinsic layer(110) is positioned between an anode(120) and a cathode(130). The intrinsic layer includes a P-type semiconductor and an N-type semiconductor. The composition ratio of the P-type semiconductor and the N-type semiconductor is changed according to the position of the intrinsic layer.

Abstract translation: 目的：提供光电二极管以通过使用位于本征层和阴极之间的空穴阻挡层来改善光反应。 构成：本征层（110）位于阳极（120）和阴极（130）之间。 本征层包括P型半导体和N型半导体。 P型半导体和N型半导体的组成比根据本征层的位置而改变。

公开(公告)号：KR101206038B1

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：KR1020060129656

申请日：2006-12-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김종만 ,  박경배 ,  권장연 ,  정지심

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78621 ,  H01L29/66757

Abstract: 본 발명에 따른 박막 트랜지스터의 제조방법은, 기판 상에 비정질 실리콘층을 형성하는 단계, 상기 비정질 실리콘층을 결정화하여 폴리실리콘층을 형성하는 단계, 상기 폴리실리콘층 상에 절연막을 형성하는 단계, 상기 절연막 상에 형성되어 상기 폴리실리콘층의 일부영역을 마스킹하는 것으로 순차적층된 게이트 마스크와 포토레지스트층을 포함하는 마스크 구조체를 형성하는 단계, 상기 마스크 구조체에 의해 가려지지 않는 폴리실리콘층의 일단부 및 타단부에 이온빔 임플란테이션 방법에 의해 제1 농도의 불순물을 주입하여 상기 폴리실리콘층에 소오스와 드레인 영역 및 이들 사이에 개재되는 채널영역을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트층에 이온빔을 조사하여 상기 포토레지스트층을 수축시킴으로써 상기 게이트 마스크의 일단부 및 타단부를 돌출시키는 단계, 상기 수축된 포토레지스트층을 식각마스크로 이용하여 상기 수축된 포토레지스트층과 같은 너비(width)로 상기 게이트 마스크 및 절연막을 식각하여 게이트 전극 및 게이트 절연막을 형성하는 단계 및 상기 게이트 절연막과 소오스영역 사이로 노출된 상기 채널영역의 일단부 및 상기 게이트 절연막과 드레인영역 사이로 노출된 상기 채널영역의 타단부 각각에 상기 제1 농도 보다 적은 제2 농도의 불순물을 주입하여 LDD 영역을 형성하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR101124503B1

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：KR1020050055111

申请日：2005-06-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 선우문욱 ,  조세영 ,  타카시노구치 ,  박영수 ,  장샤오신 ,  후아샹잉 ,  임혁 ,  박경배 ,  김석필

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C30B29/06 ,  Y10T428/10

Abstract: 본 발명은 그레인 크기가 크고 배향성이 우수한 실리콘 박막을 제조에 관하여 개시한다.
개시된 방법은: 고배향성 실리콘층 형성방법 및 고배향성 실리콘층 적층기판에 관한 것으로, 기판 상에 알루미늄층을 형성하는 단계; 알루미늄층을 고배향성 알루미늄층으로 결정화하는 단계; 상기 고배향성 다결정 알루미늄층 상에 γ-Al
2 O
3 층을 형성하는 단계; 및 상기 γ-Al
2 O
3 층 상에 실리콘층을 에피성장시키는 단계를 포함하여, 이동도가 높은 반도체 소자를 얻을 수 있게 한다.
이동도, 고배향성, 그레인, 다결정성, 에피성장

公开(公告)号：KR101100426B1

公开(公告)日：2011-12-30

申请号：KR1020050038986

申请日：2005-05-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 타카시노구치 ,  조세영 ,  선우문욱 ,  김도영 ,  권장연 ,  후아샹잉 ,  박경배 ,  장샤오신

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L21/84 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1108 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7842 ,  Y10S257/903

Abstract: 단결정 실리콘층을 포함하는 반도체 소자, 이를 포함하는 반도체 장치 및 평면표시장치와 반도체 소자의 제조 방법에 관해 개시되어 있다. 여기서 본 발명은 기판, 상기 기판에 형성된 P-MOS 단결정 박막 트랜지스터 및 상기 P-MOS 단결정 박막 트랜지스터 상에 구비된 N-MOS 단결정 박막 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자와 이를 포함하는 반도체 장치 및 평면표시장치와 상기 반도체 소자의 제조 방법을 제공한다. 상기 반도체 소자에서 상기 P-MOS 단결정 박막 트랜지스터의 소오스 영역과 상기 N-MOS 단결정 박막 트랜지스터의 소오스 영역은 서로 연결되어 있을 수 있다. 그리고 상기 P-MOS 단결정 박막 트랜지스터와 N-MOS 단결정 박막 트랜지스터는 공통 게이트를 가질 수도 있다. 또한, 상기 P-MOS 단결정 박막 트랜지스터는 결정면이 (100)이고, 결정방향이 인 단결정 실리콘층을 포함하고, 상기 N-MOS 단결정 박막 트랜지스터는 상기 P-MOS 단결정 박막 트랜지스터와 동일한 결정 방향을 갖고, 상기 P-MOS 단결정 박막 트랜지스터의 상기 단결정 실리콘층보다 큰 텐사일 스트레스(tensile stress)를 갖는 단결정 실리콘층을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020100092878A

公开(公告)日：2010-08-23

申请号：KR1020100007951

申请日：2010-01-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 선종백 ,  이상윤 ,  박정일 ,  류명관 ,  박경배

IPC: C09D1/00 ,  H01L29/786

CPC classification number: C09D1/00 ,  H01L21/02565 ,  H01L29/26 ,  H01L29/7869

Abstract: PURPOSE: A solution composition, a thin film formation method using thereof, and a manufacturing method of a thin film transistor are provided to simplify the manufacturing process, and to improve the property of the thin film transistor. CONSTITUTION: A solution composition for manufacturing an oxide thin film contains a first compound including zinc, a second compound including indium, and a third compound including more than one metal or semi-metal selected from the group consisting of hafnium, magnesium, tantalum, cerium, lanthanum, silicon, germanium, vanadium, niobium, and yttrium.

Abstract translation: 目的：提供一种溶液组合物，其薄膜形成方法和薄膜晶体管的制造方法，以简化制造工艺，并提高薄膜晶体管的性能。 构成：用于制造氧化物薄膜的溶液组合物含有包含锌的第一化合物，包含铟的第二化合物和包含多于一种选自铪，镁，钽，铈的金属或半金属的第三化合物 ，镧，硅，锗，钒，铌和钇。

公开(公告)号：KR1020090052229A

公开(公告)日：2009-05-25

申请号：KR1020070118828

申请日：2007-11-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박경배 ,  이상윤 ,  류명관 ,  김태상 ,  권장연 ,  손경석 ,  정지심

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02667 ,  H01L21/20 ,  H01L21/2022 ,  H01L29/66765

Abstract: 결정질 실리콘 박막 및 이를 적용하는 박막 트랜지스터의 제조방법이 개시된다. 개시된 결정질 실리콘 박막의 제조방법은 기판 상에 격자 구조를 가지는 버퍼층을 형성하는 단계; 버퍼층 상에 실리콘 결정을 성장시키는 단계;를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020080058897A

公开(公告)日：2008-06-26

申请号：KR1020060133094

申请日：2006-12-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정지심 ,  한정석 ,  이상윤 ,  김종만 ,  권장연 ,  박경배

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3262

Abstract: A method for manufacturing a unit pixel driving device of an organic light emitting display is provided to improve a manufacturing process by forming simultaneously channels of a switching transistor and a driving transistor. An amorphous silicon layer including a first and second amorphous regions is formed on a substrate(10). The first and second amorphous regions are formed on the same plane. A hydrophobic self-assembled monolayer is formed on the first amorphous region. A solution including nickel particles is coated on the second amorphous region and the hydrophobic self-assembled monolayer by using a hydrophilicity difference so that the amount of nickel particles of the second amorphous region is larger than the amount of nickel particles of the hydrophobic self-assembled monolayer. The hydrophobic self-assembled monolayer is evaporated by an annealing process. A first and second crystalline regions are formed by crystallizing the first and second amorphous regions. A first and second channel regions are formed by patterning the first and second crystalline regions. A first and second electrodes(50,60) are formed on the first and second channel regions.

Abstract translation: 提供一种用于制造有机发光显示器的单位像素驱动装置的方法，以通过同时形成开关晶体管和驱动晶体管的沟道来改善制造工艺。 在基板（10）上形成包括第一和第二非晶区域的非晶硅层。 第一和第二非晶区域形成在同一平面上。 在第一非晶区上形成疏水性自组装单层。 通过使用亲水性差异将包含镍颗粒的溶液涂覆在第二非晶区域和疏水性自组装单层上，使得第二非晶区域的镍颗粒的量大于疏水性自组装的镍颗粒的量 单层。 疏水性自组装单层通过退火工艺蒸发。 第一和第二结晶区域通过使第一和第二非晶区域结晶而形成。 通过图案化第一和第二晶体区域形成第一和第二沟道区域。 第一和第二电极（50,60）形成在第一和第二沟道区上。