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公开(公告)号:KR101603775B1
公开(公告)日:2016-03-18
申请号:KR1020090033846
申请日:2009-04-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 채널층및 그를포함하는트랜지스터에관해개시되어있다. 개시된채널층은다층구조일수 있다. 상기채널층을구성하는층들은이동도(mobility) 및/또는캐리어밀도(carrier density)가서로다를수 있다. 상기채널층은하부층과상부층으로갖는이중층구조일수 있고, 상기하부층과상부층은서로다른산화물층일수 있다. 상기하부층및 상부층의물질및 두께등에따라트랜지스터의특성이제어될수 있다.
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公开(公告)号:KR1020150054179A
公开(公告)日:2015-05-20
申请号:KR1020130136302
申请日:2013-11-11
CPC classification number: G10K15/046 , B06B1/00
Abstract: 레이저유도초음파발생장치및 그제조방법이개시된다. 개시된제1면에복수의나노구조가형성된기판과, 상기기판의상기제1면상에서상기기판으로입사된레이저빔을흡수하여초음파를발생하는열탄성층을포함한다. 상기나노구조는실린더형상의나노필라일수 있다.
Abstract translation: 提供激光诱导超声波发生器及其制造方法,以提高超声波的产生效率。 本发明的激光诱导超声波发生器包括:在第一表面上具有多个纳米结构的基板; 以及吸收在基板的第一表面上入射到基板的激光束并产生超声波的热弹性层。 纳米结构可以是圆柱形的纳米柱。
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公开(公告)号:KR101515468B1
公开(公告)日:2015-05-06
申请号:KR1020080126533
申请日:2008-12-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/133 , G02F1/1335 , G02F1/167
Abstract: 표시장치 및 그 동작방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 표시장치에서는 패널의 턴-오프(turn-off) 후, 표시 영상이 10msec 이상 유지될 수 있다. 상기 표시장치는 산화물 박막트랜지스터를 포함하는 액정표시장치일 수 있고, 상기 산화물 박막트랜지스터의 오프-누설전류는 10
-14 A 이하일 수 있다.Abstract translation: 公开了一种显示装置及其操作方法。 在所公开的显示装置中,在面板关闭之后,显示图像可以保持10毫秒或更长。 显示装置可以是包括氧化物薄膜晶体管的液晶显示装置,并且氧化物薄膜晶体管的截止泄漏电流可以是10
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公开(公告)号:KR101513601B1
公开(公告)日:2015-04-21
申请号:KR1020080021567
申请日:2008-03-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/78 , G02F1/136
Abstract: 트랜지스터에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명의 트랜지스터는 채널층, 상기 채널층의 양단에 각각 접촉된 소오스 및 드레인, 상기 채널층과 이격된 게이트전극, 상기 채널층과 상기 게이트전극 사이에 구비된 게이트절연층, 및 상기 채널층과 상기 게이트절연층 사이에 구비된 것으로 상기 채널층과 일함수가 다른 삽입층을 포함한다.
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公开(公告)号:KR101468590B1
公开(公告)日:2014-12-04
申请号:KR1020070126376
申请日:2007-12-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
Abstract: 본발명은산화물반도체및 이를포함하는박막트랜지스터에관한것이다. Zn 원자및 Hf 원자를포함하는산화물반도체및 이를포함하는박막트랜지스터를제공한다.
Abstract translation: 本发明涉及氧化物半导体和包括该氧化物半导体的薄膜晶体管。 包含Zn原子和Hf原子的氧化物半导体以及包含该氧化物半导体的薄膜晶体管。
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公开(公告)号:KR101413658B1
公开(公告)日:2014-07-07
申请号:KR1020090038461
申请日:2009-04-30
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/786
Abstract: 반도체 소자 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 반도체 소자는 p형 산화물 박막트랜지스터 및 n형 산화물 박막트랜지스터를 포함하는 상보성(complementary) 소자일 수 있다. 예컨대, 개시된 반도체 소자는 인버터(inverter), NAND 소자, NOR 소자 등과 같은 논리소자일 수 있다.
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公开(公告)号:KR101413657B1
公开(公告)日:2014-07-02
申请号:KR1020080119942
申请日:2008-11-28
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/786
Abstract: 반도체 소자 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 반도체 소자는 p형 산화물 박막트랜지스터 및 n형 산화물 박막트랜지스터를 포함하는 상보성(complementary) 소자일 수 있다. 예컨대, 개시된 반도체 소자는 인버터(inverter), NAND 소자, NOR 소자 등과 같은 논리소자일 수 있다.
Abstract translation: 公开了一种半导体器件及其制造方法。 所公开的半导体器件可以是包括p型氧化物薄膜晶体管和n型氧化物薄膜晶体管的互补装置。 例如,所公开的半导体器件可以是诸如反相器,NAND器件,NOR器件等的逻辑器件。
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公开(公告)号:KR1020140060172A
公开(公告)日:2014-05-19
申请号:KR1020120126943
申请日:2012-11-09
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: F21V23/009 , G06F3/03545
Abstract: Disclosed is a color light pen for an electronic panel. The disclosed color light pen for an electronic panel comprises a tip part and a pen body part; a pressure sensor which is disposed on the tip part and detects the contact between a display part of a terminal device and the tip part; a light source which is disposed on the pen body part and outputs light to the outside through the tip part according to a detection signal of the pressure sensor; a color selection switch which is exposed on the pen body part to enable a user to select color to be used when the user writes or draws on the display part of the terminal device; and a driver part which drives the light source to vary a frequency or pattern of the light to be outputted from the light source according to the color selected by the user.
Abstract translation: 公开了一种用于电子面板的彩色笔。 所公开的用于电子面板的彩色笔包括尖端部分和笔体部分; 压力传感器,设置在前端部上,检测端子装置的显示部与前端部之间的接触; 光源,其设置在笔体部分上,并根据压力传感器的检测信号通过顶端部向外部输出光; 一种颜色选择开关,其被暴露在笔体部分上,以使用户能够在用户在终端设备的显示部分上写入或绘制时选择要使用的颜色; 以及驱动器部件,其驱动光源以根据用户选择的颜色来改变要从光源输出的光的频率或图案。
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公开(公告)号:KR1020140058278A
公开(公告)日:2014-05-14
申请号:KR1020120125085
申请日:2012-11-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/2454 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L27/2463
Abstract: Disclosed are a resistive memory device, a resistive memory array and a method of manufacturing the resistive memory device. The disclosed resistive memory device has a structure where a source, a channel, a drain, and a memory resistance layer are successively formed in one direction. The resistive memory device having a gate electrode which is formed to surround a channel around the channel can be provided.
Abstract translation: 公开了电阻式存储器件,电阻存储器阵列和制造电阻式存储器件的方法。 所公开的电阻式存储器件具有在一个方向依次形成源极,沟道,漏极和存储电阻层的结构。 可以提供具有形成为围绕通道周围的通道的栅电极的电阻式存储器件。
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