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公开(公告)号：KR101315644B1
公开(公告)日：2013-10-08
申请号：KR1020120074401
申请日：2012-07-09
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/042 , H01L31/18
Abstract: PURPOSE: A solar cell and a manufacturing method thereof are provided to reduce the reflectivity of incident light by forming second structures on the surfaces of first structures. CONSTITUTION: First structures are formed on the front surface of a silicon substrate (S110). Second structures are formed on each surface of the first structures (S130). An antireflection layer is formed on the front surface of the silicon substrate with the first and second structures (S150). A first electrode pattern is formed on the upper surface of the antireflection layer (S170). A second electrode pattern is formed on the rear surface of the silicon substrate (S190). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S110) First structures are formed on the front surface of a silicon substrate; (S130) Second structures are formed on each surface of the first structures; (S150) Antireflection layer is formed on the front surface of the silicon substrate; (S170) First electrode pattern is formed on the upper surface of the antireflection layer; (S190) Second electrode pattern is formed on the rear surface of the silicon substrate
Abstract translation: 目的：提供太阳能电池及其制造方法，以通过在第一结构的表面上形成第二结构来减少入射光的反射率。 构成：在硅衬底的前表面上形成第一结构（S110）。 在第一结构的每个表面上形成第二结构（S130）。 在第一和第二结构的硅衬底的前表面上形成防反射层（S150）。 第一电极图案形成在防反射层的上表面上（S170）。 在硅衬底的后表面上形成第二电极图案（S190）。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S110）在硅衬底的前表面上形成第一结构; （S130）在第一结构的每个表面上形成第二结构; （S150）在硅衬底的前表面上形成防反射层; （S170）第一电极图案形成在防反射层的上表面上; （S190）在硅衬底的后表面上形成第二电极图案
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公开(公告)号：KR101303594B1
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：KR1020110121890
申请日：2011-11-21
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/0445 , H01L31/075 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 표면 텍스처가 형성된 유리기판의 상면에 박막형 태양전지를 제조함으로써 종래의 박막형 태양전지에 비해 단면적을 증가시키며, 표면 텍스처가 형성된 3차원 형태의 유리기판에 입사된 빛이 표면에서 반사되는 것을 감소시키고 동시에 태양전지 구조 내에서 다중 반사가 일어나게 되어 단락전류 특성을 향상시켜, 초고효율을 나타낼 수 있는 박막형 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR101289277B1
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：KR1020100116147
申请日：2010-11-22
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/06 , H01L31/04 , H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 표면 텍스처링된 실리콘 웨이퍼를 이용하여 표면 텍스처링되고 PN 접합이 형성된 3차원 형상의 실리콘 기판을 제조한 후, 그 위에 광대역의 박막 적층체를 형성하여 텐덤형의 실리콘 태양전지를 제조함으로써 종래의 박막 실리콘 태양전지에 비해 단면적을 증가시켜 높은 전류를 생성하여 초고효율을 나타내는 실리콘 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1020120054828A
公开(公告)日：2012-05-31
申请号：KR1020100116147
申请日：2010-11-22
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/06 , H01L31/04 , H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/06 , H01L31/0236 , H01L31/04
Abstract: PURPOSE: A silicon solar cell which has super high efficiency and a manufacturing method thereof are provided to improve energy conversion efficiency by laminating a thin film laminated body on the upper surface of a silicon substrate. CONSTITUTION: A surface texturing process is performed on a silicon substrate(100). The silicon substrate forms a P-N junction. A rear electrode(110) is formed on the rear side of the silicon substrate. A thin film laminated body(120) is formed on the upper surface of the silicon substrate. A front electrode(130) is formed on the upper surface of the thin film laminated body.
Abstract translation: 目的：提供一种具有超高效率的硅太阳能电池及其制造方法，其通过在硅基板的上表面层叠薄膜层叠体来提高能量转换效率。 构成：在硅衬底（100）上执行表面纹理化处理。 硅衬底形成P-N结。 背面电极（110）形成在硅衬底的后侧。 在硅衬底的上表面上形成薄膜叠层体（120）。 在薄膜层叠体的上表面上形成前电极（130）。
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55.发明授权플라즈마 증착 기술을 이용한 나노결정 실리콘막 구조체, 그의 형성방법, 나노결정 실리콘막 구조체를 구비하는 비휘발성 메모리 소자 및 그의 형성방법 有权使用等离子体沉积技术的纳米晶硅层，其方法，具有纳米晶硅层的非易失性存储器件及其方法
公开(公告)号：KR101135422B1
公开(公告)日：2012-04-13
申请号：KR1020080128318
申请日：2008-12-17
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/8247 , H01L21/205
Abstract: PURPOSE: A nano crystal silicon layer structure using plasma deposition technology, a nonvolatile memory device including the same, and forming methods thereof are provided to reduce manufacturing processes of the nonvolatile memory device by directly depositing the nano crystal silicon layer on the glass substrate. CONSTITUTION: A gate electrode(55) is formed on a substrate(51). A multilayer insulation layer(63) is formed on a gate electrode. A first nano crystal silicon layer(65) is formed on the multilayer insulation layer using plasma deposition technology using gas containing hydrogen and silicon on the multilayer insulation layer. A metal electrode layer is formed on the first nano crystal silicon layer. A source electrode(69) and a drain electrode(71) are formed by patterning a metal electrode layer.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101127076B1
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：KR1020100024691
申请日：2010-03-19
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 인 또는 붕소를 포함한 용액에 폴리에틸렌글리콜을 포함하는 블록공중합체를 혼합하여 제조된 도핑 페이스트 및 이를 사용하여 태양전지용 기판에 선택적 이미터를 형성하는 방법에 관한 것이다. 태양전지용 실리콘 기판에 본 발명의 도핑 페이스트를 사용하여 이미터를 형성하는 경우 폴리에틸렌글리콜을 포함하는 블록공중합체의 함량을 조절하여 점도를 조절하여 온도 차가 심한 계절적 변화 요인을 줄일 수 있고, 이미터 형성을 위한 재료를 상온에서 용이하게 제조할 수 있으며, 인이나 붕소 성분의 확산에 의한 도핑이 이루어져 PN 접합이 생성될 때 온도의 높낮이에 따라 확산 깊이나 농도가 결정되므로 온도와 도핑 페이스트의 농도에 따른 실리콘 기판의 개방 전압과 전류 밀도를 최적화할 수 있다.
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公开(公告)号：KR101090397B1
公开(公告)日：2011-12-06
申请号：KR1020090101064
申请日：2009-10-23
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 나노 다공성 구조를 가진 선택적 패턴이 형성된 실리콘 기판 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 실리콘 태양전지에 사용될 수 있는 실리콘 기판으로, 포토리소그래피 방법을 사용하여 선택적 패턴이 형성된 실리콘 기판 표면에 나노 다공성 구조를 형성함으로써 반사도를 감소시키며, 캐리어의 수명을 향상시킬 수 있고 개방 전압을 향상시켜 광전변환 효율을 향상시킬 수 있는, 나노 다공성 구조를 가진 선택적 패턴이 형성된 실리콘 기판 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
태양전지, 실리콘 기판, 나노 다공성 구조, 선택적 패턴-
公开(公告)号：KR101073488B1
公开(公告)日：2011-10-17
申请号：KR1020090134034
申请日：2009-12-30
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/0445
CPC classification number: H01L31/035281 , H01L31/075 , Y02E10/548
Abstract: 본발명은알루미늄, 티타늄, 크롬, 몰리브덴및 텅스텐으로이루어진군으로부터선택된금속으로제조된금속와이어; 상기금속와이어외부에증착되어발생된전자를전도하는 n-타입층; 상기 n-타입층 상부에증착되어태양광을받아여기된전자를방출시키는 p-타입층; 및상기 p-타입층 상부에증착되는투명전극층을포함하는와이어형박막태양전지를제공한다. 본발명은종래의평판형박막태양전지에비해광전변환효율을향상시킬수 있으며고밀도태양전지모듈의제작이용이한와이어형박막태양전지및 이의제조방법을제공할수 있다.
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公开(公告)号：KR101062998B1
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：KR1020080128316
申请日：2008-12-17
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/205 , H01L27/115 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L21/02532 , H01L21/02436 , H01L21/02595 , H01L21/0262 , H01L21/28282 , H01L29/04 , H01L29/6675 , H01L29/66833 , H01L29/7881 , H01L29/792
Abstract: 본 발명은 플라즈마 증착 기술을 이용한 나노결정 실리콘막 구조체, 그의 형성방법, 나노결정 실리콘막 구조체를 구비하는 비휘발성 메모리 소자 및 그의 형성방법에 관한 것으로, 나노결정 실리콘막 구조체의 형성방법에 있어서, 기판 상에 버퍼막을 형성하는 단계 및 상기 버퍼막 상에 실리콘과 수소의 각각을 함유하는 가스를 이용한 플라즈마 증착 기술로 나노결정 실리콘막을 형성하는 단계를 포함한다.
상기와 같은 플라즈마 증착 기술을 이용한 나노결정 실리콘막 구조체, 그의 형성방법, 나노결정 실리콘막 구조체를 구비하는 비휘발성 메모리 소자 및 그의 형성방법에 의해, 종래기술에서와 같은 후처리 공정을 수행하지 않고 플라즈마 기상 증착법으로 유리기판 상에 나노결정 실리콘막을 직접 증착함으로써 비휘발성 메모리 소자의 제조공정을 줄여 제조단가를 낮출 수 있다.
비휘발성 메모리 소자, 나노결정, 실리콘, 플라즈마, 평판형 디스플레이-
60.发明公开
公开(公告)号：KR1020110028947A
公开(公告)日：2011-03-22
申请号：KR1020090086598
申请日：2009-09-14
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/04 , H01L31/18
Abstract: PURPOSE: A solar cell surface damage removing method and a solar cell manufacturing method using the same are provided to improve the process efficiency remarkably by preventing the surface damage of the solar cell with simple method of dipping a solar cell substrate in the nitride solution. CONSTITUTION: An emitter layer(110) is formed by injecting the impurity material of second conductive type into a substrate(100). A front side reflection barrier layer(120) is formed on the emitter layer in order to lower the reflectivity of sunlight. A front electrode is formed to pass through the front side reflection barrier layer and contact the emitter layer.
Abstract translation: 目的：提供太阳能电池表面损伤去除方法和使用其的太阳能电池制造方法，以通过以太阳能电池基板浸渍在氮化物溶液中的简单方法防止太阳能电池的表面损伤来显着提高工艺效率。 构成：通过将第二导电类型的杂质材料注入衬底（100）而形成发射极层（110）。 为了降低太阳光的反射率，在发射极层上形成前侧反射阻挡层（120）。 前电极形成为穿过前侧反射阻挡层并接触发射极层。
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