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公开(公告)号：KR102204399B1
公开(公告)日：2021-01-18
申请号：KR1020190107616
申请日：2019-08-30
Applicant: 주식회사 쎄코 , 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은일산화질소전달용블록공중합체및 이의제조방법에관한것으로서, 보다상세하게는고분자주쇄에 NO 가스수용체를가지는브러쉬가도입되어 NO 가스를효과적으로전달할수 있는일산화질소전달용블록공중합체및 이의제조방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR101947594B1
公开(公告)日：2019-02-14
申请号：KR1020170047902
申请日：2017-04-13
Applicant: 주식회사 쎄코 , 포항공과대학교 산학협력단 , 단국대학교 천안캠퍼스 산학협력단
IPC: C08F220/18 , C08F220/30 , C08F220/34 , C08F220/26 , C08F220/56 , C09D133/08 , C08J7/04
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公开(公告)号：KR1020170140659A
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：KR1020160073251
申请日：2016-06-13
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: G01N23/227 , H01L31/08
Abstract: 본발명은전자소재분석을위한무전극전하주입방법및 이를이용한전자소재분석방법에관한것으로, 한쪽금속전극을생략하고외부전자또는빛을시료표면에조사하여전하를주입시키고, 시료내부에전압을인가하고, 전자또는빛의조사에의해발생된전류및 인가전압을이용해상전이를유도하여상전이를측정하여전자소재를분석함으로써금속전극생략및 비파괴분광및 산란실험을가능하게하고, 기존에상전이소재의 I-V 특성을분석하기위해서는패터닝공정을포함하는금속전극형성과정이반드시필요하였으나본 발명의방법을이용하면소재가박막형태에서바로 I-V특성을확인해볼 수있어서금속전극형성을위한공정비용과관련노력을획기적으로줄일수 있으며, 전자또는전공에의한전류를제어할수 있어서전하수송자의종류에따른전류및 관련현상을탐구할수 있는기회를제공할뿐만아니라금속전극을이용한 I-V특성분석에서금속/소재계면의불완전성에기인한불필요한부가효과(계면효과)를배제할수 있는각별한장점이있는유용한발명이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种无电极的电荷注入方法及电子材料分析方法，使用相同的用于电子材料的分析，并跳过一个金属电极，和注入电荷通过照射外部电子或光到样品表面上，一个电压施加到所述内部采样 的应用，并且通过测量的相变来导出与所述电流和引起的电子或光的照射的电压施加用的相转变分析所述电子元件材料，并且使金属电极被省略并且非破坏性光谱和散射实验中，相位变化到现有材料 为了使用本发明为包括所需图案化工艺的金属电极形成处理的方法，如果该材料是该方法的成本和相关的努力，金属电极的形成方法可以以薄膜形式检查右IV特性来分析IV特性 它可以通过电子或电场急剧减小和控制电流，因此可以根据载流子的种类探测电流和相关现象 它提供了具有能够排除由于使用金属电极的I-V特性分析金属/材料界面的缺陷的不想要的副作用（表面效应），以及特定的优点的有用的发明。
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公开(公告)号：KR101651332B1
公开(公告)日：2016-08-26
申请号：KR1020140107919
申请日：2014-08-19
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: C08F228/06 , C08F28/06 , C08L41/00 , C08L101/02 , H01L51/00
Abstract: 본발명은황을포함하는헤테로사이클기능기가말단에도입된브러쉬고분자및 그제조방법과그 응용에관한것이다. 발명된고분자는상부전극과하부전극사이에서이 고분자를활성층으로하는디지털메모리소자로써응용이가능하다.본발명에따른고분자는적어도일부의브러쉬말단에황을포함하는헤테로사이클관능기를가지는메모리소자용폴리비닐브러쉬고분자이다.
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Patent Agency Ranking55.发明公开디지털 메모리 특성 브러쉬 폴리에테르 블록 공중합체 고분자, 이의 제조방법 및 이를 이용하는 메모리 소자 有权用于存储器件的数字存储器件BRUSH聚醚嵌段共聚物，其制备方法和包含聚合物的产品
公开(公告)号：KR1020150044051A
公开(公告)日：2015-04-24
申请号：KR1020130122416
申请日：2013-10-15
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: C08G65/00 , C08G65/32 , C08G65/325 , C08G65/326 , H01L27/28
Abstract: 본발명은디지털메모리특성을가지는폴리에테르고분자및 그제조방법에관한것으로서, 보다상세하게는브러쉬말단에디지털메모리특성을가지는화합물이형성되는폴리에테르브러쉬고분자물질과그 합성, 및발명된고분자를상부전극과하부전극사이에서고분자를활성층으로이용하여제조되는비휘발성메모리소자에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种具有数字记忆性质的聚醚聚合物及其制造方法，更具体地涉及作为刷子端部具有数字记忆性的化合物的聚醚刷聚合物和非挥发性的 通过使用合成和发明的聚合物作为上电极和下电极之间的活性层制造的记忆装置。
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公开(公告)号：KR101180063B1
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：KR1020100031604
申请日：2010-04-07
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: C08G73/10 , C08L79/08 , H01L27/115
CPC classification number: H01L51/0035 , C08G73/101 , G11C13/0016 , G11C13/04 , G11C2213/15 , G11C2213/72 , H01L51/0002 , H01L51/0591 , H01L51/0595
Abstract: 본 발명은 고분자 메모리 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 고분자 메모리 소자에 사용될 수 있는 새로운 광가교성 고분자 화합물과 광가교 폴리이미드 고분자를 상부 전극과 하부 전극사이에서 활성층에 포함하는 새로운 비휘발성 메모리 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 고분자 메모리 소자는 하기 화학식으로 표현되는 광가교 폴리이미드 고분자를 활성층으로 사용한다.
(I)-
57.发明公开카르보하이드레이트 및 카르보하이드레이트 미믹을 브러쉬 말단으로 가지는 자기조립성 고분자의 합성 및 응용 有权含有自组装的用于生物应用的自组织的基于聚醚的聚合物的碳水化合物及其聚合物，其制备方法以及包含聚合物的产品
公开(公告)号：KR1020120071185A
公开(公告)日：2012-07-02
申请号：KR1020100132815
申请日：2010-12-22
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: PURPOSE: A self-assembling polymer compound is provided to effectively culture microorganism through surface absorption, and to be used as a medium for transferring materials to an organism. CONSTITUTION: A polymer compound is expressed in chemical formula 1. In chemical formula 1, rho, and sigma is a repeating unit comprising R1 and R2, and respectively has the value of 1-20, R1 and R2 is respectively hydrogen or C1-20 alkyl, m and n is content(mol%) of polyether unit, wherein 0
Abstract translation: 目的：提供自组装聚合物化合物，通过表面吸收有效培养微生物，并用作将材料转移到生物体的介质。 构成：化学式1表示高分子化合物。化学式1中，rho和sigma是包含R1和R2的重复单元，分别为1-20，R1和R2分别为氢或C1-20 烷基，m和n是聚醚单元的含量（mol％），其中0
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公开(公告)号：KR101149713B1
公开(公告)日：2012-06-08
申请号：KR1020090014549
申请日：2009-02-20
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 화학식 1로 표시되는 트라이 페닐 아민을 주쇄로 하는 폴리이미드 고분자, 이의 제조방법 및 이를 이용하는 제품에 관한 것이다.
상기식에서, X는 -CH-, N또는 P이고; Y는 COOH 또는 OH이고; Z는 아래와 같은 군으로부터 선택되어지는 방향족 또는 지방족 유도체이다.-
公开(公告)号：KR100869258B1
公开(公告)日：2008-11-18
申请号：KR1020060128718
申请日：2006-12-15
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L21/8247 , C08G73/02 , C08L79/02
Abstract: 본 발명은 비휘발성 메모리 소자에 관한 것으로, 구체적으로 활성층으로 하기 화학식 1의 반복단위 구조를 가진 아닐린계 고분자 화합물을 사용하여 균일한 박막형태로 용이하게 제조할 수 있으며, 전류-전압 스위칭 현상을 나타내며 낮은 전압에서 온/오프 비율이 큰 스위칭 특성을 나타내는 비휘발성 메모리 소자에 관한 것이다:
상기 식에서,
R
1 및 R
3 은 서로 동일하거나 상이할 수 있으며, 각각 독립적으로, 수소, 하이드록실기, 카르복실기, 할로겐 원자, 할라이드, C
1-50 알킬기, C
1-50 알콕시기, C
1-50 알킬카르복실기, C
1-50 알킬에스터기, C
1-50 알킬하이드록실기, 니트로C
1-50 알킬기, 시아노C
1-50 알킬기, 할로C
1-50 알킬기, 옥시할로C
1-50 알킬기, 니트로C
1-50 알킬기, 시아노할로C
1-50 알킬기, 페닐기, 아미노아릴기, 옥시아릴기, 할로아릴기, 니트로아릴기, 시아노아릴기, 옥시할로C
1-50 알킬아릴기, 할로C
1-50 알킬아릴기, 니트로할로C
1-50 알킬아릴기 및 시아노할로C
1-50 알킬아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되고(단, R
1 과 R
3 이 동시에 수소는 아님),
R
2 및 R
4 는 서로 동일하거나 상이할 수 있으며, 각각 독립적으로 아미노 또는 이미노이고,
x 및
y 는 몰분율로서 각각 0 x ≤1.0 및 0≤
y
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