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公开(公告)号：KR1020130012714A
公开(公告)日：2013-02-05
申请号：KR1020110074039
申请日：2011-07-26
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G01C22/006 , A61B5/112 , A63B2220/22 , G01C21/00 , G01S19/13
Abstract: PURPOSE: A stride estimating device and a method thereof are provided to easily estimate different strides by using various sensors, thereby enabling to estimate travelling time and to grasp a travelling path. CONSTITUTION: A stride estimating device comprises a vibration detecting sensor(130), a rotation detecting sensor(140), a database unit(180), a travelling distance measuring unit(160), a step number calculation module, a stride estimation module(170), and a control unit(150). The vibration detecting sensor detects vibration information based on a walk of a user. The rotation detecting sensor detects rotation information based on the walk of the user. The database unit stores geographic information. The travelling distance measuring unit measures a travelling distance of the user by using the geographic information and the rotation information. The step number calculation module calculates the number of the steps of the user. The stride estimation module estimates stride of the user by using the calculated the number of the steps and the measured travelling distance. [Reference numerals] (100) User terminal; (120) Communication unit; (130) Vibration detecting sensor; (140) Rotation detecting sensor; (150) Control unit; (160) Travelling distance measuring unit; (170) Stride estimation module; (180) Database unit; (184) Map information database
Abstract translation: 目的：提供一种步幅估计装置及其方法，通过使用各种传感器容易地估计不同的步幅，从而能够估计行驶时间并且抓住行驶路径。 构成：步幅估计装置包括振动检测传感器（130），旋转检测传感器（140），数据库单元（180），行进距离测量单元（160），步数计算模块，步幅估计模块 170）和控制单元（150）。 振动检测传感器基于用户的行走来检测振动信息。 旋转检测传感器基于用户的行走来检测旋转信息。 数据库单元存储地理信息。 行驶距离测量单元通过使用地理信息和旋转信息来测量用户的行驶距离。 步数计算模块计算用户的步数。 步幅估计模块通过使用计算出的步数和测量的行驶距离来估计用户的步幅。 （附图标记）（100）用户终端; （120）通讯单元; （130）振动检测传感器; （140）旋转检测传感器; （150）控制单元; （160）行驶距离测量单元; （170）步幅估计模块; （180）数据库单元; （184）地图信息数据库
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公开(公告)号：KR101220991B1
公开(公告)日：2013-01-10
申请号：KR1020110040199
申请日：2011-04-28
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 상부 몸체 및 상기 상부 몸체에 힌지 연결된 하부 몸체; 프로브가 하단으로 연장되게 고정되어 있으며 상기 상부 몸체의 하단으로 상기 프로브가 노출되도록 상기 상부 몸체에 결합되는 프로브 척; 상기 프로브 척을 승강 동작시키며 상기 상부 몸체에 설치되는 프로브 승강부; 및 상기 상부 몸체가 상기 하부 몸체에 대하여 닫혔을 때 상기 하부 몸체에는 상기 프로브 척의 하부 위치에 센서 안착홈이 형성되고, 상기 센서 안착홈의 바닥면을 이루며 상기 프로브가 접촉 가능하게 설치되는 센서 지지판;을 포함하며, 외부에서 인가되는 검사 전류가 상기 프로브를 통하여 상기 센서 지지판에 안착되는 다중 센서에 인가되는 다중 센서용 프로브 스테이션을 제공한다.
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公开(公告)号：KR101136521B1
公开(公告)日：2012-04-17
申请号：KR1020090115158
申请日：2009-11-26
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L33/20
Abstract: PURPOSE: A light emitting diode and manufacturing method thereof are provided to form an uneven structure on an upper semiconductor layer to reduce the total reflection in a light emitting diode, thereby increasing the light emitting efficiency of the light emitting diode. CONSTITUTION: A first conductive lower semiconductor layer(120), an active layer(130), and a second conductive upper semiconductor layer(140) are formed on a substrate(110). A porous alumina layer(210) including a hole is formed on the upper semiconductor layer. Parts of the upper semiconductor layer, the active layer, and the lower semiconductor layer are etched to form an etching unit(260). The etching process is performed using an alumina layer as a mask.
Abstract translation: 目的：提供发光二极管及其制造方法，以在上半导体层上形成不平坦结构，以减少发光二极管中的全反射，从而提高发光二极管的发光效率。 构成：在衬底（110）上形成第一导电下半导体层（120），有源层（130）和第二导电上半导体层（140）。 包括孔的多孔氧化铝层（210）形成在上半导体层上。 蚀刻上部半导体层，有源层和下部半导体层的一部分以形成蚀刻单元（260）。 使用氧化铝层作为掩模进行蚀刻处理。
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公开(公告)号：KR1020110112579A
公开(公告)日：2011-10-13
申请号：KR1020100031753
申请日：2010-04-07
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L51/56 , H01L51/0002 , H01L2251/56
Abstract: 본 발명은 고휘도 및 고효율의 유기발광다이오드 및 그 제작 방법에 관한 것이다.
굴곡구조가 형성된 유리기판과, 상기 유리기판의 상기 굴곡구조상에 형성되는 투명전극층과, 상기 투명전극층상에 형성되는 p-type 유기층과, 상기 p-type 유기층상에 형성되는 n-type 유기층과, 상기 n-type 유기층상에 형성되는 캐소드층을 포함하는 유기발광다이오드가 제시된다.-
公开(公告)号：KR1020110058388A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：KR1020090115158
申请日：2009-11-26
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L33/20
Abstract: PURPOSE: A light emitting diode and manufacturing method thereof are provided to form an uneven structure on an upper semiconductor layer to reduce the total reflection in a light emitting diode, thereby increasing the light emitting efficiency of the light emitting diode. CONSTITUTION: A first conductive lower semiconductor layer(120), an active layer(130), and a second conductive upper semiconductor layer(140) are formed on a substrate(110). A porous alumina layer(210) including a hole is formed on the upper semiconductor layer. Parts of the upper semiconductor layer, the active layer, and the lower semiconductor layer are etched to form an etching unit(260). The etching process is performed using an alumina layer as a mask.
Abstract translation: 目的：提供发光二极管及其制造方法以在上半导体层上形成不均匀结构，以减少发光二极管中的全反射，从而提高发光二极管的发光效率。 构成：在衬底（110）上形成第一导电下半导体层（120），有源层（130）和第二导电上半导体层（140）。 在上半导体层上形成包括孔的多孔氧化铝层（210）。 对上半导体层，有源层和下半导体层的部分进行蚀刻以形成蚀刻单元（260）。 使用氧化铝层作为掩模进行蚀刻处理。
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Patent Agency Ranking56.发明公开
公开(公告)号：KR1020110014849A
公开(公告)日：2011-02-14
申请号：KR1020090072420
申请日：2009-08-06
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G01J3/10 , G02F1/3501 , G02F1/365 , G02F1/37 , G02F2001/3507 , G02F2001/3528 , G02F2203/13
Abstract: PURPOSE: Terahertz wave and wideband super-continuous spectrum simultaneous generating device, a method for the same, and a spectroscopy method using the same are provided to plenty of the number of spectrum peaks by simultaneously detecting two bands. CONSTITUTION: A focusing lens(110) focuses light incident signal(100). A first light media(120) generates terahertz wave(130) based on the light incident signal. A second light media(140) generates wideband super-continuous spectrum(150) based on the light incident signal. A collimating lens(160) outputs both the terahertz wave and the wideband super-continuous spectrum.
Abstract translation: 目的：通过同时检测两个频带，提供太赫波和宽带超连续频谱同步发生装置，其方法和使用该方法的光谱方法来获得大量的频谱峰。 构成：聚焦透镜（110）聚焦光入射信号（100）。 第一光介质（120）基于光入射信号产生太赫兹波（130）。 第二光介质（140）基于光入射信号产生宽带超连续光谱（150）。 准直透镜（160）输出太赫兹波和宽带超连续光谱。
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公开(公告)号：KR100570799B1
公开(公告)日：2006-04-13
申请号：KR1020030093617
申请日：2003-12-19
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G06F7/50
Abstract: 본 발명은 반도체 광증폭기 (SOA)의 이득포화 특성을 이용하여 전광 가산기를 구현할 수 있는 기술로서, 전광 가산기의 SUM과 CARRY의 동작에는 각각 2개의 전광 XOR 논리소자와 4개의 전광 NOR 논리소자가 이용되었으며, 두 연산이 동시에 구현되었다.
전광 가산기, XOR 논리소자, NOR 논리소자, 반도체 광증폭기, SUM, CARRY-
公开(公告)号：KR1020060024930A
公开(公告)日：2006-03-20
申请号：KR1020040073803
申请日：2004-09-15
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G02B6/12 , G02B27/28 , G02B2006/12157 , G02F1/09
Abstract: 본 발명은 자기 광학적 효과를 이용한 다중모드 간섭영역을 갖는 집적화된 광 아이솔레이터 제조방법에 관한 것으로, 특히 다중모드 간섭을 일으키는 1 ×1 단일 다중모드 영역에 자장을 인가하여 유효 굴절율을 변화시킨 광 아이솔레이터를 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 자기 광학적 효과를 이용한 다중모드 간섭영역을 갖는 집적화된 광 아이솔레이터 제조방법은 다중모드 도파로 영역에 빛의 진행방향에 수직이면서 광 도파로 평면에 평행한 방향으로 외부 자장을 가하여 전방으로 진행하는 빛과 후방으로 진행하는 빛이 각각 서로 다른 유효 굴절율(effective refractive index)을 갖도록 하는 자기 광학적 효과를 이용한 다중모드 간섭영역을 갖는 집적화된 광 아이솔레이터 제조방법을 포함한다.
자기 광학적 효과, 다중모드 간섭영역, 집적화된 광 아이솔레이터-
公开(公告)号：KR100523871B1
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：KR1020030025361
申请日：2003-04-22
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G02F3/00
Abstract: 본 발명은 반도체 광증폭기의 이득포화 특성을 이용한 전광 NOR 논리소자 구현장치 및 그 방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 광컴퓨팅과 같은 광회로의 임의의 지점에서 전송되는 광신호를 펌프신호와 조사신호로 이용하여 논리소자 중에 특히 10Gbit/s 전광 NOR 논리소자를 구현하는 장치 및 그 구현방법에 관한 것이다.
본 발명의 전광 NOR 논리소자 구현방법은, 1100의 입력신호 패턴 A와 0110의 입력신호 패턴 B의 입력신호 합인 A+B 신호를 펌프신호(1110)로 이용하고 상기 1100의 입력신호 패턴 A로 클락신호를 만들어 조사신호(1111)로 이용하여, 상기 조사신호와 펌프신호를 반도체 광증폭기(SOA)에 동시에 반대방향으로 입사시켜 불리언(Boolean) 논리식 를 얻음을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 전광 NOR 논리소자는 반도체 광증폭기의 이득포화 특성을 이용하는 XGM(Cross Gain Modulation) 방법으로 구현되기 때문에 구조가 간단하며, 다른 기능의 전광 논리소자들이 동일한 방법으로 구성될 수 있으므로 전광회로 및 전광 시스템 구현에 중요한 역할을 할 것으로 기대된다.-
公开(公告)号：KR100491750B1
公开(公告)日：2005-05-27
申请号：KR1020020066339
申请日：2002-10-30
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G02F3/00
Abstract: 본 발명은 EMILD 구조를 이용한 전광 메모리 장치에 관한 것으로서, 특히 EMILD 구조를 이용하여 광쌍안정 특성을 측정해 내고, 이를 이용하여 전광 Flip-Flop을 구현하는 전광 메모리 장치에 관한 것이다.
본 발명에 의하면, 입력광의 파장을 선택하기 위한 가변레이저와; 상기 선택된 입력광을 "set" 과 "reset" 의 패턴 광신호로 형성하기 위한 패턴발생기; 상기 패턴 광신호의 세기를 조절하기 위한 광감쇄기; 상기 패턴 광신호의 경로를 결정하기 위한 써쿨레이터; 상기 패턴 광신호를 인가받아 위상 조절을 수행하기 위한 위상조절기; 상기 패턴 광신호를 인가받아 광쌍안정의 특성을 얻기 위한 것으로, EAM에 순방향 전류가 주입되어 광증폭기로 이용되도록 하고, DFB-LD에 문터전류 이하의 전류가 인가되어 레이저로 발진되지 않고 광쌍안정 특성을 얻도록 하며, 광쌍안정 특성이 이용되어 set/reset 방식의 Flip-Flop이 구현되도록 하는 EMILD; 상기 EMILD로부터 출력광 신호를 필터링하여 선택된 파장 신호만을 얻기 위한 파장가변필터; 및 상기 파장가변필터로부터 출력된 광쌍안정 파장 특성을 측정하고, 상기 측정된 광쌍안정 특성을 이용하여 전광 플립플롭 파장 특성을 얻기하기 위한 광측정기를 포함하는 전광 메모리 장치를 제시한다. 따라서, EMILD 구조에서의 넓은 이득영역으로 인해 광대역의 광메모리 구현이 가능하여, 광대역 신호를 이용한 통신에서 전광신호 처리 및 전광메모리 소자로 사용할 수 있다.
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